【課題】成膜工程における背板の着脱作業を解消し、基板の面の温度を均一に昇温することが容易であり、効率のよい薄膜の化学蒸着を可能にすることができる基板保持部材及び薄膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】凹部５及びシール部材３１等によって、基板密着面とガラス基板２０の一方の面の略全面を密着した状態で保持することが可能であり、ガラス基板２０を保持した状態のまま走行装置によって化学蒸着室内に導入可能であり、炭素繊維強化炭素複合体によって形成される基板保持部材１を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器内に設けられて処理すべき被処理体を載置するための載置台構造において、被処理体を載置して支持すると共に被処理体を加熱する加熱手段が設けられた誘電体よりなる載置台と、処理容器の底部側より起立させて設けられ、上端部が載置台の下面に接合されると共に下端部が開放された複数の保護支柱管と、保護支柱管内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電棒と、処理容器の底部側に設けられると共に、保護支柱管内に連通されたパージガス流通用気密室と、パージガス流通用気密室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。これにより、載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止する。 （もっと読む）

機能性基板を担体基板に結合し、前記機能性基板上に機能性要素を形成し、その結合界面に超音波を印加することによって前記機能性基板を前記担体基板から剥離する、各工程を有してなる、薄い機能性基板を備えた装置の製造方法。超音波の印加は、機能性基板が受ける引張応力を低減することによって、剥離ステップを補助する。
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【課題】大きな機械的剛性を保持しながら軽量化、低コスト化、作業性の向上を図り、大口径ウェーハ用としても好適に用いられる。
【解決手段】環状立壁に補強部１３、１４を形成した第１外周嵌合部１０と第１内周嵌合部１１からなる第１嵌合部１２を有する第１フレーム体６と、環状立壁に補強部１９、２０を形成した第２外周嵌合部１６と第２内周嵌合部１７からなる第２嵌合部１８を有する第２フレーム体７を備え、第１嵌合部１２内に第２嵌合部１８を嵌合して内部空間部８を有するリング状のフレーム体３を構成する。 （もっと読む）

【課題】表面保護フィルムをウェーハから容易に剥離できるようにする。
【解決手段】ウェーハ（１２０）のフィルム貼付面に貼付けられているフィルム（３）を剥離するフィルム剥離装置（１００）において、ウェーハのフィルム貼付面が上面になるようにウェーハを吸着するウェーハ吸着手段（３１）と、フィルム貼付面上に剥離テープを繰出す剥離テープ繰出手段（４２）と、ウェーハの縁部において剥離テープの一部分のみをウェーハのフィルムに対して押圧して加熱する加熱手段（８０）とを具備し、それにより、剥離テープの一部分において該剥離テープとフィルムとの間の接着力を高めるようにし、さらに、接着力の高められた剥離テープの一部分を剥離開始箇所（７５ａ）として、剥離テープによってウェーハのフィルム貼付面からフィルムを剥離する剥離手段（４４）を具備するフィルム剥離装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】薄型化された半導体ウエハを接着部材に貼り付けた状態で、ダイシングした後、半導体ウエハから個別の半導体チップをピックアップする場合、接着部材に半導体チップに対応して１対１にピックアップ用孔を設ける必要があるため、当該接着部材を他の半導体ウエハのピックアップには利用できなかった。
【解決手段】ピックアップ用孔を有しない接着部材に、半導体ウエハを取り付け、半導体ウエハをダイシングにより半導体チップに個片化した後、接着部材に孔を開けて、半導体ウエハと前記接着部材との間に気体を送り込んで、各半導体チップをピックアップする半導体装置の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】位置決め孔と位置決めピンの嵌め合い精度を高めることなく，基板処理装置の部品の位置決め精度を従来以上に高める。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリング１２４を載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，加熱によって径方向に膨張する材料によってピン状に構成され，サセプタのフォーカスリング載置面に形成された位置決め孔（第１基準孔）とフォーカスリングに形成された位置決め孔（第２基準孔）に挿入され，加熱によって径方向に膨張して各位置決め孔に嵌合することでフォーカスリングを位置決めする複数の位置決めピン２００とを設けた。 （もっと読む）

【解決手段】基板を下部電極から取り除くことを含むデチャック操作を最適化するための方法。この方法は、デチャック操作中に形成されるプラズマの電気特性データの第１のセットが閾値を通過するかどうかを決定するために初期解析を実施することを含む。もし、そうである場合は、不活性ガスをオフにする。方法は、また、基板を上方方向に移動させるためにリフトピンを下部電極から僅かに上昇させることも含む。方法は、更に、リフトピンによって作用される力の量を含む機械データの第１のセットを閾値と比較することを含む機械的及び電気的解析を実施することを含む。機械的及び電気的解析は、また、電気特性データの第２のセットを閾値と比較することも含む。もし、両者がともにそれぞれの閾値を通過する場合は、基板解放事象が発生しているゆえに、基板を下部電極から取り除く。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度を均一にする。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、被形成体が載置される保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部材を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）