【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、ＡＬＤ装置内で、ゲート絶縁膜の成長温度に比べ高い温度で熱処理を実施し、前記ＧａＮ系半導体層の表面のフッ素を除去する工程Ｓ２０と、前記フッ素を除去する工程Ｓ２０の後、前記ＡＬＤ装置内で、前記ＧａＮ系半導体層の表面に前記ゲート絶縁膜を形成する工程Ｓ１６と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合でもＳＢＤやＳＩＬＣが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＳＩＬＣ、ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が得られる絶縁膜、それを用いた半導体素子、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】主として半導体材料で構成された半導体基板２に接触して設けられ、シリコン、酸素原子、および、これらの原子以外の少なくとも１種の原子Ｘを含有する絶縁性無機材料を主材料として構成され、水素原子を含むゲート絶縁膜３であって、その厚さ方向の少なくとも一部において、前記原子Ｘの総濃度をＡとし、前記水素原子の濃度をＢとしたとき、Ｂ／Ａが１０以下なる関係を満足する領域を有している。これにより、薄膜化した場合でもＳＢＤやＳＩＬＣが生じ難く、高い絶縁破壊耐性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。本半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高品質のＭＯＳ構造に応用可能な、ＳｉＣ材料の表面にその酸化膜であるＳｉＯ_２膜が形成されてなる半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ材料の表面にその酸化膜であるＳｉＯ_２膜が形成されてなる半導体装置は、ＳｉＣ材料の表面にソフトブレークダウン特性を示すＳｉＯ_２膜を形成し、得られたＳｉＯ_２膜のソフトブレークダウン特性を改善することにより製造する。具体的には、ＳｉＣからあらかじめ形成した熱酸化膜を、比較的高温で酸化種濃度が低い条件で熱処理した酸化膜、あるいは比較的高温で酸化種濃度の低い条件でＳｉＣ上に形成した酸化膜を、実質的にＳｉＣで酸化が進行しない温度で酸化種濃度の高い条件下で熱処理すればよい。 （もっと読む）

ビスアミノシラシクロブタンと、窒素供給ガス、酸素供給ガスおよびこれらの混合物から選択した原料ガスとの反応ガス混合物の熱重合によるシリコン含有薄膜の生成方法。堆積膜は窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、二酸化ケイ素または炭素ドープ二酸化ケイ素であってもよい。これら膜は、半導体デバイスにおける誘電体、不動態化膜、バリア膜、スペーサ、ライナおよび／またはストレッサとして有用である。
（もっと読む）

【課題】低い比誘電率と高い機械的強度とを併せ持つ多孔質材料を製造でき、かつ保存安定性にすぐれる組成物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物の加水分解物と、一般式（１）で表されるシロキサン化合物の加水分解物と、界面活性剤と、電気陰性度が２．５以下の元素と、を含む組成物。
（もっと読む）

【課題】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。
【解決手段】ｈｉｇｈ−Ｋ誘電体上に金属ゲートを蒸着することによりＭＯＳＦＥＴの製造においてｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法は、熱アニーリングモジュール内で、その上にｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜が蒸着された基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ基板を用いた絶縁ゲート型の半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜の絶縁耐圧を十分に確保することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によって、ＣＺ基板６の表面に水素が含有されたゲート酸化膜１０を形成する工程と、ゲート酸化膜１０を熱処理する工程を備えている。ゲート酸化膜１０を熱処理することによって、ゲート酸化膜１０内の水素と、ゲート酸化膜１０とＣＺ基板６の界面近傍のＣＺ基板６内に存在する酸素析出欠陥との間で還元反応が生じる。これによって、ＣＺ基板６内の酸素が除去され、ゲート酸化膜１０の絶縁耐圧を十分に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 凹凸を有する基板での埋め込みに優れる、塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物、それより得られる塗布型無機シリカ系被膜、及びその塗布型無機シリカ系被膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】 テトラアルコキシシランを加水分解する際に用いる触媒がマレイン酸であり、得られるシロキサン樹脂の溶液中での重量平均分子量が５００〜３０００である塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）