【課題】シンプルな構成で極薄ワークに対してもダイシングテープなどの貼付け部材の貼付けを良好に行い得るようにする。
【解決手段】真空雰囲気の形成及び大気開放が可能な気密室に、シート状、フィルム状、テープ状のいずれか一つの貼付け部材１３０と被貼付け部材２００とを、微小間隙を介して対向させた状態で、この気密室を貼付け部材１３０を介して互いに独立した２室Ｃ１，Ｃ２に分離する。前記２室のうちの被貼付け部材２００が配置される第１の室Ｃ２を減圧した状態で、もう一方の第２の室Ｃ１の圧力を、第１室Ｃ２より圧力を高くする。これら２室の圧力差より、貼付け部材１３０を、被貼付け部材２００側に押し付けて貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】例え半導体ウェーハが直径４５０ｍｍ以上のサイズの場合でも保持フレームから保持層が剥がれるのを防ぎ、保持フレームの大型化や重量増大、周辺装置の重厚長大化を抑制できる半導体ウェーハの保持治具を提供する。
【解決手段】φ４５０ｍｍの半導体ウェーハＷを包囲する保持フレーム１の中空部２を自己粘着性の保持層１０により被覆し、保持層１０の表面に半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持させる保持治具で、保持フレーム１の裏面周方向に被嵌入溝１１を凹み形成し、被嵌入溝１１に弾性の線条体２０を着脱自在に密嵌し、被嵌入溝１１と線条体２０とに、保持層１０の周縁部を挟持させる。被嵌入溝１１と線条体２０に保持層１０の周縁部を挟持させるので、例え保持フレーム１裏面の貼着領域４の面積が不十分でも、保持層１０の剥がれ落ちることがない。 （もっと読む）

【課題】簡便に蒸着を行うことができる蒸着用治具及び蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる蒸着用治具は、ウエハ４の非蒸着面を覆うハット２を有する。ハット２には、第１凸部２ａ及び第２凸部２ｂが設けられる。第１凸部２ａは、ウエハ４側におけるハット２の外周部に設けられ、ウエハ４を保持する。第２凸部２ｂは、ウエハ４とは反対側におけるハット２の外周部に設けられる。このように、ハット２の両面に凸部を設けることにより、簡便に蒸着を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置において、パターニングデバイス及び／又はテーブルを支持する支持構造、並びに、基板を保持する基板テーブルの改良型材料、及び、それらを製造する方法を提供すること。
【解決手段】基板テーブル又はパターニングデバイス支持体はエアロゲルを含む。エアロゲルは極めて軽量であってもよく、例えば、エアロゲルは、０．５〜５００ｍｇ／ｃｍ^３の範囲内、好ましくは１〜１００ｍｇ／ｃｍ^３の範囲内、最も好ましくは１〜１０ｍｇ／ｃｍ^３の範囲内の密度を有していてもよい。エアロゲルは、シリカゲルから作成されていてもよい。シリカゲルから作成されたエアロゲルは１．９ｍｇ／ｃｍ^３の密度を有していてもよく、エアロゲルから空気が排気された場合でも１ｍｇ／ｃｍ^３の密度を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】エッジグリップ方式チャックにおいては、定期的なメンテナンス（清掃等）が不可欠となる。しかし、清掃等のメンテナンスを行う場合、人が作業を行う以上作業にムラが生じる可能性を否定できない。また、人を介することで新たな塵を付着させたり傷を付けたり、部品を破壊したりといったリスクも考慮しなければならない。
【解決手段】本発明は上記課題を解決するためにウエハチャックを検査光学系より後方に移動し、前記検査光学系より後方で、前記ウエハチャックを清掃することを特徴とする。また、本発明は、ウエハチャックヘ供給される空気の流量と、前記ウエハチャックへ供給される空気の排気量を制御することを他の特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止し、このことにより液処理後の基板の裏面に処理液が付着することを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１０には、基板Ｗを保持する保持プレート３０と、保持プレート３０の上方に設けられ、基板Ｗを下方から支持するリフトピン２２を有するリフトピンプレート２０と、保持プレート３０により保持された基板Ｗの裏面に処理液を供給する処理液供給部４０とが設けられている。処理液供給部４０は、リフトピンプレート２０の貫通穴２０ａを塞ぐよう設けられたヘッド部分４２を有している。処理液供給部４０およびリフトピンプレート２０は保持プレート３０に対して相対的に昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ生成時に、基板に熱ひずみが生じないようにし得るカーボンナノチューブ生成用基板の保持具を提供する。
【解決手段】基板１表面にカーボンナノチューブを垂直配向でもって生成させる平面視が矩形状にされた基板の保持具２であって、基板を支持し得る中央の平坦部３ａ及び当該平坦部よりも高さが低くされた端縁部３ｂを両側に有する支持部材３と、この支持部材の平坦部を案内し得る案内用空間部４ａを有し且つ当該平坦部に載置された基板１の両端縁部１ａを支持部材の両端縁部３ｂに押圧することにより当該基板を保持し得る矩形状の枠部材４とから構成され、さらに基板並びに支持部材および枠部材を金属製材料にて構成するとともに、これら支持部材及び枠部材の材料として、線膨張係数が上記基板のそれよりも大きいものを用いたものである。 （もっと読む）

【課題】接合対象をより確実に保持すること。
【解決手段】静電チャック１８と活性化装置とを備えている。静電チャック１８は、端子２３−１〜２３−２を介して内部電極２２−１〜２２−２に電圧が印加されることにより接合対象７を保持する。その活性化装置は、静電チャック１８に保持される接合対象７の表面に粒子を照射する。端子２３−１〜２３−２は、静電チャック１８の表面のうちのその粒子が照射されない領域に配置されている。このような接合装置は、その粒子の長時間照射により形成される導体の薄膜が端子２３−１〜２３−２の近傍に形成されることを防止することができ、内部電極２２−１〜２２−２に印加される電圧による火花放電が発生することを防止し、静電チャック１８が接合対象７をより確実に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】反応管上部から、水素含有ガスや酸素含有ガスを供給しなくても、酸化膜厚の面内均一性を向上する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を水平状態で隙間をもって鉛直方向に配列させて保持する基板保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応して配置され、鉛直方向における複数箇所から反応管内に水素ガスを供給する水素ガスノズルと、基板配列領域に対応して配置され、鉛直方向における複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガスノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御器とを有し、水素ガスノズルには複数のガス噴出孔が設けられ、該ガス噴出孔は、最上部に位置するガス噴出孔の孔径が最も大きくなるように構成されることを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理体のセルフバイアス測定方法、この測定方法を離脱条件に反映させて、被処理体を安定した状態で安全確実に離脱できる方法及びその装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室内の静電チャック２上に固定される被処理体10の外周縁近くに、導電体のセルフバイアス測定用部品７を設置し、被処理体10へのプラズマ処理中にセルフバイアス測定用部品７の電圧を測定する工程と、この測定電圧が被処理体10のセルフバイアスに等しい値であると仮定して、間接的に得られた被処理体10のセルフバイアス値が０Ｖになるように、静電チャック２に印加された電圧の逆電圧と、測定されたセルフバイアス値の分だけオフセットした電圧とを印加するフィードバック制御を行う。電圧の測定は、冷却ステージ６とアースとの間に接続された電圧計９を用い、被処理体10の離脱条件に、プラズマ処理の状態変化に応じた被処理体10のセルフバイアスをフィードバックさせる。 （もっと読む）