国際特許分類[H01L21/308]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断 (21,268) | 化学的または電気的処理,例.電解エッチング (9,750) | マスクを用いるもの (427)
国際特許分類[H01L21/308]に分類される特許
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半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液
【課題】白金(Pt)化合物の薄膜を、他の部材を過度に酸化・腐食することなしに除去する半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液を提供する。
【解決手段】白金化合物の薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、前記半導体基板に前記薄膜除去液を適用して前記白金化合物の薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、前記薄膜除去液が、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、及び水を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。
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エッチング液
【課題】太陽電池セルの製造における、基板の拡散層のエッチングに於いて、所望のエッチングレートで基板の拡散層のエッチングを行える、効率的なエッチング液を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された拡散層のエッチングを行うHNO3、HF及びH2Oからなるエッチング液であって、前記HNO3、HF及びH2Oの配合重量比が以下の式(1)を満たす、エッチング液を用いてエッチングする。HNO3:HF:H2O=100:0.05〜1.5:0を超え160以下・・・(1)
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半導体光素子の製造方法
【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層13及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層10を半導体基板11の主面11aにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層10の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層10に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。
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光集積素子の製造方法
【課題】バットジョイント構造を構成する第1及び第2の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク30を用いて第1の半導体積層部20にエッチングを施す工程と、Alを含む光吸収層42、及び光吸収層42上に設けられるInPクラッド層44を有する第2の半導体積層部40を、エッチングマスク30を用いて選択的に成長させる第1の再成長工程と、エッチングマスク30を除去するマスク除去工程と、第1及び第2の半導体積層部20,40上に第3の半導体積層部を成長させる第2の再成長工程とを行う。第1の再成長工程において、InPに対してエッチング選択性を有するInP系化合物半導体を含むキャップ層46を第2の半導体積層部40上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク30上に生じたInP系堆積物Deを除去する。
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エッチング方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液
【課題】少なくとも無機アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及びアニオン性化合物を含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該膜の少なくとも一部を除去するエッチング方法。
【解決手段】アモルファスシリコン又は多結晶シリコン膜を的確かつ効率よく除去して半導体基板に凹凸を形成するに当たり、ウエハの中央部から端部に至るまでバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたエッチング方法を提供する。
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導電膜除去方法および導電膜除去剤
【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、20℃におけるpHが6.0〜8.0の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のpHを6.0未満、または8.0より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。
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キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液
【課題】半導体基板に凹凸形状をなすよう、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンを的確かつ効率よく除去することができ、しかもそのエッチングが行われる条件下において長時間活性が維持されるシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】アンモニアと、ヒドロキシルアミン化合物、塩基性有機化合物、及び金属含有塩基性化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つの特定塩基性化合物とを組み合わせて含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜6に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の少なくとも一部を除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造10の形成方法。
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金属エッチング用組成物、および金属エッチング用組成物を用いた半導体装置の製造方法
【課題】基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなく、常温で高速に長時間安定してタングステン系金属を除去することができるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩の添加量が8〜30質量%、塩基性化合物の添加量が1〜15質量%、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない25℃でのpHが8以上の水溶液であることを特徴とする。過酸化水素をさらに添加することによりタングステン系金属とチタン系金属の積層膜あるいは合金膜の除去に適用することができる。他方、過酸化水素を無添加とすることにより、チタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去することができる。
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太陽電池の製造方法
【課題】太陽電池セルのテクスチャ形成工程では、微細なテクスチャを均一に形成することが困難であり、テクスチャの出来は太陽電池特性に影響を与える。
【解決手段】本発明は、太陽電池のテクスチャ形成工程において、アルカリ水溶液にケイ素化合物を添加することで、微細なテクスチャを均一に形成することが可能となり、基板の反射率が低減する。これにより、高効率の太陽電池を製造することが可能となった。
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エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法
【課題】Ti等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ti、Mo、Ag、V、Al、及びGeの少なくとも1種を含む金属材料層と、SiC、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含むケイ素化合物層とを有する半導体基板にエッチング液を適用し、前記金属材料層を選択的に溶解するエッチング方法であって、前記エッチング液として、フッ素化合物と、炭素数が8以上の疎水性基と1つ以上の親水性基とを有する特定有機化合物とを含み、pHを3〜7に調整したものを使用するエッチング方法。
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