説明

パターン形成方法、並びに、これを用いた電気配線回路の形成方法および印刷トランジスタの形成方法

【課題】高解像度、特にパターン間の短絡の発生を抑制するパターン形成方法、並びに、これを用いた電気配線回路の形成方法および印刷トランジスタの形成方法を提供する。
【解決手段】スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の開口部10aに第一のインキ14を通過させて、前記第一のインキ14からなるパターンを形成する孔版印刷法において、前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の非開口部10bに第二のインキ12を塗布した後、前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の開口部10aに第一のインキ14を通過させて、前記第一のインキ14および前記第二のインキ12を基材上に塗布し、前記第一のインキ14および前記第二のインキ12からなるパターンを形成することを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パターン形成方法、並びに、これを用いた電気配線回路の形成方法および印刷トランジスタの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、印刷エレクトロニクスと呼ばれる技術分野の研究が注目されている。この印刷エレクトロニクスとは、主としてトランジスタやダイオードなどの能動素子を、印刷法により作製する技術であり、その応用例としては電子ペーパーやRFID(Radio Frequency IDentification)タグなどが挙げられる(例えば、非特許献1参照)。
【0003】
印刷法の中でも、孔版印刷法は、すでに電子産業分野において導電体、抵抗体、絶縁体、はんだなどの形成手段として広く用いられている。
この孔版印刷法は、ステンレスなどの金属やポリエステルなどの樹脂の糸を編んで作製したメッシュを樹脂でマスクして、所定のパターンをなす開口部を形成したスクリーンマスク、もしくは、金属板のエッチングなどにより所定のパターンをなす開口部を形成したステンシルマスクを用いる印刷方法であり、通常はスキージと呼ばれるゴム板でパターン形成材料のインキを、スクリーンマスクもしくはステンシルマスクの開口部から、被写体上に押し出して印刷する方法である。
【0004】
ここで、図11は、印刷エレクトロニクスの目的の一つである電界効果トランジスタを示す概略断面図である。
図11中、符号100は電界効果トランジスタ、101はゲート電極、102はゲート絶縁膜、103は半導体層、104はソース電極、105はドレイン電極をそれぞれ示している。
【0005】
この電界効果トランジスタ100では、ソース電極104とドレイン電極105との間の半導体層103が形成される部分、いわゆるチャネルの長さを数十μmあるいはそれ以下で精度良く形成する必要がある。
なお、印刷エレクトロニクスによる電界効果トランジスタ100は、ゲート電極101、ゲート絶縁膜102、半導体層103、ソース電極104、ドレイン電極105のうち少なくとも1つが印刷法により形成されていればよい。したがって、半導体層103の材質は、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリトリアリルアミンおよびその誘導体、ペンタセンなどのアセン化合物などの有機化合物に限定されるものではなく、インジウム、亜鉛、ゲルマニウム、銅などから構成される金属酸化物や化合物半導体のナノロッドなども用いることができる。
【非特許文献1】日経エレクトロニクス 2004年2月16日号 93頁〜113頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、印刷法では、基材上におけるインキの塗れ広がりが発生し易いため、その結果として、パターン間隔が目的とした値よりも狭くなることがある。特に、数十μmあるいはそれ以下の間隔でパターンを形成すると、パターン間の短絡が発生し易くなるという問題点があった。
【0007】
パターン間の短絡を防止する対策の1つとしては、インキの粘度や印刷条件などを調節して、短絡が生じない条件でパターンを印刷することが挙げられるが、さらに安定にパターンを形成できる手段が求められている。
【0008】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、高解像度、特にパターン間の短絡の発生を抑制するパターン形成方法、並びに、これを用いた電気配線回路の形成方法および印刷トランジスタの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明のパターン形成方法は、スクリーンマスクもしくはステンシルマスクなどの印刷用マスク部の開口部に第一のインキを通過させて、前記第一のインキからなるパターンを形成する孔版印刷法において、前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスクなどの印刷用マスク部の非開口部に第二のインキを塗布した後、前記開口部に第一のインキを通過させて、前記第一のインキおよび前記第二のインキを基材上に塗布し、前記第一のインキおよび前記第二のインキからなるパターンを形成することを特徴とする。
【0010】
本発明の電気配線回路の形成方法は、本発明のパターン形成方法を少なくとも一部に用い、第一のインキを導電性のもとして、第二のインキにより前記導電性の第一のインキの端部を位置規制して第一のインキによる配線パターンを形成することを特徴とする。
