【課題】従来構造のメタルボールグリッドアレイパッケージは、構造上の理由から多ピン化が難しかった。本発明は、容易に多ピン化を可能とすることを目的とする。
【解決手段】ポリイミド８の絶縁フィルムに両面に銅配線２を設けた３層銅箔ポリイミドフィルム配線基板１７を形成し、この３層銅箔ポリイミドフィルム配線基板１７にビア１を介して両面配線接続ができるようにして薄膜の配線パターンを設ける。また、従来のメタル基板に相当する基板は、外部電極の存在する位置に半田バンプ穴１５を設けたメタル基板４を準備し、両者を接着した構造である。その後に半田バンプ穴１５に半田ボール７を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 電解めっき法で形成されたバンプ接点でありながら、高さのばらつきがより抑制されたバンプ接点を有するプローブの製造方法とそれに用いられる回路基板を提供すること。
【解決手段】 プローブを製造するに際し、高さを減少させるべきバンプ接点２ａが成長する貫通孔４ａの近傍に、内部に導電性回路３を露出させたダミー貫通孔４ｃを１以上設けることによって、このダミー貫通孔内に接点材料を析出させ、貫通孔４ａ内への析出量を調節し、バンプ接点２ａの成長を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に付着させるハンダの量が微小であっても、その量のばらつきを防止することができると共に、ハンダによる半導体素子と基板の回路との間の接続不良を防止することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ハンダシート６をダイ５上に載置した後、パンチピン３をハンダシート６に向けて下降させることにより、微小ハンダ粒を打ち抜き、この微小ハンダ粒をダイ５のパンチ穴５ａ内に配置されている押しピン４上に落下させる。その後、ハンダシート６をダイ５上から取り除き、パンチピン３とダイ５との間に基板７を配置する。そして、パンチ穴５ａに配置されている押しピン４を基板７に向けて上昇させることにより、前記微小ハンダ粒を押しピン４で下方から押し上げ、この微小ハンダ粒を基板７の下面に圧接させて付着させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップとパッケージ基台とをフリップチップ接続により接合してなるＣＳＰおよびその製造方法において、チップと基台との隙間に樹脂を充填する工程を不要にでき、生産性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。
【解決手段】たとえば、半導体チップ１０の表面に硬化剤３０ａを塗布した後、その裏面を、フリップチップボンダのホルダ４０によって保持させる。また、パッケージ基台２０の表面には主剤３０ｂを塗布し、ステージ上に固定する。そして、半導体チップ１０とパッケージ基台２０とを位置合わせした後、上記ホルダ４０を降下させながら加圧することにより、両者をフェイス・ダウン接合する。その際に、硬化剤３０ａと主剤３０ｂとを徐々に混合しながら、半導体チップ１０とパッケージ基台２０との間に接着層３０を充填させるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 電子機器、電気機器、通信機器および計測制御機器などの民生機器に用いられる半導体装置に関するものである。
【解決手段】 配線基板１の半導体ディバイス４がマウントされる面とこの面と対面する金属ボール３が配列形成される面を電気的に接続しているビアホールに接続導体２ｂを埋め込み、この接続導体２ｂ直下に金属ボール３を形成する構成を有することにより、半導体装置の十分な放熱が図れると共に、金属ボール３の接合強度を強くでき、信頼性の優れた半導体装置が提供できる。 （もっと読む）

【課題】本発明はリードレス表面実装型でかつ樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法、及びこの半導体装置を製造するために用いるリードフレーム及びその製造方法に関し、実装面積が小さく、コストが低く、かつ小型化を図ることを課題とする。
【解決手段】半導体素子１１と、この半導体素子１１を封止する樹脂パッケージ１２と、この樹脂パッケージ１２の実装側面１６に突出形成された樹脂突起１７８と、この樹脂突起１７に配設された金属膜１３と、前記半導体素子１１上の電極パッド１４と金属膜１３とを電気的に接続するワイヤ１８とを具備した構成とする。 （もっと読む）