【課題】半導体チップ側面に傾斜面を形成する際に、エッチングマスクの下側に及ぶ不必要なエッチングがほとんど無く、エッチング液による汚染も生じない傾斜状の側面を備える逆阻止型ＩＧＢＴの製造方法を提供すること。
【解決手段】（１００）面を主面とするｎ型半導体基板３０の一方に、素子活性領域のＭＯＳゲート構造１０とアルミニウム電極膜１８を形成する第１工程、他方の主面にイオン注入によりp型ドーパントを不純物とするイオン注入ダメージ層２１またはイオン注入ダメージ層２１を活性化して得られる高濃度ｐ型層２１ａを形成する第２工程、イオン注入ダメージ層又は高濃度ｐ型層２１ａをマスクとしてｎ型半導体基板の他方を湿式異方性エッチングして先細り状の傾斜溝２３を形成する第３工程及び傾斜溝２３を構成する傾斜面９ａにp型ドーパントのイオン注入によりｐ型分離層４を形成する第４工程による製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】高性能・高信頼性の半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に保護膜を形成し、保護膜を介して不純物をイオン注入する。注入した不純物を活性化して不純物層を形成した後、保護膜を除去する。その後、不純物層の表面部の半導体基板を除去し、表面部を除去した半導体基板上に半導体層をエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のタングステン（Ｗ）系金属膜をエッチングし得る半導体基板用エッチング剤、当該エッチング剤を用いるエッチング方法、並びにエッチング剤調製液を提供する。
【解決手段】（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤、（Ｃ）塩基性化合物及び（Ｄ−２）無機酸由来のアニオン種並びに炭酸イオン、モノカルボン酸イオン、ヒドロキシトリカルボン酸イオン及びヒドロキシカルボン酸イオンから選ばれる有機酸由来のアニオン種から選ばれる２種以上のアニオン種０．０１重量％〜３重量％を含む溶液からなる、タングステン（Ｗ）系金属膜上部にタングステンよりもイオン化傾向の低い金属バンプ又は金属配線が形成された半導体基板用エッチング剤、該エッチング剤を用いるＷ系金属膜のエッチング方法、並びに上記（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ−２）を含む溶液からなる、半導体基板用エッチング剤調製液。 （もっと読む）

【課題】沸点付近のリン酸水溶液を含む処理液を基板に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】リン酸、硫酸、および水が、第１タンク１５からスピンチャック２に保持された基板Ｗに至る処理液の流通経路Ｘ１に供給される。これにより、リン酸、硫酸、および水の混合液が生成される。また、硫酸を含む液体と水を含む液体とが流通経路Ｘ１において混合され、リン酸、硫酸、および水の混合液の温度が上昇する。スピンチャック２に保持された基板Ｗには、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液が供給される。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を用いることなく、ＬＥＤの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化（凹凸化）することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機酸と、金属化合物とを含む組成とする。
さらに、有機酸、有機酸塩、無機酸塩、界面活性剤のいずれかを含む組成とする。
さらに、無機酸として、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸のいずれかを含む組成とする。
また、金属化合物として、鉄系化合物を用いる。
有機酸および有機酸塩として、モノカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシカルボン酸、ホスホン酸、スルホン酸およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
本発明のエッチング液組成物を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ膜、ＡｌＧａＡｓ膜、ＧａＡｓＰ膜のいずれか半導体膜をエッチングし、表面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にフッ酸を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１と、第１の工程Ｓ１１の後に、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第２の処理液を供給し、供給した第２の処理液により基板の裏面を処理する第２の工程Ｓ１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】リン酸及び／又はリン酸塩の水溶液を含有する組成物におけるパーティクル数を経時安定化する方法、及び、リン酸及び／又はリン酸塩の水溶液を含有し、しかもパーティクル数が経時安定化されたレジスト残渣剥離剤組成物を提供する。
【解決手段】液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるリン酸及び／又はリン酸塩含有組成物におけるパーティクル数経時安定化方法であって、リン酸及び／又はリン酸塩の水溶液に、マルトールを含有させる、パーティクル数経時安定化方法、及び、パーティクル数経時増加が抑制されたレジスト残渣剥離剤組成物。 （もっと読む）

【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセスの深さの制御を安定的に行なえるようにして、ノーマリオフ動作のデバイスを安定的に作製できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、基板１の上方に設けられたＧａＮ電子走行層２と、ＧａＮ電子走行層２上に設けられた第１ＡｌＧａＮ電子供給層３と、第１ＡｌＧａＮ電子供給層３上に設けられたＡｌＮ電子供給層４と、ＡｌＮ電子供給層４上に設けられた第２ＡｌＧａＮ電子供給層５と、第２ＡｌＧａＮ電子供給層５及びＡｌＮ電子供給層４に設けられたゲートリセス９と、ゲートリセス９に設けられたゲート電極１２とを備えるものとする。 （もっと読む）