国際特許分類[H01L21/316]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層, (4,431) | 酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
国際特許分類[H01L21/316]に分類される特許
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半導体装置の製造方法
【課題】バリア膜を良好に形成することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SiおよびOを含む第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成された後、Mnからなる金属膜18が第2溝11およびビアホール12の側面および底面に被着される。次いで、金属膜18中のMnと第2絶縁層6中のSiおよびOとを結合させるための熱処理が行われる。この熱処理の結果、第2溝11およびビアホール12の内面上に、MnSiOからなるバリア膜が形成される。
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トンネル素子およびその製造方法。
【課題】大きなトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、GaAsを含む半導体膜10と、半導体膜10上に設けられた酸化ガリウム膜20と、酸化ガリウム膜20上に設けられた導電性膜30と、を具備し、酸化ガリウム膜20は、半導体膜10および導電性膜30の一方から他方にトンネル電流が流れるトンネル絶縁膜であるトンネル素子およびその製造方法である。
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半導体デバイスのメタライゼーションシステムにおけるキャップ層のCMP及びエッチング停止層としての使用
【解決手段】
進歩的なメタライゼーションシステムを製造する間、敏感な誘電体材質上に形成される誘電体キャップ層が、過剰な金属を除去するためのCMPプロセスの間に部分的に維持されてよく、それにより、CMPプロセスの間に誘電体キャップ材質を実質的に完全に消耗する場合に従来の手法で必要であろうような専用のエッチング停止層を堆積させる必要性が回避され得る。従って、低減されたプロセスの複雑性及び/又は高い柔軟性が低k誘電体材質の高い完全性との組み合わせにおいて達成され得る。
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薄膜形成システムおよび薄膜形成方法
【課題】シートフィルム上に薄膜を形成する薄膜形成システムおよび薄膜形成方法において、多数枚のシートフィルムを連続して処理するのに適した技術を提供する。
【解決手段】フィルムカセットから取り出したシートフィルムFに対し、塗布ユニット34内で薄膜材料を塗布するとともに上部リングRupおよび下部リングRdwにより挟み込む。形成されたリング体RFは乾燥ユニット36を経て転写ユニット35に送る。基板Wを基板カセット11から取り出し反転ユニット31でフェースダウン状態として転写ユニット35に搬入しシートフィルムF上の薄膜を転写する。剥離ユニット10ではリングRup,Rdwを取り外し、シートフィルムFを基板Wから剥離する。取り外したリングRup,Rdwは再び塗布ユニット34に搬入し新たなリング体RFの形成に使用する。
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線形的誘電特性を示す誘電体薄膜組成物
【課題】電子トンネリングを防止するのに十分な厚さにおいても、要求されるキャパシタンス値を満たすことができる高誘電率の誘電定数を有し、誘電損失が非常に低く、常誘電特性を示す線形的なBSTO誘電体薄膜組成物を提供する。
【解決手段】(Ba、Sr)TiO3(BSTO)誘電体薄膜に錫酸化物(SnO2)が連続組成拡散法によって添加され、一般式Ba(1−x)SrxTi(1−y)SnyO3(式中、モル分率xは0.06≦x≦0.82の範囲であり、モル分率yは0.05≦y≦0.28の範囲である)(BSTSO)である誘電体薄膜組成物とする。これにより、電界によるキャパシタンスの変化がほとんどなく、要求されるキャパシタンス値を示し誘電損失は非常に低く、既存の誘電体素材であるSiO2のような常誘電(paraelectric)特性を示す。
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半導体装置の製造方法
【課題】Geを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Geを含有する半導体基板を、HClガス、HBrガスまたはHIガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。Geを含有する半導体基板を、75℃以上110℃以下のHCl溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、MISFETのゲート絶縁膜の前処理、ソース・ドレイン電極形成の前処理、コンタクトの金属プラグ形成の前処理に適用される。
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半導体装置の製造方法および半導体装置
【課題】ゲート絶縁膜に高誘電率膜を用いたMISトランジスタのトランジスタ特性を向上する。
【解決手段】基板の主面上に形成した酸化シリコン(SiO2)膜上に、ハフニウムおよび酸素を含むベース絶縁膜を形成する。次いで、ベース絶縁膜上に、ベース絶縁膜より薄く、かつ、金属元素のみからなる金属薄膜を形成し、その金属薄膜上に、耐湿性および耐酸化性を有する保護膜を形成する。その後、保護膜を有する状態で、ベース絶縁膜に金属薄膜の金属元素をすべて拡散することによって、酸化シリコン膜上に、酸化シリコン膜より厚く、かつ、酸化シリコンより誘電率が高く、ベース絶縁膜のハフニウムおよび酸素と、金属薄膜の金属元素とを含む混合膜(高誘電率膜)を形成する。
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半導体装置およびその製造方法、並びにMOS型電界効果トランジスタおよびその製造方法
【課題】III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置では、III族窒化物系化合物半導体3の表面上に、Alを組成に含みスピネル構造をもつ酸化物4が形成されている。III族窒化物系化合物半導体3は、例えばGaNからなる。酸化物4は、例えばMgAl2O4、MnAl2O4、CoAl2O4、NiAl2O4からなる。
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不揮発性半導体記憶装置の製造方法
【課題】 MONOS構造のブロック絶縁膜として金属酸化膜を用いて不揮発性半導体記憶装置を製造することができ、且つ金属酸化物の物性値に相応した絶縁特性を得ることにより、電荷保持特性及び書込み/消去特性の向上をはかる。
【解決手段】 半導体基板101上に、トンネル絶縁膜105,電荷蓄積層106,金属酸化物を含有するブロック絶縁膜107,及び制御ゲート電極108を積層して構成されるMONOS型の不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、半導体基板101上に、トンネル絶縁膜105,電荷蓄積層106,及びブロック絶縁膜107を積層形成した後、酸化性ガスを含む雰囲気下で熱処理を施し、次いでブロック絶縁膜107上に制御ゲート電極108を形成する。
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半導体基板、半導体装置およびその製造方法
【課題】 (111)表面のシリコン(Si)基板に、原子レベルで超平坦な表面を実現する。
【解決手段】 シリコン基板(111)表面を、予め、フッ化アンモニウム(NH4F)溶液で表面処理した後、濃度68%,沸点120.7℃の共沸硝酸溶液内に浸漬して、前記シリコン基板表面に二酸化シリコン(SiO2)主体の被膜を形成し、ついで、濃度40重量%のフッ化アンモニウム(NH4F)溶液で上記二酸化シリコン(SiO2)主体の被膜をエッチング除去する。AFM像では、バイレイヤー ステップが観測され、表面粗さの指標(RMSラフネス値)が0.07nmと判定され、原子レベルでの超平坦な表面が形成できた。
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