【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、また互いに反応する複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板へのガス流を一定化して面内及び面間において膜厚が均一及び膜質が均質且つ良好な薄膜を得ること。
【解決手段】夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板表面上に半導体素子構造を形成した後に、基板を裏面側から研削した場合に生じる基板の反りを防止でき、容易にダイシング処理を行うことができ、高集積でパッケージングされる半導体素子として好適な厚みの薄い半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１表面上に形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造内に形成され、基板１を裏面側から研削することにより発生する前記基板１を反らせるストレスを補償する補償ストレス膜６とを備えている半導体素子とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の荒れを抑制して基板を処理できる工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に、表面に２ｎｍ以下の酸化膜が形成されている基板を搬入する工程（ステップ３０２）と、その後、処理室内でＮ_２Ｏガスによりパージを行う工程（ステップ３０５）と、その後、処理室内で基板を処理する工程（ステップ３０６）と、その後、処理室内から基板を搬出する工程（ステップ３０９）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＯ_２膜中への窒素のドープ速度を高める
【解決手段】 反応容器内に設けられた処理室内に基板を搬入する工程と、反応容器内に設けられたガス滞留室内にガスを供給して滞留させ、滞留させたガスを処理室内に供給して基板を処理する工程と、処理済みの基板を処理室内より搬出する工程と、を有し、基板を処理する工程では、複数個の孔が面内に分散するように設けられた複数枚の邪魔板をガス滞留室内のガス流路上に所定の間隔をあけて水平姿勢で積層し、隣接する邪魔板同士の孔が互いに重なり合わないように各邪魔板をそれぞれ配置してガスを分解される温度で滞留させる。 （もっと読む）

【課題】１バッチで製造される複数のウェハを１つの組成の洗浄液で洗浄したときに、全てのウェハの表面粗さを後工程に影響を及ぼさないレベルにすることが可能なアニールウェハの製造方法の提供。
【解決手段】ウェハ搬送部４のアンロードの開始に伴いプロセスチューブ２６に外部の空気を導入し、ボート４３４が減速位置に到達したときにウェハ搬送部４を減速させるため、定速アンロード方法よりもボトムウェハＷｂの酸素含有気体中加熱時間を長くでき、全ウェハＷの酸化膜厚を２．４ｎｍ以上にすることができる。一時的に減速するだけなので、酸化膜厚を２．４ｎｍにするための時間を減速アンロード方法よりも短くすることができる。１バッチで製造されたウェハを１つの組成のＳＣ−１洗浄液で洗浄したときに、全ウェハの表面粗さを後工程に影響を及ぼさないレベルにでき、このようなウェハＷの製造時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板に形成されたＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置において、ソース領域及びドレイン領域におけるＰＮ接合領域を低減する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタにおいて、ＬＯＣＯＳ酸化膜７のバーズビーク下のシリコン層であってゲート電極１７から所定範囲内に位置する第１バーズビーク下シリコン層２１はチャネル領域と同じ導電型で形成されている。ＬＯＣＯＳ酸化膜７のバーズビーク下のシリコン層であってソース領域９及びドレイン領域１１と接し、かつ第１バーズビーク下シリコン層２１を除く位置の第２バーズビーク下シリコン層５はソース領域９及びドレイン領域１１と同じ導電型でソース領域９及びドレイン領域１１よりも薄い不純物濃度で形成されている。 （もっと読む）

【課題】低い等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および低い漏洩電流を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを提供する。
【解決手段】低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。好ましくは、下部電極を形成するためにＴｉＮが用いられる。キャパシタのＳｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層でのＳｒ／Ｔｉ比率は、キャパシタの電気的特性を調整するために変化できる。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層の誘電率および漏洩電流は、このＳｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３誘電体層のＳｒ含有量とともに単調に減少する。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 （もっと読む）

【課題】膜厚が薄い場合や導入物質の濃度が低い場合であっても、導入物質を導入することのできる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板１上に薄膜２を形成する工程と、薄膜２に、導入物質のガスクラスターをイオン化して加速したガスクラスターイオンビーム３を照射して薄膜中２に導入物質を導入する工程とを具備し、基板１上に導入物質が導入された薄膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜するに際して、ターゲットＴの表面から基板Ｂ側に２〜３ｃｍ離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１０Ｖ以内に調整して、成膜を行う。ターゲットＴの表面から基板２０側に２〜３ｃｍ離れた位置におけるガス圧力の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１．５％以内に調整して、成膜を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの混合を十分に低減して適切な分子層堆積を実現すると共に、スループットを向上し得る成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、気密可能な円筒状の容器２１内に設けられ、開口部を有し、容器の中心軸に沿った第１の方向に一の間隔で配列される複数の第１板状部材２３ｂと、第１の方向に一の間隔で配列され、複数の第１板状部材２３ｂが有する開口部の内側を往復運動可能な複数の第２板状部材２４ｂとを備える。複数の第１板状部材２３ｂのうち第１の一対の第１板状部材２３ｂにより、容器の内周面に向かう第２の方向に第１のガスが流れる第１の流路が画成され、複数の第１板状部材２３ｂのうち第２の一対の第１板状部材２３ｂにより、第２の方向に第２のガスが流れる第２の流路が画成され、複数の第２板状部材２４ｂのうち一対の第２板状部材２４ｂの間に基板が保持される。 （もっと読む）