【課題】冷却効率を高めてスループットを高く維持でき、複数段の被処理体を面間の温度差が生じないように均一に冷却するロードロック装置を提供する。
【解決手段】真空室６と大気室１２との間にゲートバルブを介して連結されると共に真空雰囲気と大気圧雰囲気とを選択的に実現することができるロードロック装置８，１０において、ロードロック用容器３４と、ロードロック用容器内に設けられて複数枚の被処理体を複数段に亘って支持する支持部５２を有する支持手段５０と、大気圧復帰用のガスを冷却ガスとして噴射するために支持部に対応させて設けられたガス噴射孔７４を有するガス導入手段７２と、ロードロック用容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系４２とを備える。これにより、冷却効率を高めてスループットを高く維持でき、且つ複数段の被処理体を面間の温度差が生じないように均一に冷却する。 （もっと読む）

【課題】板状物の裏面にテープを貼着する場合において、板状物の表面側に形成されているデバイスの破損や不良を引き起こすことがないようにする。
【解決手段】表面に構造物が形成された構造物領域２０と構造物領域２０を囲繞する外周余剰領域２１とを有する板状物２の裏面２ｂにテープ３を貼着する際に板状物２を支持するテープ貼り補助治具１を、裏面２ｂを上にして載置された板状物２の外周余剰領域２１を支持する支持面１００を含む支持部材１０と、支持面１００の外周端に所定の間隔を設けて配設され載置される複数の突起１１とで構成し、支持部材１０が板状物２の外周余剰領域２１のみを支持し、構造物領域２０は中空状態で支持されるようにする。また、複数の突起１１が、板状物２の移動を規制するとともに、テープ３が強固にテープ貼り補助治具１に貼着されることを防止してテープ貼り補助治具１からのテープ３の剥離を容易とする。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ成膜装置用チャンバ内に多数枚の外径サイズが相違する基板を縦置き姿勢で支持して両面成膜できるようにする。
【解決手段】本基板ホルダー１は、耐熱性素材から板状体に作られ、かつ、その基板保持面３に、基板７の端部７ａを縦方向から差込みすることが可能でかつその縦方向から差し込んだ姿勢で基板７を保持できる基板縦置き用溝９を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減することを課題とする。
【解決手段】 トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するとトレイ支持面２８と、上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに収容された基板２を支持する基板支持部２１の環状部７４の上面７４ａは、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁１５ｄの傾斜角度αよりも小さい傾斜角度βを有する。環状部７４の上面７４ａにより基板２が線接触的又は点接触的な態様で支持される。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法により反応炉内において半導体基板に気相状態で膜を形成する場合に、ガスホイール法を用いることなく半導体基板への高品質な膜の形成が可能であって、気相物質を供給した反応炉を開き人手による基板の出し入れを行う必要がないと共に、反応炉に供給される気相物質の供給効率を向上させることができる半導体基板の保持装置及び半導体基板の保持装置の搬送装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２は回転駆動軸１５に対して上下方向において着脱可能に固定されると共に、半導体基板が載置される複数の基板ホルダ１４が配置される開口部１３は、上記サセプタ１２の厚さ方向において貫通して形成され、上記サセプタ１２の下方には上記基板ホルダ１５が上下方向において解除可能に係合して、上記サセプタ１２の回転により基板ホルダ１４が回転しうる係合部１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時にウエハをリングフレームに固定する粘着シートの機能と、チップをリードフレームなどに固定する接着機能を兼ね備えたダイアタッチ一体型の粘着シートにおいて、ダイシング工程における切削屑の発生を防止又は低減可能な多層粘着シートを提供する。
【解決手段】基材フィルム１０６と、該基材フィルムの一方の面に積層してなる粘着剤層１０３と、さらに該粘着剤層に積層されたダイアタッチフィルム１０５とを備え、該基材フィルムをプロピレン系共重合体で形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の対する処理を高精度で行う。
【解決手段】 基板Ｐの下方には、基板Ｐの下面にエアを噴出する複数のエア浮上ユニット５０が配置され、基板Ｐは、概ね水平となるように非接触支持される。また、基板Ｐは、定点ステージ４０により被露光部位が下方から非接触保持され、その被露光部位の面位置がピンポイントで調整される。従って、基板Ｐに高精度で露光を行うことができ、かつ基板ステージ装置ＰＳＴの構成を簡単にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 サファイアウエーハ等の硬質ウエーハを研削して薄く加工しても割れを生じさせることのないウエーハの研削装置を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを保持し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールを回転可能に支持する研削手段とを備えたウエーハの研削装置であって、該チャックテーブルは、ウエーハを吸引保持する保持面を有する吸引板と、該吸引板の保持面以外を囲繞する枠体とを含み、該チャックテーブルは、該枠体に形成された吸引路を介して吸引源に連通され、該吸引板は、該保持面に複数の気孔と該気孔同士を仕切る隔壁が露出したポーラスセラミックスで形成されていて、該隔壁の露出面には凹凸が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電チャック及び処理物に残留する電荷をより一層確実に除去できる処理物保持装置、静電チャックの制御方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】静電チャック２０上にウエハを載置し、電極２１ａ，２１ｂに相互に逆極性の電圧を印加して静電チャック２０にウエハを吸着する。ウエハに対しプラズマ処理が終了した後、逆極性電圧の印加、除電プラズマ処理、除電電圧の印加を順次行い、その後リフトピンを作動させてウエハを静電チャック２０から脱離する。ウエハを脱離する際に電極２１ａ，２１ｂの配線経路２４ａ，２４ｂに流れる電流を電流計３２ａ，３２ｂにより検出し、その検出結果に基づき、制御部３４は、次のウエハを処理する際の除電プラズマ処理時のプラズマ条件、並びに除電電圧の極性、電圧値及び印加時間を決定する。 （もっと読む）

【課題】所望のウエハ温度分布を実現できるウエハ載置用電極を低コストで提供する。
【解決手段】真空容器、該容器内に処理ガスを導入する処理ガスの導入路、導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理容器内に配置した試料台上に試料を載置し、載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、金属製の本体１と、該本体内に形成した少なくとも２つの流路４Ａ，４Ｂを備え、前記２つの流路の断面形状は相互に相違する。 （もっと読む）