【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 膜中に実質的に水素を含まず、絶縁性が高く良質な酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、処理容器内の圧力を０．１Ｐａ以上６．７Ｐａ以下の範囲内に設定し、ＳｉＣｌ_４ガスまたはＳｉ_２Ｈ_６ガスと酸素含有ガスとを含む処理ガスを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより、０．５％希フッ酸溶液によるエッチングレートが、０．１１ｎｍ／秒以下である緻密で絶縁性に優れ、高品質な酸化珪素膜（ＳｉＯ_２膜、ＳｉＯＮ膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリといった半導体装置の特性変動を抑えられるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、前記シリコン窒化膜が形成された前記基板に対して酸化処理を施す酸化工程と、を含み、前記酸化工程では、前記シリコン窒化膜が形成された前記基板を収容したチャンバ内の圧力を大気圧よりも低くした状態で前記チャンバ内に酸素含有ガス及び水素含有ガスを供給し、前記シリコン窒化膜の表面からその反対側の前記基板との界面にかけて前記シリコン窒化膜の全体を酸化して前記シリコン窒化膜の全体をシリコン酸化膜に変換する。 （もっと読む）

【課題】低閾値動作が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体領域２と、半導体領域に離間して形成されたソースおよびドレイン領域１２ａ、１２ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体領域上に形成され、シリコンと酸素を含む第１絶縁膜４と、第１絶縁膜上に形成され、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１つの物質と酸素を含む第２絶縁膜８と、第２絶縁膜上に形成されたゲート電極１０と、を備え、第１絶縁膜と第２絶縁膜との界面を含む界面領域７に、Ｂｅ、Ｂから選ばれた少なくとも１つの第１添加物質が導入されており、第１添加物質の面密度が、界面領域内の第１絶縁膜側においてピークを有している。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、また互いに反応する複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板へのガス流を一定化して面内及び面間において膜厚が均一及び膜質が均質且つ良好な薄膜を得ること。
【解決手段】夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板表面上に半導体素子構造を形成した後に、基板を裏面側から研削した場合に生じる基板の反りを防止でき、容易にダイシング処理を行うことができ、高集積でパッケージングされる半導体素子として好適な厚みの薄い半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１表面上に形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造内に形成され、基板１を裏面側から研削することにより発生する前記基板１を反らせるストレスを補償する補償ストレス膜６とを備えている半導体素子とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の荒れを抑制して基板を処理できる工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に、表面に２ｎｍ以下の酸化膜が形成されている基板を搬入する工程（ステップ３０２）と、その後、処理室内でＮ_２Ｏガスによりパージを行う工程（ステップ３０５）と、その後、処理室内で基板を処理する工程（ステップ３０６）と、その後、処理室内から基板を搬出する工程（ステップ３０９）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低温で良好な絶縁膜であるシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】シリコン基板１上にトレンチ１ａ、１ｂを形成し、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶かした塗布剤を塗布して塗布膜を形成する。塗布膜に含まれる有機溶媒を気化させてポリマー膜を形成する。ポリマー膜に９０℃以下の温度で紫外線を照射し、そのポリマー膜を５０℃以上８０℃未満の温度の純水または水溶液中に浸漬することによってシリコン酸化膜３に転換する。 （もっと読む）

【課題】ナノスコーピックチップを用いてインクが基板に移される高解像直接パターニング技術の改良。
【解決手段】 本発明は、ディップペン・ナノリソグラフィを用いて、ブロックコポリマーおよび無機前駆体を有する溶液を基板上に付着させる段階を含む、基板上に有機／無機複合ナノ構造を製造する方法を含む。ナノ構造は、1ミクロン未満の幅／直径を有するラインおよび／またはドットのアレイを含む。本発明は、高さ以外のナノスケール直径を有する無機／有機複合ナノスケール領域を含む装置を含む。 （もっと読む）

【課題】電子部品の誘電材料として機能し得るセラミック酸化物材料を形成するプロセスにおいて、周囲の部品を劣化させるような温度を用いることなく、高い誘電率および低い誘電正接を有する材料を得ることができるプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明のプロセスは、少なくとも１つのパイロクロール結晶相を含む鉛ベースのセラミック酸化物誘電材料を形成するプロセスであって、ａ）該鉛ベースのセラミック酸化物材料の少なくとも１つの非晶層を基板上に堆積させる工程と；ｂ）５５０℃を超えない温度で該非晶層に施され、それにより、少なくとも１つのパイロクロール結晶相を含む鉛ベースのセラミック酸化物誘電材料が得られる、結晶化アニール工程と；を含む。 （もっと読む）