【課題】安全で簡便にエッチングできるとともに、エッチング速度を向上させたエッチング方法を提供する。
【解決手段】（１ａ）金属、及び少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に接触させる工程、又は
（１ｂ−１）少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に形成する工程、及び
（１ｂ−２）金属を含む層を、前記少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料と接するように形成する工程
を含む固体材料のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】短時間のエッチングで低反射化が可能な低反射基板の製造方法を得る。
【解決手段】低反射基板の製造方法は、（１００）単結晶シリコン基板１ａを挟んだ両面の上に不純物拡散層２を形成する工程と、両面に形成された不純物拡散層の上に５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜３を形成する工程と、一方の上のシリコン酸化膜に対してブラスト加工を施すことにより、シリコン酸化膜を貫通して不純物拡散層に達する開口４を形成する工程と、基板をシリコン酸化膜が耐性を有するアルカリ水溶液に浸漬して開口を介したアルカリ水溶液による不純物拡散層のエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜と基板との間にアンダーカットを形成する工程と、引き続きアルカリ水溶液により、アンダーカットの空間的な広がりに依存しつつシリコン（１１１）面を露出させる異方性エッチングを行う工程と、その後にシリコン酸化膜を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン及び／又はアモルファスシリコンについて、シリコン等を的確かつ高速に除去し、一方で残される電極部材等を損傷させずに維持することができるシリコンエッチング液及びこれを用いたエッチング方法、これを用いた半導体基板製品を提供する。
【解決手段】アニオン性基を有する炭素数３以上の化合物と硝酸とフッ化水素酸とを水性媒体中に含有するシリコンエッチング液を準備し、該シリコンエッチング液を多結晶シリコン及び／又はアモルファスシリコンからなるシリコン膜に適用して、キャパシタとなる凹凸形状を形成するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン基板のエッチング量のばらつきを低減することができるウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェットエッチング装置は、シリコン基板を収容できかつアルカリ性のエッチング液を溜めるエッチング槽と、二酸化炭素濃度低減部とを備え、前記エッチング槽は、シリコン基板をエッチング液に浸漬するため、およびシリコン基板をエッチング液から引き上げるための上部開口を有し、前記二酸化炭素濃度低減部は、前記上部開口の近傍の気体に含まれる空気由来の二酸化炭素の濃度を低減させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の素子形成領域へのクラックなどの伝播を確実に防止する。
【解決手段】ウェハ１上の素子形成領域を覆うガード領域４の外側に、ｎ型拡散層１５を形成する。ｎ型拡散層１５の上には、導電性リング３３，４８，５８を形成する。最上層の導電性リング４８の上に、導電層６５を形成する。導電層６５の端面６５Ｓは、導電性リング５８の端面５８Ｓから距離Ｌ１だけ内側に形成し、導電性リング５８の上面の一部を露出させる。この後、半導体基板をアミン系薬液に浸すと、ｎ型拡散層１５と導電層６５の間の導電性プラグ３３，４８，４８の導電性材料を溶出し、スリットが形成される。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｂｒ−アルコール液を有するエッチング液のエッチングレートを安定させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、Ｂｒをアルコールで希釈した溶液に、該アルコールよりも比重が小さく、かつ該アルコールに難溶解性の液体である封止液を加えたエッチング液に、ウエハを浸漬させて該ウエハをエッチングするエッチング工程を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの厚みを減じる減厚加工処理における加工量を高精度に評価することが可能な方法および評価用シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに施す減厚加工処理における加工量を評価するに当たり、シリコンウェーハの表面上に、光学式厚み測定手段により厚み測定が可能なシリコン層を形成した評価用シリコンウェーハを作製し（Ｓ１）、次いで該評価用シリコンウェーハのシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定した（Ｓ２）後、シリコン層に対して減厚加工処理を施し（Ｓ３）、続いて該減厚加工処理後のシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定し（Ｓ４）、シリコン層に対する加工処理前後の厚み測定結果に基づいて減厚加工処理における加工量を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】ノズル支持アームに付着したミストが、付着したまま放置されることを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して処理液を供給するためのノズル８１と、ノズル８１を支持するノズル支持アーム８２とを備えている。ノズル支持アーム８２には吸引機構７１が設けられている。この吸引機構７１は、ノズル支持アーム８２の表面に形成された吸引部７８と、吸引部７８を介してノズル支持アーム８２の表面に付着した液滴を吸引する吸引管７３と、を含んでいる。 （もっと読む）