国際特許分類[H01L21/316]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層, (4,431) | 酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
国際特許分類[H01L21/316]に分類される特許
971 - 980 / 3,052
組成物及びその製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜
【課題】低い比誘電率と高い機械的強度とを併せ持つ多孔質材料を製造でき、かつ保存安定性にすぐれる組成物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物の加水分解物と、一般式(1)で表されるシロキサン化合物の加水分解物と、界面活性剤と、電気陰性度が2.5以下の元素と、を含む組成物。
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high−K誘電膜上に金属ゲートを蒸着する方法及び、high−K誘電膜と金属ゲートとの界面を向上させる方法、並びに、基板処理システム
【課題】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)において、本発明の目的は、high−K誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。
【解決手段】high−K誘電体上に金属ゲートを蒸着することによりMOSFETの製造においてhigh−K誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法は、熱アニーリングモジュール内で、その上にhigh−K誘電膜が蒸着された基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする。
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半導体装置の製造方法
【課題】 CZ基板を用いた絶縁ゲート型の半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜の絶縁耐圧を十分に確保することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマCVD法によって、CZ基板6の表面に水素が含有されたゲート酸化膜10を形成する工程と、ゲート酸化膜10を熱処理する工程を備えている。ゲート酸化膜10を熱処理することによって、ゲート酸化膜10内の水素と、ゲート酸化膜10とCZ基板6の界面近傍のCZ基板6内に存在する酸素析出欠陥との間で還元反応が生じる。これによって、CZ基板6内の酸素が除去され、ゲート酸化膜10の絶縁耐圧を十分に確保することができる。
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塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物、この組成物を用いた塗布型無機シリカ系被膜、及び、この被膜を有する電子部品
【課題】 凹凸を有する基板での埋め込みに優れる、塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物、それより得られる塗布型無機シリカ系被膜、及びその塗布型無機シリカ系被膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】 テトラアルコキシシランを加水分解する際に用いる触媒がマレイン酸であり、得られるシロキサン樹脂の溶液中での重量平均分子量が500〜3000である塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物。
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成膜方法及び成膜装置
【課題】原料ガスを間欠的に供給する際に、安全性を維持しつつ多量の原料ガスを処理容器内へ供給することができ、この結果、成膜レートを向上できるのみならず、膜中における原料ガスに含まれる元素の濃度をコントロールして、例えばこの元素濃度を高くすることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内で被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜方法において、処理容器4内へ原料ガスを、間に間欠期間を挟んで複数回供給して原料ガスを被処理体Wの表面に吸着させる吸着工程と、処理容器4内へ反応ガスを供給して被処理体Wの表面に吸着している原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを交互に複数回繰り返し行うようにする。
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成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
【課題】高品質な成膜が可能な反応性ガスを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順次基板の表面に供給するサイクルを複数回行うことにより、反応生成物を積層させて薄膜を形成する成膜装置において、真空容器内に設けられた回転テーブルと、回転テーブルの同一円周上に、基板を載置するため回転テーブルに設けられた複数の基板載置部と、第1の反応ガス供給手段と、第2の反応ガス供給手段と、第1の反応ガス供給手段と第2の反応ガス供給手段との間に設けられた分離ガス供給手段と、基板載置部に設けられた基板を昇降するための昇降機構とを備え、昇降機構は回転テーブルに対し上下方向に移動すると共に、回転テーブルの半径方向にも移動することを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。
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絶縁性被膜の形成方法および半導体装置の製造方法。
【課題】 化学酸化膜形成法により、厚膜の絶縁被膜形成にも応じることの可能な半導体への絶縁性被膜の形成方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】 酸化性溶液内に、表面に酸化シリコンを含む被膜形成用基材とシリコン又はシリコン含有固体またはシリコンを含む膜で覆われた固体とを浸漬して、前記酸化性溶液の沸点以下の温度で加熱して、前記基材上に稠密な酸化シリコン膜を形成することにより、被処理用シリコン基板1上に厚膜の酸化シリコン膜4を化学的形成法で実現して、絶縁性被膜の形成並びにそれを用いた半導体装置の製造を実用的短時間で達成することができる。
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薄膜堆積のためのニオブおよびバナジウムの有機金属前駆体
【化1】
式Cp(R1)mM(NR22)2(=NR3)(I)の化合物であって:Mはバナジウム(V)またはニオブ(Nb)から独立して選択される金属でありm≦5であり;R1は有機配位子であって、各々がH、1ないし6個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され;R2は有機配位子であって、各々がH、1ないし6個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され;R3はH、1ないし6個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において選択される有機配位子である化合物。
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シリコン酸化膜の形成方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体およびプラズマ酸化処理装置
【課題】 ゲート絶縁膜等の用途に適した、優れた絶縁特性を有するシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ31により処理容器1にマイクロ波を導入するプラズマ酸化処理装置100において、処理ガス中の酸素の割合を0.1%以上10%以下の範囲内、処理容器1内の圧力を1.3Pa以上266.Pa以下の範囲内に設定し、高周波電源44から、ウエハWを載置する載置台2の電極にウエハWの面積当り0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下の範囲内の出力で高周波電力を供給し、ウエハWにRFバイアスを印加しながら、ウエハWのシリコンに対してプラズマ酸化処理を行う。
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半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置
【課題】本発明は、熱酸化処理方法に関し、膜厚均一性の高いゲート酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、モニタウェハM1の裏面と第1の製品ウェハ#2の表面を対向させ、且つ第1の製品ウェハ#2の裏面と第2の製品ウェハ#3の表面を対向させ、且つモニタウェハM1、第1及び第2の製品ウェハ#2、#3それぞれの裏面にシリコン窒化膜23が形成された状態で熱酸化処理装置内に配置し、熱酸化処理装置によってモニタウェハM1、第1及び第2の製品ウェハ#2、#3それぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程を具備することを特徴とする。
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