国際特許分類[H01L21/60]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | サブグループ21/06〜21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立 (13,682) | 動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け (8,787)
国際特許分類[H01L21/60]の下位に属する分類
圧力の適用を含むもの,例.熱圧着結合 (106)
機械振動,例.超音波振動,の適用を含むもの (246)
国際特許分類[H01L21/60]に分類される特許
8,421 - 8,430 / 8,435
配線用基板
【目的】 高周波回路に対応でき、かつフリップチップによりICチップを搭載する場合に、優れた放熱性が得られる配線用基板を得る。
【構成】 シリコン基板2上に複数の導電層からなる配線層7を有し、かつフリップチップ用のバンプ8を有する配線用基板であって、該バンプ8が配線層7の最内層の導電層6に接続している。
(もっと読む)
電子部品の電極とリードとの接合方法
【目的】多品種の半導体チップへの容易な適用とボンダ設備やバンブ材料及びバンブ形成コストの低減を可能とし信頼性の高いTABパッケージを容易に実現する。
【構成】フイルムリ−ドへのバンプ転写をリード7に対して一本づつ熱圧着して行うと同時に、半導体チップの電極と前記バンプ5を転写したフイルムリ−ドの接合をリードに対し一本づつ超音波振動と加熱、加圧を加えてリードを半導体チップの電極に接合する。また、その際に用いるボンディングツール8の構造を加熱部と超音波振動部および加圧部に分離、独立した構造にする。
【効果】低温、低ストレスで信頼性の高い接合を容易に得られる。基板上のバンプ形成の配列がチップ電極と相対させる必要性がなくなり、バンプの配列を格子状に形成でき、半導体チップの品種交換が短時間で容易に実施できる。
(もっと読む)
半導体装置
【目的】 この発明は、LOC構造を有する半導体装置において、より厚みの薄いかつ電気的特性の優れた半導体装置を得ることを目的とする。
【構成】 TABテープ10を使用し、かつ複数の接地パッド2および複数の電源パッド3を半導体チップ1上にそれぞれ一列に配列しその両側に信号パッド4をそれぞれ一列に配列し、接地パッド2および電源パッド3の列に沿って延びるようそれぞれ接地用共用リード6および電源用共用リード7を設け、複数の接地パッドおよび複数の電源パッドがそれぞれ一括して共用リードに直接接続させるようにした。
(もっと読む)
配線基板
【目的】 電子部品例えば半導体チップと配線基板の接続部分における高さを、短絡現象を生じさせることなく十分に確保できるようにして、配線基板の高密度実装、多機能化を促進させる。
【構成】 絶縁性基材1上に導体層をパターニングして配線パターンと共にランド2を形成した後、ランド2以外の部分にソルダーレジスト3を被覆・形成し、このランド2上にめっき等の析出法やスタッドバンプ等を用いて選択的に高融点金属等4を形成する。そして、この高融点金属等4上にめっき等の析出法やDiP、スタッドバンプ等を用いて低融点金属等5を形成して構成する。
(もっと読む)
MOS集積回路装置
TAB実装体
ワイヤボンディング方法
半導体装置の製造方法
フリップチップボンダー装置及び該装置の位置合わせ方法
ボンディング装置およびボンディング方法
8,421 - 8,430 / 8,435
[ Back to top ]