本発明の印刷トランジスタの形成方法は、本発明のパターン形成方法を少なくとも一部に用い、ソース電極とドレイン電極をシリコンウエハ上に印刷してトランジスタを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【0011】
本発明のパターン形成方法によれば、スクリーンマスクもしくはステンシルマスクなどの印刷用マスク部の開口部に第一のインキを通過させて、前記第一のインキからなるパターンを形成する孔版印刷法において、前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスクなどの印刷用マスク部の非開口部に第二のインキを塗布した後、前記開口部に第一のインキを通過させて、前記第一のインキおよび前記第二のインキを基材上に塗布し、前記第一のインキおよび前記第二のインキからなるパターンを形成するので、第二のインキが障壁となり、第一のインキのレベリングが抑制され、パターンが等間隔に所定の寸法精度で形成され、短絡が発生することを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
本発明のパターン形成方法、並びに、これを用いた電気配線回路の形成方法および印刷トランジスタの形成方法の最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【0013】
本実施形態のパターン形成方法は、スクリーンマスクもしくはステンシルマスクの開口部に第一のインキを通過させて、前記第一のインキからなるパターンを形成する孔版印刷法において、あらかじめ前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスクの非開口部に第二のインキを塗布し、前記第一のインキおよび前記第二のインキを基材上に塗布し、前記第一のインキおよび前記第二のインキからなるパターンを形成するものである。
【0014】
以下に、本実施形態のパターン形成方法をさらに詳細に説明する。
図1〜図4は、本実施形態のパターン形成方法を示す概略断面図である。
本実施形態のパターン形成方法では、スクリーン印刷機を基本とした印刷装置を用いることができる。
本実施形態のパターン形成方法では、まず、図1に示すように、スクリーンマスク10のマスク部10Aの非開口部10bの基材と接する側の面(乳剤面)に、インキングロール11により、第二のインキ12を塗布する。
【0015】
スクリーンマスク10のマスク部10Aには、所定のパターンをなす多数の開口部10aおよび非開口部10bが等間隔に設けられている。
インキングロール11としては、ゴムロール、公知の平版印刷機で用いられている複数のゴムロールの組み合わせ(インキ練りロール、インキングロールの組み合わせ)からなる機構、フレキソ印刷機で用いられているアニロックスロールとゴムロールの組み合わせからなる機構などが好適に用いられる。
【0016】
次いで、図2に示すように、スクリーンマスク10の開口部10aに、スキージ13により、第一のインキ14を充填し、開口部10aを通過させるとともに、スクリーンマスク10を基材20に接触させて、第一のインキ14および第二のインキ12を基材20上に塗布する。
【0017】
次いで、スクリーンマスク10を基材20から離すと、図3に示すように、基材20上に第一のインキ14および第二のインキ12からなるパターン21が得られる。このパターン21は、図4に示すように、第二のインキ12が障壁となり、第一のインキ14のレベリングが抑制され、第一のインキ14からなる導体パターンが等間隔に所定の寸法精度で形成される。
【0018】
第一のインキ14としては、目的とする機能に合わせた種々の材料をペースト化したものが用いられる。すなわち、電気配線やトランジスタの電極のような導体層を形成する場合、第一のインキ14としては、公知の銀ペースト、カーボンペースト、銅ペーストなどの導電性ペーストが用いられる。また、第一のインキ14をエッチングレジストとして用いる場合、第一のインキ14としては、エッチング液に溶解しないものが用いられる。
【0019】
第二のインキ12としては、第一のインキ14の機能を損なわないものが用いられる。例えば、第一のインキ14が上記の導電性ペーストである場合、第二のインキ12としては、絶縁性の高いものが用いられる。また、また、第一のインキ14をエッチングレジストとして用いる場合、第二のインキ12としては、エッチング液に溶解するものか、もしくは、第一のインキ14を侵さない溶媒に溶解するものが用いられる。
【0020】
さらに、第一のインキ14と第二のインキ12は、印刷時に混ざり合わない必要がある。このため、第一のインキ14として親水性のインキを用いる場合、第二のインキ12として疎水性のインキを用いるか、第二のインキ12に含まれる溶媒として第一のインキ14に含まれる溶媒と相溶性の小さいものを用いるか、もしくは、第二のインキ12として100Pa・s以上の高粘度のインキを用いるなど、第一のインキ14と第二のインキ12との組み合わせのうち好適なものを適宜選択すればよい。
【0021】
また、第一のインキ14と第二のインキ12は相溶性がなくても、両者の粘度が200Pa・s未満であると、両者がその境界で流動し、結果としてランダムに混合することがあるので、少なくともどちらか一方のインキの粘度が200Pa・s以上であることが望ましい。
【0022】
なお、本実施形態では、スクリーンマスク10を用いたパターン形成方法を例示したが、本発明のパターン形成方法はこれに限定されない。本発明のパターン形成方法にあっては、スクリーンマスクの代わりにステンシルマスクを用いてもよい。
