【課題】 シリコン窒化膜などの面内均一性の向上、ステップカバレッジの向上及びＩ−Ｖ耐圧特性などの膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を積層形成することができる単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法を提供する。
【解決手段】 反応容器２内にシランガスとアンモニアガスを含む混合ガスを原料ガスとして矩形パルス状に導入し、触媒体８により原料ガスを接触熱分解して基板５にシリコン窒化膜を成膜する成膜工程と、アンモニアガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す一の表面処理工程と、水素ガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す他の表面処理工程とを１サイクルとして、この一サイクルの工程を繰り返して単位層ごとにポスト処理した薄膜を積層する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体の製造し、光電変換効率に優れる太陽電池、燃料電池を提供すること。
【解決手段】半導体材料２２の表面２３にレーザー光２４を照射することで、表面２３に二酸化チタンの層が形成されるとともに、ナノオーダーの酸化膜が成長して半導体２１の薄膜が完成する。前記半導体材料は純チタン又はチタンをコーティングした材料である。シリコンや化合物、さらには電解溶液や色素ゲルを使用することなく、従来と全く異なる方法で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート構造にＩＦＩ構造が含まれるＭＦＳ型メモリの強誘電体ゲート電界効果トランジスタにおいて、強誘電体膜の強誘電体特性及びトランジスタの電気特性の劣化を防止する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に少なくともＨｆＳｉＯＮ膜２、強誘電体膜３及びＨｆＳｉＯＮ膜４が、この順で積層されたゲート構造を有しており、ＨｆＳｉＯＮ膜２及びＨｆＳｉＯＮ膜４は、強誘電体膜３を加熱処理によって形成する焼成温度で非晶質である。 （もっと読む）

【課題】気化器やマスフローメータ等の高価な設備を用いず、無駄になる液体の量を少なくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】制御機構４０は、原料貯留容器２０を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止して原料貯留容器２０を密閉状態とし、原料貯留容器２０内の真空圧により、原料貯留容器２０内を液体原料が気化して形成された処理ガスの雰囲気とし、チャンバ２内に被処理基板Ｗを収容させた状態で、チャンバ２を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止してチャンバ２内を密閉状態とし、次いで開閉バルブ２３を開成し、原料貯留容器２０から処理ガスをチャンバ２に流入させ、チャンバ２内が真空圧よりも高く、液体原料の蒸気圧よりも低い処理圧になった時点で開閉バルブ２３を閉成し、処理圧の処理ガス雰囲気とするように制御する。 （もっと読む）

シリコンから成る太陽電池のための基板（１３）を処理する方法において、複数回のエッチング後に、脱イオン水で該基板を洗浄する（１８）。その後、複数の乾燥場（２２，２５）内で該基板（１３を加熱乾燥する。その後に、酸化場（３０）内で、或る量のオゾンを有する酸化ガス（３４）により該加熱された基板（１３）を酸化する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の優れた絶縁膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法の一形態は、絶縁膜が形成された基板を真空容器内に搬入する工程と、上記真空容器内に供給された処理ガスに３００ＭＨｚ以上２５００ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、上記プラズマにより、上記絶縁膜を改質する工程と、を含むプラズマ処理方法であって、上記処理ガスは、希ガスと酸素を含む混合ガス、または希ガスと窒素を含む混合ガスであり、上記プラズマは、上記処理ガスが希ガスと酸素を含む混合ガスの場合、上記酸素ガスの流量を１〜１０００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして、上記処理ガスが希ガスと窒素を含むガスの場合、窒素ガスの流量を１０〜５００ｓｃｃｍ、上記希ガスの流量を２００〜３０００ｓｃｃｍとして生成される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体薄膜の信頼性評価において、絶縁破壊の確率過程にシリコンウェーハ表面の品質状態を数理統計的に組み込ませる。
【解決手段】 シリコンウェーハ上に形成した絶縁体薄膜をモンテカルロ法によりコンピュータシミュレーションする絶縁破壊寿命シミュレーション方法は、絶縁破壊の測定条件を設定するステップ、ウェーハ表面欠陥の分布および欠陥サイズを設定するステップ、絶縁体薄膜をセルにメッシュ分割し上記表面欠陥をセルにくり込むステップ、絶縁体薄膜の絶縁破壊に至る時間の基準尺度を算出するステップ、シリコンウェーハ上に設定する全キャパシタに亘りそれ等の絶縁体薄膜の絶縁破壊の確率過程をモンテカルロ法によりコンピュータシミュレーションするステップ、全キャパシタの絶縁破壊について統計処理するステップ、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度の昇降を効率化することが可能な成膜装置、成膜方法を提供する。
【解決手段】開示される成膜装置は、基板を放射加熱する加熱部７と、成膜装置の容器内に回転可能に設けたサセプタ２と、サセプタ２の一の面に設けた基板載置領域２４と、一の面に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部３１と、第１反応ガス供給部３１と離間し、一の面に第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部３２と、第１反応ガスが供給される第１処理領域Ｐ１と第２反応ガスが供給される第２処理領域Ｐ２との間に位置する分離領域Ｄと、容器の中央に位置し、一の面に沿って第１分離ガスを吐出する吐出孔を有する中央領域Ｃと、排気口６２とを備える。分離領域Ｄは、第２分離ガスを供給する分離ガス供給部４１と、第２分離ガスが回転方向に対し両方向に流れる狭隘な空間をサセプタ２上に形成する天井面とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＡとＨ₂Ｏを原料に用いてＡｌ₂Ｏ₃膜をゲート絶縁膜としてＳｉＣ基板上に形成する方法よりも、より移動度の高いＭＯＳ構造を形成可能な製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＥＡと酸素ガスとを原料としてＣＶＤ法等の気相成長法の適用により、炭化珪素基板の表面上に酸化アルミニュームの膜を堆積する。この酸化アルミニュームの膜を、炭化珪素を基板とするＭＯＳＦＥＴ等のゲート酸化膜として用いる。その際に、好ましくは、酸素分圧を例えば５Ｐａ以上に設定すると共に、基板温度を例えば３２０℃以下と言う様により低温に設定する。本願発明者らは、酸素原料の内で、酸素ガスが、炭化珪素表面の酸化速度を最小化することを、実験を通じて知見した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は被処理体が載置される載置部材に酸化物が堆積しても、ある程度の量となるまで問題を生じることなく使用できる成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 載置台１２ａのカバープレート６２上にウェハＷを載置する。カバープレート６２はウェハＷが載置されたときにウェハＷの外周に沿って延在する環状の溝よりなる凹部６２ａを有する。凹部６２ａの内周は載置領域の外周と同じ、又は外周より小さい。また、カバープレート６２の載置領域の外側部分を覆うガイドリング６４が設けられ、ガイドリング６４の内周は、カバープレート６２の凹部６２ａの外周と同じか、外周より小さい。 （もっと読む）