【課題】金属シリサイド領域とシリコン領域との間に大きな段差を形成することなくシリコン酸化膜を除去することのできる湿式エッチング溶液を提供する。
【解決手段】金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板用の湿式エッチング溶液であって、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比が、質量比で、フッ化水素：フッ化アンモニウム＝１：７〜１：８０であり、かつ、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が０．０１〜１０質量％であり、フッ化アンモニウム濃度が０．８〜８０質量％であることを特徴とする湿式エッチング溶液である。前記金属シリサイド膜が、ＷＳｉ_ｘ膜、ＴｉＳｉ_ｘ膜、ＭｏＳｉ_ｘ膜、ＮｉＳｉ_ｘ膜、ＴａＳｉ_ｘ膜、ＣｕＳｉ_ｘ膜、および、ＣｏＳｉ_ｘ膜（ここで、ｘは任意の数）のうちいずれか１種であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン又は多結晶シリコンについて、凹凸を有するキャパシタ構造をなすよう周囲の構成材料を的確かつ効率よく除去し、しかもキャパシタ構造を多数形成するウエハの中央部と端部とにおいてバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】アルカリ化合物およびヒドロキシルアミン化合物を組み合わせて含み、ｐＨを１１以上に調整したシリコンエッチング液を多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の一部または全てを除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造の形成方法。 （もっと読む）

【課題】成長基板をＬＬＯ法によって除去する際に、異物の活性層端部への付着を防止しつつ、得られた素子の強度の向上ができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子の製造方法は、半導体積層体のストリート部の幅以内に犠牲部を形成し、犠牲部とともにその周囲部分を除去するウェットエッチングを施し、ストリートにあるエッチング残存物を除去する。 （もっと読む）

【目的】
原子レベルで平坦な表面を有し、シリカやシリケート等の表面付着のない基板処理方法を提供する。
【解決手段】
ＥＤＴＡキレート化合物とＥＤＡとの混合溶液を用いて化合物単結晶基板の加工変質層をエッチングして除去する第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によりエッチングを行う第２のエッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】亜鉛シリサイドやシリカなどが残留しないＺｎＯ基板の成長前処理方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。前記エッチャントはＥＤＴＡ・２Ｎａ（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）及びＥＤＡ（エチレンジアミン）の混合溶液であり、前記洗浄液は、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡの混合溶液、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡのうちいずれか１の純水による希釈液である。 （もっと読む）

【課題】基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、基板の主表面を被覆する被覆層にエッチング液を供給して被覆層を加工する装置である。エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。第一給液部２１１は、被覆層の表層部分を除去可能な量のエッチング液を被覆層に供給する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸からなる活性層１３を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面の酸化物を含む不純物を、エッチングあるいは、他の層を積層する前に除去する。
【解決手段】第１の半導体層１１０の少なくとも一部に接し、第１の半導体層１１０に含まれる不純物の固溶度が、第１の半導体層１１０より高い第１の犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１の犠牲層および第１の半導体層をアニールするアニール工程と、第１の犠牲層をウェットプロセスで除去する除去工程と、第１の半導体層の少なくとも一部を覆う絶縁層１２０を形成する工程および第１の半導体層の一部をエッチングする工程の少なくとも一の工程と、第１の半導体層に電気的に接続された電極層１２６を形成する電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。
【解決手段】シリコン窒化物とシリコン酸化物とが露出した基板をエッチング溶液によりエッチングするにあたり、フッ素イオン源と、水と、沸点調節剤とを混合してエッチング溶液を調製し、このエッチング溶液により前記基板をエッチングしたときにシリコン窒化物のエッチング速度が１００Å／分以上となり、シリコン酸化物のエッチング速度に対するシリコン窒化物のエッチング速度の比が７５以上となるように、当該エッチング溶液の温度を予め設定した時間１４０℃以上の温度に維持してから、当該エッチング溶液により前記基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、銅および銅合金薄膜を含む金属積層膜パターンを精度良くエッチング加工し、優れたパターン形状を形成し、かつ実用性に優れた安定で液寿命の長いエッチング液組成物、およびかかるエッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、銅からなる層と、銅を含む銅合金からなる層とを有する金属積層膜を、特定の組成を有する、りん酸、硝酸、酢酸および水を配合してなるエッチング液組成物を用いてエッチングするエッチング方法、およびそのエッチング液組成物に関する。 （もっと読む）