【0023】
本実施形態のパターン形成方法によれば、スクリーンマスク10の非開口部10bに第二のインキ12を塗布した後、スクリーンマスク10の開口部10aに第一のインキ14を通過させて、第一のインキ14および第二のインキ12を基材20上に塗布し、第一のインキ14および第二のインキ12からなるパターン21を形成するので、第二のインキ12が障壁となり、第一のインキ14のレベリングが抑制され、第一のインキ14からなる導体パターンが等間隔に所定の寸法精度で形成される。また、第一のインキ14と第二のインキ12として、互いに相溶性のないインキ、もしくは、粘度が200Pa・s以上のインキを用いれば、より高精度に所定の寸法精度でパターンを形成することができる。
【0024】
本発明の電気配線回路の形成方法は、本発明のパターン形成方法を少なくとも一部に用い、第一のインキを導電性のもとして、第二のインキにより前記導電性の第一のインキの端部を位置規制して第一のインキによる配線パターンを形成して電気配線回路を形成するものである。
本発明の電気配線回路の形成方法によれば、高精度に所定の寸法精度で電気配線回路のパターンを形成することができるので、短絡のない電気配線回路を形成することができる。
【0025】
本発明の印刷トランジスタの形成方法は、本発明のパターン形成方法を少なくとも一部に用い、ソース電極とドレイン電極をシリコンウエハ上に印刷してトランジスタを形成して印刷トランジスタを形成するものである。
本発明の印刷トランジスタの形成方法によれば、高精度に所定の寸法精度で電気配線回路や半導体層のパターンを形成することができるので、高精度の印刷トランジスタを形成することができる。
【実施例】
【0026】
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【0027】
(実施例1)
図1に示すように、スクリーンマスク10の非開口部10bの基材と接する面に、インキングロール11により、第二のインキ12を厚みが2μmとなるように塗布した。
スクリーンマスク10としては、幅が20μmの開口部10aが、それぞれ20μmの間隔で複数設けられているものを用いた。
第二のインキ12としては、石油系炭化水素を溶媒とする粘度200Pa・sの平版印刷用インキを用いた。
次いで、図2に示すように、スクリーンマスク10の開口部10aに、ウレタンゴム製のスキージ13により、第一のインキ14を通過させるとともに、スクリーンマスク10をガラス製の基材20に接触させて、第一のインキ14および第二のインキ12を基材20上に塗布した。このとき、基材20上に塗布した第一のインキ14の厚みが15μmとなるようにした。
第一のインキ14としては、グリコールエーテルを溶媒とする粘度200Pa・sの銀ペーストを用いた。
その結果、図3に示すように、第二のインキ12が障壁となり、第一のインキ14のレベリングが抑制され、幅20μmの導体パターンが20μm間隔で形成された電気配線回路のパターン21を得た。
【0028】
(実施例2)
図5に示すように、スクリーンマスク30の非開口部30bの基材と接する面に、インキングロール31により、第二のインキ32を塗布した。
インキングロール31としては、スクリーンマスク30の非開口部30bの基材と接する面に接して第二のインキ32を付着させるインキングロール31aと、このインキングロール31aに第二のインキ32を供給する複数のインキ練りロール31bからなるものを用いた。
第二のインキ32としては、石油系炭化水素を溶媒とする粘度200Pa・sの平版印刷用インキを用いた。
次いで、図6に示すように、スクリーンマスク30の開口部30aに、ウレタンゴム製のスキージ33により、第一のインキ34を通過させるとともに、スクリーンマスク30をステージ35に固定された基材40に接触させて、第一のインキ34および第二のインキ32を基材40上に塗布した。
第一のインキ14としては、グリコールエーテルを溶媒とする粘度200Pa・sの銀ペーストを用いた。
その結果、図7に示すように、第二のインキ32が障壁となり、第一のインキ34のレベリングが抑制され、導体パターンが等間隔で形成された電気配線回路のパターン41を得た。
【0029】
(実施例3)
あらかじめ、図8に示すように、その表面に熱酸化膜からなるゲート絶縁膜50が形成された高ドープシリコンウエハ51の表面に、ポリチオフェン誘導体のアニソール溶液を滴下して、大気中100℃にて乾燥させ、半導体層52を形成した。なお、高ドープシリコンウエハ51は基材およびゲート電極として機能する。
その後、図5に示すように、スクリーンマスク30の非開口部30bの基材と接する面に、インキングロール31により、第二のインキ32を厚みが2μmとなるように塗布した。
スクリーンマスク30としては、幅が20μmの開口部30aが、20μmの間隔で2つ設けられているものを用いた。
第二のインキ32としては、石油系炭化水素を溶媒とする粘度200Pa・sの平版印刷用インキを用いた。
次いで、図6に示すように、スクリーンマスク30の開口部30aに、ウレタンゴム製のスキージ33により、第一のインキ34を通過させるとともに、スクリーンマスク30をステージ35に固定された基材40に接触させて、第一のインキ34および第二のインキ32を高ドープシリコンウエハ51上に塗布した。このとき、高ドープシリコンウエハ51上に塗布した第一のインキ34の厚みが15μmとなるようにした。
第一のインキ34としては、グリコールエーテルを溶媒とする粘度200Pa・sの銀ペーストを用いた。
