【課題】銅埋め込み配線を主要な配線層とする半導体集積回路装置に於いても、通常、ワイヤボンディング特性を確保するために、最上層配線層をアルミニウム系パッド層とすることが多い。このアルミニウム系パッド層は、一般に、配線層（電源配線、信号配線等の一般相互接続配線）としても使用されている。しかし、このような一般相互接続配線は、配線長が比較的長いためアンテナ効果により、プラズマ処理時にデバイスにダメージが入り易い等のデメリットがある。
【解決手段】本願発明は、メタル多層配線系が、下層の埋め込み型多層配線層と上層の非埋め込み型アルミニウム系パッドメタル層を有する半導体集積回路装置に於いて、前記非埋め込み型アルミニウム系パッドメタル層は、実質的に電源リング配線を有しないものである。 （もっと読む）

【解決手段】 切り分けられたダイまたはウェハのような素子を３次元的に集積する方法および切り分けられたダイまたはウェハのような素子が接続された集積構造。ダイまたはウェハの一方または両方は、その中に形成された半導体デバイスを有する。第１コンタクト構造を有する第１素子は、第２コンタクト構造を有する第２素子に接着される。第１、第２コンタクト構造は、接着の際に露出されることが可能で、また接着の結果、電気的に接続される。接着後にビアがエッチングされるとともに埋め込まれて電気的配線を露出および形成して第１、第２コンタクト構造を接続するとともに、この電気的配線への表面からの電気的なアクセスが可能になる。または、第１、第２コンタクト構造は接着の際に露出されず、接着後にビアがエッチングおよび埋め込みされて第１、第２コンタクト構造が電気的に接続されるとともに接続された第１、第２コンタクト構造への電気的なアクセスが得られる。 （もっと読む）

【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）

【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊が発生しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】集積回路１３と電気的に接続する電極１４が位置する半導体基板１０を用意する。半導体基板の前記第１の面１１とは反対側の第２の面１２において等方性エッチングを行い、第１内壁面を有する第１凹部を形成する。第１凹部内から前記半導体基板を貫通して電極に至り、第２内壁面２２ａを有する第２凹部を形成する。第２の面と第１内壁面によって形成された第１の角部、及び第１内壁面と第２内壁面によって形成された第２の角部を除去するエッチバック処理を行い、第２の面と第２内壁面とを連続する第１内壁面を形成する。角部を除去した後、少なくとも第１内壁面、及び第２内壁面を覆うように、電極とオーバーラップする位置に開口部６５を有する絶縁層３０を形成する。絶縁層を介して第２凹部内に充填され、電極と接続し、かつ第２の面から突出する導電部４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の悪化を防ぎ、耐湿性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１の主表面上の素子領域内に、ドレイン電極２が設けられている。一端がドレイン電極２に接続されたドレイン配線５が主表面上に設けられている。主表面上の素子領域外に、ドレイン配線５とは離間したドレイン電極パッド１２が設けられている。Ａｕメッキ層９が主表面上に設けられ、主表面との間に空隙１０が形成されている。空隙１０はドレイン配線５の一端とドレイン電極２を内包する。硬化されたポリイミド膜１４が空隙１０の開口部１１を閉塞し、ドレイン電極パッド１２を覆うことなく、ドレイン配線５の他端を覆っている。空隙１０の内面に撥液膜１５が設けられている。硬化されたポリイミド膜１４に設けられた開口１６を介してＡｕメッキ層１８により、ドレイン配線５の他端とドレイン電極パッド１２が接続されている。ドレイン配線５の他端はポリイミド膜１４から出ていない。 （もっと読む）

【課題】電極端部への電界集中を抑えるとともに、ゲート電極の変形や、ゲート−フィールドプレート間に生じる容量による特性劣化を抑える。
【解決手段】半導体装置において、第１の基板と、第１の基板表面に形成された素子領域と、素子領域と接続され、第１の基板上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、第１の基板と、第１の面で積層される第２の基板と、第２の基板を貫通し、電極上に配置されるビアホールと、ビアホール内に形成され、電極と接続される金属層と、第２の基板に設けられ、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のいずれかと接続されるフィールドプレート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】所定値以上の厚みを有するパッドを少ない工程数で形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、アルミ層２２を、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１の上方に堆積させる。アルミ層２２上には、アルミ層２４を堆積させる。パッド領域１０２のアルミ層２４の上方に、フォトレジスト７を形成する。フォトレジスト７を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド上層５２を形成するとともに、配線領域１０１のアルミ層２４を除去する。そして、フォトレジスト８を、パッド領域１０２のパッド上層５２を覆い、かつ、配線領域１０１で配線パターンを構成するように形成する。フォトレジスト８を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド下層５１を形成するとともに、配線領域１０１に配線２を形成する。 （もっと読む）