【課題】シートフィルムに担持させた薄膜を基板に転写することで基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基板や薄膜を損傷させることなく、また大量処理に適した技術を提供する。
【解決手段】薄膜Ｒを担持させたＰＶＤＦ樹脂シートフィルムＦをウエハＷに密着させてなるワークＷＫを複数枚、ＤＭＡまたはＤＭＦ溶剤Ｌ３を貯留する溶剤槽３に浸漬することでシートフィルムＦのみを溶解させる。その後、アセトンによるリンス処理、純水による洗浄処理および乾燥処理を行うことで、表面に薄膜Ｒが形成されたウエハＷを得る。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリ素子向けの絶縁膜形成において、リーク電流密度を低減でき、デバイス特性及び信頼性を向上させることができる金属酸化物絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩの圧縮応力を減少し、チャネル方向とチャネル幅方向の応力を印加することにより、駆動能力を増大したＣＭＯＳ半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＮＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ１、ＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２を画定する素子分離溝ＳＴと、素子分離溝の下部のみを埋め、その上に凹部を画定する酸化シリコン膜ＯＸと、ＮＭＯＳＦＥＴ領域ＡＲ１に形成されたＮＭＯＳＦＥＴと、ＰＭＯＳＦＥＴ領域ＡＲ２に形成されたＰＭＯＳＦＥＴと、ＮＭＯＳＦＥＴ構造を覆い、ＮＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ１の周囲における凹部上及びＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２のゲート幅方向外側における凹部上に延在して形成された引張応力膜ＴＳＦと、ＰＭＯＳＦＥＴ構造を覆い、ＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２のチャネル長方向外側における凹部上に延在して形成された圧縮応力膜ＣＳＦとを有する。 （もっと読む）

【課題】次世代デバイスに求められる低リーク電流及び高キャパシタ容量を実現する高誘電体容量の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板の上に、ＴｉＡｌＮを含む第１の電極膜３０と、酸化タンタルを含む主誘電体膜３１とを形成する。第１の電体膜３０と主誘電体膜３１とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第１の電極膜中のアルミニウム（Ａｌ）と主誘電体膜中の酸素（Ｏ）とを反応させて、第１の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜３５を形成する。主誘電体膜と副誘電体膜とを介して第１の電極膜に対向する位置に第２の電極膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】、従来よりも低い誘電率を有する低誘電率材料を提供すること。
【解決手段】オルガノシロキサン骨格を有するポリマーに固形添加剤が分散されてなる低誘電率材料であって、前記低誘電率材料から形成される膜に酸素及び窒素を透過させた場合に、２３±２℃、膜間の圧力差１．０５〜１．２０ａｔｍにおける酸素及び窒素の透過係数(cm³・cm・sec^-1・cm^-2・cmHg^-1)の関係が下記式（１）で表される、低誘電率材料。なお、式中、Ｐ（Ｏ_２）は酸素の透過係数、Ｐ（Ｎ_２）は窒素の透過係数を示す。
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【課題】誘電率を維持しつつ、密着性を向上することができる層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の反応管２内を昇温用ヒータ１２により所定の温度に加熱する。次に、層間絶縁膜が形成された半導体ウエハ１０を収容したウエハボート９を蓋体７上に載置し、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、半導体ウエハ１０を反応室内に収容する。続いて、反応管２を所定の圧力に維持し、半導体ウエハ１０に紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】電位を印加した溶液中の化学物質の測定の際、リーク電流が半導体基板に流れない膜厚のシリコン酸化膜にてゲート絶縁膜が形成され、容易にシランカップリングによるアミノ酸基の導入が行え、かつ溶液と配線間に流れるリーク電流を抑える溶液測定用半導体センサチップを提供する。
【解決手段】本発明の溶液測定用半導体センサチップは、ゲート絶縁膜が露出されたMOSトランジスタからなり、電位の印加された溶液中に浸して化学物質の検出を、MOSトランジスタに流れる電流変化を検出することで行うものであり、半導体基板上に形成されたMOSトランジスタのゲート絶縁膜上に固定された有機単分子層と、MOSトランジスタのソース及びドレインに接続された配線と、有機単分子層部分が露出する開口部を有するパッシベーション膜とを有し、ゲート絶縁膜の最表層がシリコン酸化膜で形成され、このゲート絶縁膜が30nm以上の厚さにて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率膜の誘電率を回復させる方法を記載する。
【解決手段】 複数の孔を持つ多孔質誘電体層を基板上に形成する。その後、複数の孔を添加剤で充填して、塞がれた多孔質誘電体層を得る。最後に、複数の孔から添加剤を除去する。 （もっと読む）

キャッピング層は、汚染からアクティブチャネルを保護するために、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアクティブチャネルの上に堆積してもよい。キャッピング層は、ＴＦＴの性能に影響するかもしれない。キャッピング層があまりに多量の水素、窒素、又は酸素を含んでいるならば、ＴＦＴの閾値電圧、サブスレショルドスロープ、及び移動度に否定的に影響を与えるかもしれない。窒素、酸素、及び水素含有ガスの流速の比率を制御することによって、ＴＦＴの性能が最適化されるかもしれない。更に、電力密度、キャッピング層堆積圧、及び温度も、ＴＦＴ性能を最適化するために制御してもよい。
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【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】冷却可能の支持台４上に支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃを相互に所要の間隔を置いてほぼ垂直に吹き付けると基板表面のみをアニールできる。これと共に、これら高温ガスビーム２ｂ，２ｃと前記基板１の表面とにより画成された高温空間６に、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガス７を供給し、それを熱分解させて活性種を生成させ基板１の表面に吹き付ける。 （もっと読む）