【課題】露光不良を抑制できる、ステージ装置、露光装置、洗浄方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】
基板ステージ２の基板保持部５は、液体供給装置７に接続可能な液体供給口３を備える。液体供給装置７は、液体供給口３を介して、チャック面５ａに液体を供給することが可能である。 （もっと読む）

【課題】表面のパーティクルや、微少凹凸を高い除去率で取り除くことができる炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、炭化ケイ素を含む炭化ケイ素部材１を、酸素含有雰囲気中で８００〜１２００℃の温度範囲で加熱することにより、前記炭化ケイ素部材１の表面２に酸化被膜６を形成する酸化処理工程と、前記炭化ケイ素部材１を酸洗浄することにより、前記酸化被膜６および炭化ケイ素部材１の表面２の少なくとも一部を除去する酸洗浄工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＣの外周部に堆積したＣＦベースでＳｉ及びＡｌを含有する肩デポを効率よく除去するチャンバ内クリーニング方法を提供する。
【解決手段】Ｏ_２ガスとＦ含有ガスとの混合ガスをＥＳＣ２４の外周部２４ａに向けて圧力４００〜８００ｍＴｏｒｒで供給し、この混合ガスから生成されたプラズマをＥＳＣ２４の外周部２４ａに選択的に照射すると共に、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面にマスキングガスとしてＯ_２単ガスを供給し、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面のＦラジカルによる被曝を防止しつつ該外周部２４ａに付着した肩デポ５０を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】保護テープを貼付けた状態の半導体ウエハに対してダイシング処理を行った後に、所定サイズに分断されたチップ部品から保護テープを剥離する保護テープ剥離方法およびその装置を提供する。
【解決手段】保護テープＰＴの貼付けられた状態でダイシング処理の施されたマウントフレームＭＦを裏面からチャックテーブル２により吸着保持するとともに、ヒータを埋設した吸着プレート２５を当接させて加熱することにより粘着層を発泡膨張させて接着力を失わせた後、吸着力を維持しつつ吸着プレート２５を上昇させて全てのチップ部品ＣＰから保護テープＰＴを剥離する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースをクランプ解除するのに要する時間を短縮し、バリヤ物質によるダメージを防止する。
【解決手段】静電クランプを制御し、モニタしかつ最適化するシステムにより具体化される。コンピュータ１６、制御回路２２および少なくとも１つの増幅器２８が備えられる。また、信号評価回路２５を備え、制御回路の出力信号に検出信号を与えるために用いられる。信号評価回路は静電クランプの電気容量をモニタするために使用される検出信号を与え、さらに、信号評価回路は静電クランプの性能をモニタし、制御回路に対し性能情報を与える回路要素を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程において、表面保護テープを被切断体表面に貼り付け、被切断体と一括して切断することにより、被切断体表面を切削クズ等のダスト等の付着による汚染から保護し、且つ、ダイシング工程後に、個々のチップから表面保護テープを容易に剥離除去する方法を提供する。
【解決手段】被切断体表面にダイシング表面保護テープを貼り付け、これを前記被切断体とともに切断した後、被切断体を傾けた状態で該ダイシング表面保護テープを除去する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板表面を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に設けられた基板２１が設置される下部電極２２と、前記下部電極２２の上部に形成される下部プレート３０と、前記下部プレート３０に前記基板２１を固定するためのチャッキング部２３と、前記下部プレート３０を貫通しガスを供給するためのガス供給手段２７と、を有し、前記下部プレート３０には、前記基板２１の直径よりも短い直径の凹部が形成されており、前記凹部の底部に凸状の曲面部２５が形成され、前記曲面部２５の頂点は、前記下部プレート３０の周囲の面と同じ高さまたは、前記下部プレート３０の周囲の面よりも低く形成され、前記基板２１は前記下部プレート３０の周囲の面と前記チャッキング部２３により挟み込まれて固定し、前記基板２１と前記下部プレート３０の凹部との間に前記ガス供給手段２７によりガスを供給する。 （もっと読む）

製品基板をキャリア基板から剥離するための装置であって、前記キャリア基板は、相互接続層により前記製品基板に接続されて、フレキシブルフィルムはフィルムフレームに取り付けられ、該フレキシブルフィルムの接合面部において前記製品基板を保持するための接着層を備え、該フレキシブルフィルムは前記接合面部を囲む該フレキシブルフィルムの取付部において前記フィルムフレームに取り付けられ、該フィルムは、前記接合面部と前記取付部との間に位置する剥離部を備え、前記装置は、前記製品基板が前記キャリア基板から前記製品基板の外周より剥離させるのに効果的な剥離手段を有する装置。
さらに、本発明は、製品基板をキャリア基板から剥離するための方法に関し、前記キャリア基板は、相互接続層により前記製品基板に接続されており、フレキシブルフィルムはフィルムフレームに取り付けられ、該フレキシブルフィルムの接合面部において前記製品基板を保持するための接着層を備え、該フレキシブルフィルムは前記接合面部を囲む該フィルムの取付部において前記フィルムフレームに取り付けられ、該フレキシブルフィルムは、前記接合面部と前記取付部との間に位置する剥離部を備え、前記剥離手段により、前記製品基板が前記キャリア基板から前記基板の外周より剥離される方法。
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【課題】 この発明は、従来より低い消費電力で温度を上昇させることができ、かつ均一な温度分布を有する半導体製造装置用部品、特にその表面の温度差が１０℃以下である半導体製造装置用部品を提供することを課題とする。
【解決手段】 この半導体製造装置用部品は、加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも３００μｍの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】吸着面の温度分布を均一にすることにより、吸着面に吸着された被吸着物を均一に加熱または冷却することができる静電チャックを提供すること。
【解決手段】静電チャック１は、セラミック絶縁板１０及び金属ベース３０を備え、吸着用電極層５１に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて被吸着物２を吸着面１１に吸着させる。セラミック絶縁板１０は、ヒータ電極層６１及び冷却用ガス流路４１を内部に有する。冷却用ガス流路４１は、セラミック絶縁板１０の平面方向に延びる横穴４２を備える。吸着用電極層５１は、セラミック絶縁板１０内において横穴４２よりも吸着面１１側に配置され、ヒータ電極層６１は、セラミック絶縁板１０内において横穴４２よりも接合面１２側に配置される。 （もっと読む）