【課題】半導体ウェハの表面に凹凸等が存在した場合でも、その凹凸に良好に追従させることができ、粘着シート貼着面の水浸入、汚染、チップ飛び、チッピング等を防止することができる半導体ウェハダイシング用粘着シート及びこれを用いた半導体ウェハのダイシング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも基材、中間層及び粘着剤層が積層されてなる半導体ウェハダイシング用粘着シートであって、前記中間層は、融点が５０〜１００℃である熱可塑性樹脂によって形成されており、前記基材は、前記中間層より融点が高い半導体ウェハダイシング用粘着シート。 （もっと読む）

【課題】金属窒化膜に隣接する他の膜の特性を劣化させない温度範囲において、金属窒化膜中の塩素原子や酸素原子の残留量を低減し、金属窒化膜の耐酸化性を改善する。
【解決手段】酸素原子、塩素原子及び金属原子を含有する薄膜が形成された基板が搬入される処理室と、処理室内で基板を支持して加熱する基板支持部と、処理室内に窒素原子含有ガス及び水素原子含有ガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気するガス排気部と、処理室内に供給された窒素原子含有ガス及び水素含有ガスを励起させるプラズマ生成部と、基板支持部、ガス供給部及びプラズマ生成部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ハンドリング部材に載置される基板の熱膨張係数と違いすぎる熱膨張係数を有する物質からなるハンドリング部材の使用を避けることができる技術を提供することを目的として、マイクロエレクトロニクス用機能ウェハーのためのハンドリングウェハーを作成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハンドリングウェハーは、厚みを貫通する１つ以上の視認用の透明な窓を含んでおり、このハンドリングウェハーを作成する方法は、ａ）ハンドリングウェハーに少なくとも１つの空洞部を形成するステップと、ｂ）位置合わせ表面又は受け取り表面上であって、かつ形成された少なくとも１つの空洞部中に、少なくとも１つの視認用窓を形成するステップと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】例え基板が薄い場合にも安全に保持して搬送でき、しかも、所有する所定の装置の標準加工サイズの基板だけではなく、標準加工サイズ以下の大きさの基板をも所定の装置にセットして加工できる基板用のサイズ調整治具を提供する。
【解決手段】所有する所定の装置の標準加工サイズの半導体ウェーハ以下のサイズの半導体ウェーハＷを着脱自在に保持する治具で、標準加工サイズの半導体ウェーハと同一の大きさで屈曲可能な支持基板１と、支持基板１の表面に粘着される両面粘着層２と、両面粘着層２の表面に粘着されて半導体ウェーハＷに粘着する自己粘着層３とを備える。自己粘着層３上に半導体ウェーハＷの全面を粘着保持するので、半導体ウェーハＷの周縁部をピンセット形の器具で保持する必要がなく、例え半導体ウェーハＷが薄化されている場合でも、半導体ウェーハＷが割れたり、欠けたりするおそれを払拭できる。 （もっと読む）

【課題】外縁に沿って凸部が形成された半導体ウエハに割れ等の損傷が生じることを防止しつつ接着シートを剥離することができるようにすること。
【解決手段】半導体ウエハＷは、一方の面に接着シートＳが貼付され、外縁側の厚みをそれ以外の領域の厚みより大きくすることで当該外縁に沿って形成される凸部Ｗ２を他方の面に備えている。シート剥離装置１０は、剥離用テープＰＴを繰り出す繰出手段１２と、半導体ウエハＷに貼付された接着シートＳに剥離用テープＰＴを貼付する貼付手段１４と、剥離用テープＰＴとウエハＷとを相対移動させることで接着シートＳを剥離する単軸ロボット１６と、剥離中に折り返される接着シートＳを半導体ウエハＷ側に押圧可能な押え手段１８とを備えて構成されている。押え手段１８は、接着シートＳの弾性復元力によって半導体ウエハＷが押圧される押圧力を剥離部位に応じて制御可能な直動モータ４３を備えている。 （もっと読む）

【課題】気相成長中に基板の回転を防止することを目的とする。
【解決手段】ホルダ２に規制治具１０が設置される規制治具設置部１１を設け、規制治具１０および規制治具設置部１１の底面に基板４方向が低くなる傾斜１２を設けることにより、基板４が外側に広がるときには規制治具１０が傾斜１２を上って基板４にかかる力を緩和し、基板４と規制治具１０に隙間が生じるような動きをするときには規制治具１０が傾斜１２を下って基板４を規制することにより、基板４の破損を抑制しながら基板４の回転を防止することができる。 （もっと読む）

【目的】縦型炉で処理されるウェーハを保持する縦型ウェーハホルダに於いて、パーティクルの発生を抑止し、パーティクルによるウェーハ汚染を防止する。
【構成】ウェーハ１２を保持して縦型炉内に装入される縦型ウェーハホルダ２０を全体に亘り開放構造とし、下部所要範囲に断熱板１４を装填することで、ウェーハ処理後に行われるガスチャージが完全に行われる様にし、パーティクルの原因となる反応ガスの残留を防止する。 （もっと読む）

【課題】SiC単結晶をエピタキシャル成長させて薄膜を作製する炭化珪素単結晶成膜装置において、サセプタの座ぐりの底部表面に堆積するSiC堆積物による座ぐり底面とSiC単結晶基板裏面との間に生じる隙間を防止し、均一な特性のSiCエピタキシャル膜が形成できるサセプタを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を載置するサセプタ７に、炭化珪素単結晶基板を載置する座ぐり底面１０ａと、収容した基板の周縁を取り囲む周囲側壁と、周囲側壁に沿ってサセプタの厚み方向に掘り込まれたリング状の溝１１とを備え、炭化珪素単結晶基板の直径ｘ、座ぐり底面の直径ｙ、及び溝幅ｚとの関係がｙ＋ｚ＜ｘ＜ｙ＋２ｚであって、かつ、０（mm）＜ｚ≦４（mm）を満たす座ぐり１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理用基板載置台、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】気密に構成された処理室内で被処理基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、該載置台において前記被処理基板を囲むように配される円環状部品と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体と、処理ガスを排気する排気プレートと、前記処理室の外部に設けられ該処理室内に磁場を生成する磁場発生装置とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理室内の構成部材に該処理室内に生成される磁場強度及び／又は磁力線形状を制御する磁場制御手段を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料の一部が浮いたように変形したウエハであっても、試料移動時の試料変形に効果的に抑制する試料保持装置、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料を第１の高さにて支持する複数の支持台を備えた試料保持装置において、前記試料が配置されていない状態で、前記第１の高さより高い第２の高さに、その先端が位置する接触体と、当該接触体を上下移動可能に支持するガイドと、当該ガイドに支持された前記接触体の先端が、前記第２の高さより下方に移動したときに、前記接触体を上方に押圧する押圧部材を備えた試料保持装置、及び当該試料保持装置を備えた荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）