【課題】金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。
【解決手段】金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、結晶化された金属酸化物層に対して、１０〜３００Ｈｚの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを６０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２とし、最後のパルスの照射フルエンスを１０ｍＪ／ｃｍ^２以下とし、照射フルエンスの減少速度Ｖが−１５０≦Ｖ［ｍＪ／（ｃｍ^２ｍｉｎ）］＜０となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】紫外光を用いた基板処理装置において、成膜の膜厚再現性を向上する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】紫外光を照射する紫外光照射部１１０と、基板を処理する反応室１３０と、材料ガス及びエッチングガスを反応室に供給する供給部と、紫外光照射部と反応室を仕切る窓１２０とを有し、前述の窓は、成膜されている状態である基板処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素、および希ガスを含む処理ガスの存在下で、ウエハＷ上に平面アンテナ部材ＳＰＡを介してマイクロ波を照射することにより、酸素と希ガスとを含むプラズマ（ないし窒素と希ガスとを含むプラズマ、または窒素と希ガスと水素を含むプラズマ）を形成する。このプラズマを用いて前記ウエハ表面に酸化膜２（ないし酸窒化膜２ａ）を形成し、必要に応じてポリシリコン等の電極１３を形成して電子デバイス構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。この合金膜１８は、第２溝１１の内面に接する部分のＭｎ濃度が相対的に高く、その表層部分のＭｎ濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】平坦性の良好な絶縁膜を所望の膜厚に精度良く且つ容易に形成可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の凸パターンが配置された半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する第１の工程と、凸パターンの上面に対応した領域の第１の絶縁膜を凸パターンの上面をストッパとして異方性エッチングにより除去し、凸パターンを露出させるとともに第１の絶縁膜からなる凸部を形成する第２の工程と、半導体基板上に、凸パターンおよび第１の絶縁膜からなる凸部を覆うように第２の絶縁膜を堆積する第３の工程と、第１の絶縁膜からなる凸部および該凸部を覆う第２の絶縁膜を少なくとも凸パターン上の第２の絶縁膜の表面高さまでＣＭＰ処理により除去することで平坦化し、凸パターン上に堆積された第２の絶縁膜と、隣接する凸パターン間の領域上に堆積された第１の絶縁膜と、を有する絶縁層を形成する第４の工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの機能層を、液体を少なくとも１つの領域に塗布させることによって、半導体デバイスの表面の少なくとも１つの領域に製造する方法に関する。機能層は層厚ｄ_１を有し、厚さｄ_１の機能層を形成するために必要な前記液体は、層厚ｄ_２を有する。所望の薄いかつ均等な厚さの機能層を再現可能に形成するために、液体を、表面の少なくとも１つの領域に、層厚ｄ_３で、但し、ｄ_３＞ｄ_２であって、余分に塗布すること、および、続いて、半導体デバイスが並進運動されるか、または動かないように設けられているときに、余分な液体を、液層が厚さｄ_２またはほぼ厚さｄ_２を有する程度に、非接触で除去することが提案される。 （もっと読む）

【課題】ステップ構造を維持し、原子レベルで平坦なシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、準備したシリコンウェーハに表面平坦化のための熱処理を行い、ステップ構造を形成する工程と、前記平坦化熱処理されステップ構造が形成されたシリコンウェーハの表面上に１〜２ｎｍの熱酸化膜を形成する工程とを有し、前記平坦化熱処理の工程後に連続して前記熱酸化膜を形成する工程が行われることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

原子層を基板（６）の表面（４）に堆積させるための装置（２）。装置（２）は前駆体注入ヘッド（１０）を含み、前駆体注入ヘッド（１０）は前駆体供給部（１２）と、使用時に前駆体注入ヘッド（１０）と基板表面（４）とに界接する堆積空間（１４）とを備える。前駆体注入ヘッド（１０）は、基板表面（４）に接触させる前駆体ガスを前駆体供給部（１２）から堆積空間（１４）に注入するように構成される。装置（２）は、堆積空間（１４）と基板（６）との間の相対運動を基板表面（４）の平面で行うように構成される。装置（２）には、注入された前駆体ガスを基板表面（４）に隣接した堆積空間（１４）に閉じ込めるように構成された閉じ込め構造（２６）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 前駆体造成物、薄膜形成方法、これを利用したゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造に利用されることができる薄膜形成用造成物、薄膜形成方法、ゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法において、薄膜造成方法は、前駆体と電子供与化合物を接触させて安定化された前駆体を基板上に提供した後（Ｓ２０）、前駆体と結合を形成できる反応物質を基板上に導入して、薄膜を形成する（Ｓ３０）。電子供与化合物によって安定化された前駆体は、熱的安定性が優秀で、ステップカバレッジが優秀な薄膜を形成することができる。半導体製造工程の安全性、効率性及び信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）