【課題】シリコンウエハエッチング排水に酸を添加して析出したシリカ（ＳｉＯ_２）を固液分離する方法において、凝集剤の必要添加量の低減、発生汚泥の減溶化、汚泥含水率の低減と脱水性の向上、処理水質の安定化を図る。
【解決手段】酸を、固液分離汚泥の一部と混合してシリコンウエハエッチング排水に添加する。汚泥に酸を添加混合して汚泥表面を酸で改質することにより、シリカ（ＳｉＯ_２）が汚泥表面で析出するようになり、この結果、汚泥に取り込まれる水の量を最小限に抑えることができる。このため、含水率が低く、また、脱水性に優れた汚泥が得られ、凝集剤の必要添加量が低減されることにより汚泥発生量も低減され、汚泥の固液分離性が向上することにより、処理水質も安定する。 （もっと読む）

【課題】 タングステンを材料とする半導体集積回路、フラットパネルディスプレイの製造において有用なタングステンのエッチング液を提供する。
【解決手段】 硝酸、フッ化物、鉄塩及び水を含有するタングステンのエッチング液を用いて、タングステンをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、特に固定砥粒ワイヤーソーによりスライスしたシリコン基板を、加工変質層を除去しながら、ステイン層の形成を抑制し、その表面に好適なテクスチャー構造を形成する方法及び処理液を提供する。
【解決手段】表面の反射率を低減させるための表面テクスチャー構造を有するシリコン基板の製造方法であって、少なくともフッ酸、硝酸、及び酸化剤を含み、該フッ酸と硝酸の混合比率が、５０％フッ酸及び６９％硝酸として０．７：１から３：１の容積比である処理液に、シリコン基板を浸漬する工程を含む。 （もっと読む）

【目的】より簡易な手法で、所定の層表面に反射防止構造を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、高周波電力を印加したプラズマ雰囲気中で、基板上にシリコン（Ｓｉ）含有絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記Ｓｉ含有絶縁膜を形成する際に用いたガスを継続して流し続けながら前記高周波電力の出力を弱めることで、前記Ｓｉ含有絶縁膜上にＳｉを主成分とする複数の粒子を堆積させる工程（Ｓ１０４）と、前記複数の粒子をマスクとして、前記Ｓｉ含有絶縁膜をエッチングする工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に残渣の発生が少なく、低発泡な透明導電膜用のエッチング液を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、硫酸アンモニウム、アミド硫酸アンモニウムおよびチオ硫酸アンモニウムからなる群の少なくとも１種の化合物と、水を含有するエッチング液を使用する。透明導電膜の残渣が少なく、発泡も少ないので、均一にムラ無く透明導電膜をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止つつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に希釈した撥水化剤を供給する。撥水剤と希釈剤との混合から基板表面に供給される迄の時間が長くなるほど撥水能力は低下するので、撥水化剤と希釈剤を混合する混合バルブ６１は、希釈撥水化剤を吐出するノズル６４の直前に設けられ、撥水化剤の撥水化能力の低下を防止する。 （もっと読む）

電子素子の金属電極と真性半導体層との間に配置されたドーピングされた半導体層を、該真性半導体層に対して選択的にエッチングするエッチング液であり、遷移金属及び／または遷移金属塩；及びフッ酸及び／またはフッ素を含む無機塩；を含むエッチング液が提示される。
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【課題】少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液に一の成分薬液を補給する際の、エッチング液中の水分濃度の上昇を抑制できるエッチング処理装置およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液を貯留する薬液貯留手段と、前記薬液貯留手段に貯留された前記エッチング液をエッチング処理されるワークに供給する薬液供給手段と、前記ワークに供給された前記エッチング液の残渣を前記薬液貯留手段に回収する薬液回収手段と、前記薬液貯留手段に前記一の成分薬液を補給する成分薬液補給手段とを備え、前記成分薬液補給手段は前記薬液貯留手段に補給される前記一の成分薬液の水分濃度を低減する水分濃度低減手段を含む。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液１０３を供給するか、又はＵＶ光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に堆積した非結晶シリコンの膜を低温ポリＳｉ（ＬＴＰＳ）アニーリングすることにより製造される、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から一般的には上向きに伸びている隆起または突起を、低減または本質的に排除すること。
【解決手段】ｐＨ１２以上を有し、水、少なくとも１種の強塩基および少なくとも１種のエッチング速度制御剤を含む、水性の高い強塩基性の平坦化溶液を提供する。その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 （もっと読む）