【目的】 小型で薄く高周波特性に優れ、熱衝撃に対する信頼性の高いチップパッケージの実装体を提供する。
【構成】 ＬＳＩチップ７がチップキャリア12上にフリップチップ実装され、チップキャリア12の上面には、ＬＳＩチップ７を実装するための端子電極６が形成され、下面には回路基板30に実装するためのコンタクト電極５が形成されている。端子電極６とコンタクト電極５とは、回路的にバイア３及び基板内層配線４によって形成された基板内部導体で接続されている。コンタクト電極５は導電性接着剤によって形成され、コンタクト電極５には、回路基板30に形成された２段突起形状の端子電極31が挿入され電気的に接続される。 （もっと読む）

【目的】ＬＳＩのチップ、ＬＳＩパッケージ間の組立条件および、電気属性を満たす様に組立設計を行う。さらにチップの機能検査を行う検査治具設計、テストパターンデータ生成用データ、ＬＳＩレイアウト用データを自動的に作成する。
【構成】チップデータ入力手段１１、ＬＳＩパッケージデータ入力手段１２で入力したチップとＬＳＩパッケージに対して、外部ピン電気属性指定手段１３によってＬＳＩパッケージの外部ピンの電気属性を指定し、ピンコネ手段で外部ピンとパッドとの接続を指定しながら、組立チェック手段１５で組立工程での組立条件を満たすかチェックし、電気属性チェック手段１６で外部ピンに接続したパッドがその外部ピンの電気属性と接続できるかチェックしながら組立設計を対話的に行う。 （もっと読む）

【目的】折り曲げて使用時にも充分な強度があり、製造コストが安く、かつ製品の歩留りも良い、折り曲げ容易なＴＡＢ用テープを提供すること。
【構成】ポリイミド樹脂製フィルムのベース材１に、ディバイスホール２やスプロケットホール３等とともに折り曲げ用スリット孔４が形成され、かつ表面に半導体チップ６をボンディング用の銅箔製フィンガーリード５が形成されたＴＡＢ用テープにおいて、上記ベース材１に形成の折り曲げ用スリット孔４の箇所とその近傍箇所に、裏面及び／又は表面から可撓性を有するエポキシ樹脂製のソルダーレジスト７を塗付して形成したもの。 （もっと読む）

【目的】 内部リードボンディング集積回路実装技術で利用するための、リードオンチップ式リードフレーム構成を提供すること。
【構成】 集積回路チップ（１１６）上の複数のボンディングパッド（１２６）に直接結合する複数のリードフレーム用ボンディングフィンガ（１２２と１２４）を備えたメインリードフレームから成る、集積回路チップ（１１６）用の多層リードフレーム構造（１１４）。集積回路チップ（１１６）上の複数の第二内部ボンディングパッド（１２６）に直接結合する複数のバスバー用リードフィンガ（１１８と１２０）を備えたバスバーリードフレーム（１２８と１３０）は、メインリードフレーム（１１５）に結合される。バスバー用ボンディングフィンガ（１１８と１２０）をメインリードフレームとメインリードフレーム用ボンディングフィンガとに結合することにより、メインリードフレームとバスバーリードフレームのリードオンチップ構成が可能となる。 （もっと読む）

【目的】 接着剤の高温時における転化、劣化を防止し、ボンディング特性に優れたＴＡＢ用テープ及び従来実装し難かったＴＡＢ用テープのトランスファーモルト実装、ワイヤーボンディング実装を可能にした半導体用接着テープを提供する。
【構成】 絶縁フィルム上に接着剤層及び保護層を設けてなり、該接着剤層の２０℃〜３００℃における硬化後のヤング率が４×１０⁸ ｄｙｎｅ／ｃｍ² 以上を有する半導体用接着テープ。 （もっと読む）

【目的】 設備的にコンパクト化を図ると共に、稼働効率を向上させることにある。
【構成】 ワイヤ（19）が挿通されたキャピラリ（4a）（4b）を有し、そのキャピラリ（4a）（4b）から導出されたワイヤ先端をリードフレーム（2）上のペレット（1）及びリード（8）にボンディングして両者間を接続する二つ以上のボンディングツール（5a）（5b）を、同一リードフレーム（2）に対してペレット配列ピッチに合わせてＸＹテーブル機構（6）上に配置し、各ボンディングツール（5a）（5b）を、共通のＸテーブル機構（10）に取り付ける。一方のボンディングツール（5b）に、そのボンディングツール（5b）をＸ移動させるオフセット機構（20）を付設する。また、最初に位置する一方のボンディングツール（5a）の設置ポジションに、そのポジションで被ボンディングポイントを画像認識し、その画像認識データに基づいて次のポジションに位置する他方のボンディングツール（5a）を動作させるパターン認識手段（21）を配設する。 （もっと読む）

【目的】Pb-Sn 等の酸化し易い金属ワイヤを用いても真球度の高いボールを作製できると共に、ボール作製時の熱がワイヤの長さ方向に伝わらないようにしてバンプ形成時におけるネック切れを低くし、又はボンディング時における低ループ化をなし得るボール形成方法を提供する。
【構成】キャピラリW4のワイヤ挿通路W5の先端導出口W6に略半球形状の凹部W7を形成する。凹部W7から突出する金属ワイヤａ先端を還元ガス雰囲気中にて加熱し、同凹部W7内にて溶融させてボールa2を形成する。溶融状のボールa2はその上側半球面部を凹部W7内面に当接し、且つ下側半球面部には前記当接による表面張力が作用することから、真球状のきれいなボールa2が作製できる。同時に、ボール形成時の熱がワイヤａ長さ方向へ伝わる以前にキャピラリW4に吸収され、組織の粗大化領域a3を短くできる。 （もっと読む）