次いで、高ドープシリコンウエハ51上に塗布した第一のインキ34および第二のインキ32を乾燥して、ソース・ドレイン電極60を形成し、図9に示すように、印刷トランジスタ70を得た。
この印刷トランジスタ70のドレイン電圧Vと、ドレイン電流Iの関係(V−I特性)を測定した結果を図10に示す。図10において、曲線(a)〜曲線(i)は、ゲート電圧をそれぞれ0V、10V、20V、30V、40V、50V、60V、70V、80V、90Vと10V毎に変化させた場合に対応している。図10の結果から、ゲート電圧が0Vの時にはほとんどドレイン電流は流れず、ゲート電圧が上昇するに伴ってドレイン電流が流れるようになることが確認された。
【0030】
(比較例1)
スクリーンマスクの開口部に、ウレタンゴム製のスキージにより、第一のインキを通過させるとともに、スクリーンマスクをガラス製の基材に接触させて、第一のインキを基材上に塗布した。このとき、基材上に塗布した第一のインキの厚みが15μmとなるようにした。
スクリーンマスクとしては、幅が20μmの開口部10aが、それぞれ20μmの間隔で複数設けられているものを用いた。
第一のインキとしては、グリコールエーテルを溶媒とする粘度200Pa・sの銀ペーストを用いた。
その結果、第一のインキのレベリングにより、幅20μmの導体パターンが20μm間隔で形成されるべきところ、全て短絡して所定のパターンを得ることができなかった。
【産業上の利用可能性】
【0031】
本発明のパターン形成方法は、印刷トランジスタに限らず、電気配線全般、さらには高精細印刷全般にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本実施形態のパターン形成方法を示すもので、インキングロールにより第二のインキを塗布している状態を示す概略断面図である。
【図2】本実施形態のパターン形成方法を示すもので、スキージにより第一のインキを塗布している状態を示す概略断面図である。
【図3】本実施形態のパターン形成方法により得られた電気回路パターンの一例を示す概略断面図である。
【図4】図3の一部を拡大した概略断面図である。
【図5】実施例のパターン形成方法を示すもので、複合型のロールにより第二のインキを塗布している状態を示す概略断面図である。
【図6】実施例のパターン形成方法を示すもので、第一のインキと第二のインキを塗布した状態を示す概略断面図である。
【図7】実施例のパターン形成方法を示すもので、第一のインキと第二のインキを基材上に印刷した状態を示す概略断面図である。
【図8】実施例のパターン形成方法を示すもので、基材として用いる高ドープシリコンウエハの概略断面図である。
【図9】実施例のパターン形成方法を示すもので、高ドープシリコンウエハ上に電極を形成して得た印刷トランジスタの概略断面図である。
【図10】実施例により得られた印刷トランジスタの特性を示すグラフである。
【図11】印刷エレクトロニクスの目的の一つである電界効果トランジスタを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【0033】
10,30 スクリーンマスク
10A マスク部
10a,30a 開口部
10b,30b 非開口部
11,31 インキングロール
12,32 第二のインキ
13,33 スキージ
14,34 第一のインキ
20,40 基材
21,41 パターン
35 ステージ
50 ゲート絶縁膜
51 高ドープシリコンウエハ
52 半導体層
60 ソース・ドレイン電極
70 印刷トランジスタ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
スクリーンマスクもしくはステンシルマスクなどの印刷用マスク部の開口部に第一のインキを通過させて、前記第一のインキからなるパターンを形成する孔版印刷法において、
前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスクなどの印刷用マスク部の非開口部に第二のインキを塗布した後、前記開口部に第一のインキを通過させて、前記第一のインキおよび前記第二のインキを基材上に塗布し、前記第一のインキおよび前記第二のインキからなるパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項2】
請求項1記載のパターン形成方法を少なくとも一部に用い、第一のインキを導電性のもとして、第二のインキにより前記導電性の第一のインキの端部を位置規制して第一のインキによる配線パターンを形成することを特徴とする電気配線回路の形成方法。
【請求項3】
請求項1記載のパターン形成方法を少なくとも一部に用い、ソース電極とドレイン電極をシリコンウエハ上に印刷してトランジスタを形成することを特徴とする印刷トランジスタの形成方法。



【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate

【図8】
image rotate

【図9】
image rotate

【図10】
image rotate

【図11】
image rotate


【公開番号】特開2006−278686(P2006−278686A)
【公開日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−95211(P2005−95211)
【出願日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【出願人】(000003193)凸版印刷株式会社 (10,630)
【Fターム(参考)】