【課題】ＴＥＡとＨ₂Ｏを原料に用いてＡｌ₂Ｏ₃膜をゲート絶縁膜としてＳｉＣ基板上に形成する方法よりも、より移動度の高いＭＯＳ構造を形成可能な製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＥＡと酸素ガスとを原料としてＣＶＤ法等の気相成長法の適用により、炭化珪素基板の表面上に酸化アルミニュームの膜を堆積する。この酸化アルミニュームの膜を、炭化珪素を基板とするＭＯＳＦＥＴ等のゲート酸化膜として用いる。その際に、好ましくは、酸素分圧を例えば５Ｐａ以上に設定すると共に、基板温度を例えば３２０℃以下と言う様により低温に設定する。本願発明者らは、酸素原料の内で、酸素ガスが、炭化珪素表面の酸化速度を最小化することを、実験を通じて知見した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は被処理体が載置される載置部材に酸化物が堆積しても、ある程度の量となるまで問題を生じることなく使用できる成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 載置台１２ａのカバープレート６２上にウェハＷを載置する。カバープレート６２はウェハＷが載置されたときにウェハＷの外周に沿って延在する環状の溝よりなる凹部６２ａを有する。凹部６２ａの内周は載置領域の外周と同じ、又は外周より小さい。また、カバープレート６２の載置領域の外側部分を覆うガイドリング６４が設けられ、ガイドリング６４の内周は、カバープレート６２の凹部６２ａの外周と同じか、外周より小さい。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体に原料を溶解させた処理媒体を用いてトレンチ内部を埋め込むに際し、トレンチ内部にボイドが残されないように成膜を行う。
【解決手段】切替部３０によって処理媒体供給部１０から処理媒体７０をチャンバ４０に供給することにより基板５０の表面５１側に埋め込み膜６０を形成する成膜工程と、切替部３０によってエッチング媒体供給部２０からエッチング媒体８０を供給することにより溝５３の開口部側に形成された埋め込み膜６０をエッチングするエッチング工程と、を繰り返し行う。これにより、溝５３の開口部側に形成された埋め込み膜６０をエッチング媒体８０によって選択的にエッチングして溝５３の開口部が埋め込み膜６０によって閉塞されることを抑制しつつ、基板５０の表面５１側に成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。
【解決手段】金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、結晶化された金属酸化物層に対して、１０〜３００Ｈｚの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを６０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２とし、最後のパルスの照射フルエンスを１０ｍＪ／ｃｍ^２以下とし、照射フルエンスの減少速度Ｖが−１５０≦Ｖ［ｍＪ／（ｃｍ^２ｍｉｎ）］＜０となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】紫外光を用いた基板処理装置において、成膜の膜厚再現性を向上する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】紫外光を照射する紫外光照射部１１０と、基板を処理する反応室１３０と、材料ガス及びエッチングガスを反応室に供給する供給部と、紫外光照射部と反応室を仕切る窓１２０とを有し、前述の窓は、成膜されている状態である基板処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】薄い絶縁物の分子層で覆われたＳｉ基板表面にＣＶＤ法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。
【解決手段】Ｓｉ基板上への誘電体膜の形成方法は、前記Ｓｉ基板上に第一の金属の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Ｓｉ基板上を前記第一の金属の気相分子化合物により覆う第一の工程と、前記Ｓｉ基板を覆う前記第一の金属の気相分子化合物を酸化雰囲気中で分解し、前記Ｓｉ基板上に前記第一の金属を含む第一の誘電体分子層を形成する第二の工程と、前記Ｓｉ基板上に第二の金属の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Ｓｉ基板上を前記第二の金属の気相分子化合物により覆う第三の工程と、前記Ｓｉ基板を覆う前記第二の金属の気相分子化合物を酸化雰囲気中で分解し、前記第一の誘電体分子層上に前記第二の金属を含む第二の誘電体分子層を形成する第四の工程と、を含む （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜やゲート酸化膜と半導体基板の界面にダメージを与えることなく、界面準位の低減を図る。
【解決手段】シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４にポリシリコン膜８ａとタングステンシリサイド膜８ｂの積層膜からなり、弗素を含んだ弗素含有膜８を形成する。この場合、先ず、シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４上にポリシリコン膜８ａを形成し、ポリシリコン膜８ａ上にＷＦ_６とＳｉＨ_４を原料ガスとしてＬＰＣＶＤ法によりタングステンシリサイド膜８ｂを形成する。この場合、ＷＦ_６中の弗素はＳｉＨ_４中の水素と反応し、大半は弗化水素（ＨＦ）ガスとして排気され、タングステンシリサイド膜８ｂを形成する反応が継続するが、弗素の一部はタングステンシリサイド膜８ｂの中に取り込まれる。その後、タングステンシリサイド膜８ｂの弗素をゲート酸化膜３中に熱拡散させるための熱処理が施される。 （もっと読む）

【課題】良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。
【解決手段】反応空間である反応室上部からシャワーヘッドを介して反応室内に成膜ガスを導入し、加熱基板上で成膜するＣＶＤ装置である薄膜製造装置において、上部の反応空間が回転又は昇降しない基板ステージとシャワーヘッドと防着板とで構成され、防着板と基板ステージとで構成される同心円の隙間をガス排気経路として設け、このガス排気経路の上方から防着板に沿って不活性ガスが流れるように構成し、そしてガス排気経路の２次側に下部空間を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に形成される半導体素子を覆う絶縁膜１１が、埋め込み特性が良好とされる熱ＣＶＤ法等によって形成される。その絶縁膜１１を覆うように、耐湿性に優れているとされるプラズマＣＶＤ法によって絶縁膜１４が形成される。その絶縁膜１１および絶縁膜１４を貫通するようにプラグ１３が形成される。さらに、その絶縁膜１４上に、誘電率が比較的低いＬｏｗ−ｋ膜からなる絶縁膜１６が形成され、その絶縁膜１６に、ダマシン技術によって、プラグ１３に電気的に接続される配線２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。 （もっと読む）