【課題】エッチングにより、適切に、エッチング対象物の表面に凹凸形状を形成して粗面化を行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、エッチング対象物の表面１６をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、過酸化水素水と、有機酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に対して安価に且つ安定して高密度のテクスチャを形成可能なエッチング方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板表面でのエッチング反応を阻害する添加剤と水とを含むアルカリ性のエッチング液をシリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に凹凸を形成するエッチング処理を複数バッチにわたって繰り返し実施するシリコン基板のエッチング方法であって、１バッチ目の前記エッチング処理の終了後において、前回のバッチのエッチング処理における前記エッチング液中のシリコン濃度の増加量と、前回のバッチのエッチング処理終了後における前記エッチング液中へのアルカリ濃度の追加量と、の比が一定となるように、バッチ毎に前記エッチング液にアルカリを追加して前記エッチング処理を複数バッチにわたって繰り返し実施する。 （もっと読む）

【課題】入射光反射率が低減した多結晶シリコン半導体テクスチャを形成するためのエッチング液を提供する。
【解決手段】アルカリ化合物、フッ化物イオンおよび酸化剤を含む酸性水性組成物を用い、多結晶シリコンの等方性エッチングを行なうことにより、露出した粒界を含まず、４００ｎｍ〜１１００ｎｍの入射光波長での入射光反射率が２０％以下となるテクスチャが得られる。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】少なくともシリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜が積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン酸化膜を選択的に微細加工することが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る微細加工処理剤は、（ａ）０．０１％〜１５重量％のフッ化水素、又は０．１〜４０重量％のフッ化アンモニウムの少なくとも何れか1種類と、（ｂ）水と、（ｃ）０．００１％〜１０重量％のスチレンスルホン酸、スチレンスルホン酸アンモニウム、及びスチレンスルホン酸エステルからなる群より選択される少なくとも１種類の水溶性重合体とを含み、少なくともシリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜が積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン酸化膜を選択的に微細加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの潜在化した欠陥の発生を抑制する最適な処理液を選定する方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングが可能な材料からなる転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクを複数枚準備する工程１と、エッチング阻害物質の濃度が異なる複数種の処理液を準備する工程２と、前記処理液を用いて表面処理する工程３と、前記表面処理したマスクブランクの被処理面に対してレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行って薄膜パターンを形成してマスクを作製し、該マスク表面の欠陥情報を取得する工程４と、エッチング阻害物質の濃度と前記マスク表面の欠陥情報との対応関係から所望の仕様又は品質を満足する欠陥情報を選択して、対応する処理液のエッチング阻害物質の濃度を特定する工程５、該特定した濃度を有する処理液を選定する工程６から成る。 （もっと読む）

【課題】適切な形状のテクスチャーを確実に形成することができるエッチング液組成物およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含む。また、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング方法は、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含むエッチング液組成物を用いてエッチングを行う、エッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁膜を金属に密着させることができる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に多結晶の金属を形成する工程と、該金属の表面粗さＲａが０．０５１μｍより大きくなり、かつ該金属の表面に１〜１０μｍ径のランダムな方向に伸びる複数の穴が形成されるように、該金属の表面を１．０μｍ／ｍｉｎ未満のエッチングレートでウェットエッチする工程と、該金属の表面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電極材料などに用いられている銅および／または銅合金に対してダメージがなく、結晶質ＩＴＯ膜をエッチングすることが可能な透明導電膜用エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 １〜１０重量％のふっ素化合物を含有する水溶液からなる結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】ＡｇまたはＡｇまたはＡｇ合金からなる反射膜を、反射率を低下させず、均一な膜厚でパターニングすること。
【解決手段】スパッタや蒸着などによって、第１絶縁膜１６ａの全面に反射膜１９を形成し、リフトオフ法によって反射膜１９上に所定のパターンのバリアメタル膜２３を形成する。次に、銀エッチング液を用いて、反射膜１９をウェットエッチングする。ここで、バリアメタル膜２３は銀エッチング液によってウェットエッチングされないため、マスクとして機能し、上部にバリアメタル膜２３が形成された領域の反射膜１９はウェットエッチングされずに残る。これにより、第１絶縁膜１６ａ上に所望のパターンの反射膜１９を均一な厚さで形成することができる。 （もっと読む）