【課題】Ｃｕ／Ｍｏ積層金属膜、Ｃｕ／Ｍｏ合金積層金属膜、Ｃｕ合金／Ｍｏ合金積層金属膜のような、銅又は銅合金の１層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の１層以上のモリブデン層とを含む多重膜を、効率的で優秀に同時に一括してエッチングすることができるエッチング液組成物及びこれを用いた多重膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、総重量に対して、リン酸５０〜８０ｗｔ％；硝酸０．５〜１０ｗｔ％；酢酸５〜３０ｗｔ％；イミダゾール０．０１〜５ｗｔ％；及び残量の水を含む。添加剤イミダゾールは、銅／モリブデンガルバニック反応調節剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】従来の蓚酸系エッチング液のような界面活性剤配合に伴う泡や蓚酸に由来する残渣の発生を生じることなく、界面活性剤を一切使用しなくても、濡れ性、泡切れ性が優れ、高精度で透明導電膜をエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも蓚酸を主成分とする導電膜用エッチング剤（Ａ）と、（Ｂ）群および（Ｃ）群から選ばれる少なくとも１種とを含有し、界面活性剤を一切含有しないことを特徴とする導電膜用エッチング液。 （もっと読む）

【課題】希土類金属を含有するHigh-ｋ膜のエッチング残渣を抑制するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に絶縁膜４を形成する工程と、絶縁膜４の上に希土類元素含有酸化膜７、１２を形成する工程と、フッ酸、塩酸、硫酸を含む薬液により希土類元素含有酸化膜７、１２をエッチングする工程とを有し、これにより希土類元素含有酸化膜７、１２のエッチングを良好に行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 特定の化学構造式を有する４級アルキルアンモニウム塩、塩基性化合物、並びに無機酸および／または有機酸を必須成分とすることを特徴とする窒化ケイ素用エッチング液を使用する。 （もっと読む）

【課題】酸を用いたエッチング処理に比して製造コストを低減することができるエッチング方法を得ること。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板１２の表面にＮ型拡散層１０１を形成する第１の工程と、Ｐ型シリコン基板１２の一の主面に、Ｎ型拡散層１０１を貫通し、Ｐ型シリコン基板１２に到達する開口部５１ａを形成する第２の工程と、Ｐ型シリコン基板１２をアルカリ溶液１０２中に浸漬し、光１０３を照射しながらエッチングする第３の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンの製造方法に関し、特に、レーザーを用いてパターンを製造する方法に関する。
【解決手段】パターンの製造方法は、基板上に金属有機インク層（20）を形成する第1の段階；前記金属有機インク層（20）を半固体状態に硬化させる第2の段階；前記半固体状態の金属有機インク層（20）にレーザー光を照射し、照射された部分が固体状態に硬化されてパターンが形成される第3の段階、および、前記半固体状態の金属有機インク層（20）を除去して、前記パターンだけを残す第4の段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 窒化ケイ素のエッチングにおいて、リン酸系エッチング液の表面張力を低減して、窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングすることができるエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 リン酸、水及び炭素数２以上６以下のアルコールを含む窒化ケイ素のエッチング液で、窒化ケイ素をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、互いに対向する一対の側壁１０ａ、１０ｂを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽１０と、複数の基板を起立させて保持する保持部２１と、保持部２１に連結され、処理槽１０内に搬入された際に、保持部２１に保持された基板と処理槽１０の一方の側壁１０ａとの間に介在される背部２２とを有し、保持部２１に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構２０とを備えている。処理槽１０に、貯留された薬液を加熱する加熱器８０が設けられている。この加熱器８０は、一方の側壁１０ａに設けられた第１加熱器８１と、他方の側壁１０ｂに設けられた第２加熱器８２と、を有しており、第１加熱器８１の出力と第２加熱器８２の出力は個別に制御される。 （もっと読む）

【目的】マスクの厚さを所定の値にし、後退量とエッチング量の比を所定の値にしてトレンチの開口部の端部を丸めることで、ゲート酸化膜形成温度を９５０℃未満の低い処理温度にした場合でもゲート酸化膜の良好な耐圧特性と長期信頼性が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】マスクであるシリコン酸化膜２の端部１０をトレンチ８の開口部９の端部Ａから後退させる量Ｘと、等方性ドライエッチングによるエッチング量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）を２以上５以下に設定することで、Ｑｂｄの値を高くすることができて、良好なトレンチ８の開口部９の端部Ａと段差１２の端部Ｂの形状を丸めることができる。その結果、その後形成するゲート酸化膜１４の熱処理温度を、９５０℃未満、あるいは、９００℃以下で行った場合でも、ゲート酸化１４の良好な耐圧特性と長期信頼性を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】イソプロピルアルコール等の従来のエッチング抑制剤を使用することなく、微細なピラミッド状の凹凸（テクスチャー構造）を有するシリコン基板を安定的に形成することが可能なエッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン基板を浸漬して、該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、
下記一般式（１）で表わされる化合物（Ａ）又はそのアルカリ塩より選択される１種以上と、濃度が０．１重量％以上３０重量％以下である水酸化アルカリ（Ｂ）とを含有することを特徴とするエッチング液。
【化１】


(式中、Ｒは、炭素数４以上１５以下のアルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基のいずれかを表し、Ｘは、スルホン酸基を表す。)
該エッチング液を使用することにより、シリコン基板表面に微細なテクスチャー構造を形成することができる。 （もっと読む）