【化１】


基板上にタンタル含有層を形成する方法であって、少なくとも以下の工程：ａ）式Ｃｐ（Ｒ¹）_mＴａ（ＮＲ²₂）₂（＝ＮＲ³） （Ｉ）：の少なくとも１種の前駆体化合物を有する蒸気を供給する工程と：ここで：Ｒ¹は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ²は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ³はＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において選択される有機基である；ｂ）式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物を有する蒸気を、原子層堆積プロセスに従って基板と反応させて、基板の少なくとも１つの表面上にタンタル含有錯体の層を形成する工程とを有する方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、基板１１上に、シリコン酸化膜１２を形成する工程と、シリコン酸化膜１２に対して窒素を導入してシリコン酸窒化膜１３を形成する工程と、シリコン酸窒化膜１３上にＺｒ、Ｈｆの少なくともいずれかを含む絶縁膜１４を形成する工程とを含む。基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成する前記工程では、基板１１上にシリコン酸化膜１２を成膜した後、１０５０℃以上、１１００℃以下でシリコン酸化膜１２を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜の材料を粒子として溶媒に分散ないしは溶解させた粘性のインクを噴射する複数の噴射ノズルを備えるインクジェットヘッドから、搬送テーブル３２により搬送される被処理体に対してインクを噴射するときに、各噴射ノズルから噴射したインクが被処理体２１上で凸曲面形状となり、且つ隣接するインク同士が端部において連続した形状となるようにインクを噴射し、被処理体２１上のインクを加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、被処理体２１に形成された各インクが端部から先に順次中央部に向けて熱硬化する上昇温度で緩速加熱を行っている。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンによる銅の腐食を生じさせずに銅を異方性エッチングすることができる銅の異方性ドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着により水素化オキシ炭化珪素の低誘電率薄膜を製造する方法を与える。
【解決手段】メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、基体の入った化学蒸着室へ導入し、前記メチル含有シランと前記酸素付与ガスとの間の反応を２５℃〜５００℃の温度で引き起こし、反応中存在する酸素の量を調節して、３．６以下の誘電率を有する水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを基体上に形成する、ことからなる水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に酸化ガスを供給して酸化膜を形成する際に、処理時間を短縮し、面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に残留する原料ガスおよび原料ガスの中間体を除去する原料ガス除去工程と、処理室内の雰囲気の排気を実質的に止めた状態で、処理室内にオゾンを供給するオゾン供給工程と、処理室内に残留するオゾンおよびオゾンの中間体を除去するオゾン除去工程と、を複数回繰り返して原料ガスとオゾンとを互いに混合しないよう交互に供給し、基板の表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置の、半導体基板と酸化膜との界面近傍における界面準位密度を低減して、チャネル移動度を向上させることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法とを提供すること。
【解決手段】炭化珪素の半導体基板１の表面にシリコン酸化膜を主成分とする酸化物層を形成する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、酸化物層の、炭化珪素エピタキシャル層２と対向しない一方の主表面をＩＩＩ族元素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露して、酸化物層にＩＩＩ族原子を含有させる。そして、酸化物層と半導体基板１との界面近傍に拡散させたＩＩＩ族原子により界面準位を終端させ、炭化珪素半導体装置のチャネル移動度を向上させる。 （もっと読む）

光起電性結晶シリコン半導体ウェハーの前側表面にマスクされた領域及びマスクされない領域を形成するために前記ウェハーの前側表面にマスクを形成することを必要とする。前記ウェハーのエミッタ内へ少なくともその中のデッド・ゾーンの範囲までは伸長するように前記前側表面の前記マスクされない領域に第１のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する。前記マスクを除去し、前記第１のシリコン酸化物層のほぼ全部が除去されるまで前記第１のシリコン酸化物層をエッチ・バックする。次に、第２のシリコン酸化物層が前記前側表面を不動態化するに十分な厚さを有するように前記前側表面に前記第２のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する。この方法は、代替的に、半導体接合部を有さないＰＶ結晶シリコン半導体ウェハーのマスクされない領域に第１の電気化学的に形成されたシリコン酸化物層を介してドーパントを拡散し、次に、前記第１のシリコン酸化物層をエッチバックし、そして、第２の電気化学的に形成されたシリコン酸化物層で不動態化することによりエミッタを形成することを必要とするものであってもよい。
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【課題】酸化膜の厚みを精度よく制御でき、かつエピタキシャル層を形成したときに表面荒れを抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板が準備される（Ｓ１１）。そして、この基板が酸性溶液で洗浄される（Ｓ１２）。そして、洗浄する工程後に、湿式法により基板上に酸化膜が形成される（Ｓ１３）。 （もっと読む）

【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料を用いて基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を成膜する成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、ＨｆまたはＺｒを含むアミン系の有機金属化合物からなる成膜原料と、酸化剤とを処理容器内に供給してこれらを反応させることにより基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を形成する成膜方法において、有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。 （もっと読む）