真空加熱装置及び基板処理システム
【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空雰囲気で基板を加熱する真空加熱装置及び基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造装置の一つとして、共通の真空搬送室に複数の真空処理を行う処理モジュールを備えた、いわゆるマルチチャンバシステムがある。前記処理モジュールとしては例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）により、配線となる金属、例えばＣｕ（銅）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）などを成膜する成膜モジュールが設けられる場合がある。基板である半導体ウエハ（以下ウエハと記載する）は通常、大気雰囲気を通ってマルチチャンバシステム内に搬入されるため、水分及び酸素が付着している。金属は、水分中の酸素により酸化されるため、ウエハの表面に水分や酸素が付着すると、前記金属が酸化されてしまい、配線の抵抗が増大してしまう。
【０００３】
このような配線抵抗の増大を抑えるために、前記処理モジュールの一つを、真空雰囲気でウエハに加熱処理を行う真空加熱モジュール（真空加熱装置）として構成し、成膜モジュールに搬送される前のウエハをこの真空加熱モジュールで処理する場合がある。この処理により、水分及び酸素をウエハから除去し、前記金属の酸化を抑えることができる。
【０００４】
図６に、前記真空加熱モジュールの概略を示すと、この真空加熱モジュール１００は気密な処理容器１０１内に、ウエハＷが載置されるステージ（加熱基盤）１０２と、ステージ１０２を支持する筒状の支持部１０３とが設けられている。１０４はヒータであり、１０５は温度センサである熱電対である。
【０００５】
支持部１０３内には、ヒータ１０４に給電するための電力供給ライン１０６及び熱電対１０５の信号ライン１０７などの用力ラインが挿入されている。これら用力ラインは処理容器１０１の外の大気雰囲気に引き出されることから、支持部１０３内は大気雰囲気になっており、このため処理容器１０１の底面に開口部１０８が形成され、支持部１０３内の空間がこの開口部１０８を介して大気に開放された構造となっている。そして、支持部１０３の下端に形成されたフランジ１０９と開口部１０８の口縁部分とがゴム材からなるシール材であるＯリング１１０を介して気密に接合されている。１１１は排気口、１１２は例えばＡｒ（アルゴン）ガスなどの不活性ガスであるパージガスを供給するシャワーヘッドである。１１３は処理容器１０１により形成される処理空間である。
【０００６】
このような真空加熱モジュール１００においては、ウエハＷが処理容器１０１内に搬入されておらず、待機状態になっているときには、シャワーヘッド１１２からのＡｒガスの供給が停止し、ヒータ１０４によりステージ１０２が所定の温度に調整されると共に処理空間１１３が所定の圧力に調整されている。
【０００７】
一方、ＰＶＤ成膜モジュールにおいては１Ｅ−５Ｐａ〜１Ｅ−７Ｐａ（１Ｅ−７Ｔｏｒｒ〜１Ｅ−９Ｔｏｒｒ）もの高真空度の雰囲気に維持した状態で待機しておくことが必要であることから、この成膜モジュールと真空搬送室とを仕切るゲートバルブを開いたときに当該成膜モジュールの雰囲気が変化しないように、真空搬送室及び真空加熱モジュールについても同様の高真空度に維持しておく必要がある。ところで、ステージ１０２の熱が支持部１０３を介してＯリング１１０に伝熱されるが、Ｏリング１１０は温度が高い程、リークしやすく、この傾向は圧力が１．３３×１０−６Ｐａ（１０−８Ｔｏｒｒ）よりも低くなると（真空度が高くなると）顕著になってくる。図７にこの様子を示しており、図７（ａ）はＯリング１１０の温度が低く、支持部１０３と処理容器１０１との間がシールされている状態、図７（ｂ）は、Ｏリング１１０の温度が高くなり、当該Ｏリング１１０が膨張してＯリング１１０内の空隙が広がった結果として、大気が処理容器１０１内にリークしている状態を示している。なお、Ｏリング１１０を冷却すると、その冷熱がステージ１０２に伝わり、均一性の高い加熱が困難になるため、冷却構造は採用し難い。
【０００８】
このようなことから、真空加熱モジュールにおいて真空度の高い雰囲気下で支持部と処理容器との間のＯリングのリークを抑えることが要請されている。特許文献１には、ステージと支持部と処理容器とを備え、支持部と処理容器との間にＯリングが設けられた成膜装置について記載されているが、上記の問題の解決手法については記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−３３２４６５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置及びその真空加熱装置を用いた基板処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の真空加熱装置は、真空雰囲気にて基板を加熱処理する真空加熱装置において、
気密な処理容器と、
この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、
この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、
この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、
前記載置台を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
例えば前記装置においては、前記処理容器内にプロセスガスを供給するガス供給部が設けられ、
前記加熱処理は、プロセスガスを基板に供給しながら当該基板の表面に付着している水分及び酸素を除去するためのものである。前記処理容器の外の基板搬送機構により基板の受け渡しを行うときには前記処理容器内の圧力が１Ｅ−３Ｐａ以下であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の基板処理システムは、真空搬送室と、この真空搬送室に接続された請求項２記載の真空加熱装置と、前記真空搬送室に接続された処理容器を含み、前記真空加熱装置にて真空加熱処理された基板に対して、配線用の金属をスパッタして当該基板に配線を形成するためのスパッタモジュールと、前記真空加熱装置とスパッタモジュールとの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備え、前記真空搬送室内の圧力が１Ｅ−３Ｐａ以下に設定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、載置台を熱伝導率の大きいアルミニウム合金により構成し、載置台を支持する支持部材を熱伝導率の小さいステンレス鋼（ステンレス合金）により構成している。このため基板の温度について高い面内均一性を確保することができると共に、載置台から支持部材を介して有機物からなるシール部材へ伝熱しにくくなり、シール部材の昇温が抑えられる。従って大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられるので、処理容器内の水分及び酸素の分圧を小さくすることができ、基板に付着する水分及び酸素を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る真空加熱モジュールを備えた半導体製造装置の平面図である。
【図２】前記真空加熱モジュールの縦断面図である。
【図３】真空加熱モジュールの各部の分解斜視図である。
【図４】処理容器内の圧力がステージの温度により変動する様子を示したグラフである。
【図５】各ステージ温度にて処理容器内の圧力上昇率が変動する様子を示したグラフである。
【図６】従来の真空加熱モジュールの縦断側面図である。
【図７】処理空間内に大気が流入する様子を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態に係る真空加熱モジュール（真空処理装置）を備えた基板処理システムである半導体製造装置１の構成について図１を参照しながら説明する。半導体製造装置１は、半導体装置製造用の基板であるウエハＷのロード、アンロードを行うローダモジュールを構成する第１の搬送室１１と、ロードロック室１２、１３と、真空搬送室モジュールである第２の搬送室１４と、を備えている。第１の搬送室１１の正面には例えば２５枚のウエハＷを収納するキャリアＣが載置される載置台１５が設けられている。
【００１７】
第１の搬送室１１の正面壁には、前記キャリアＣが接続されてキャリアＣの蓋と一緒に開閉されるゲートドアＧＴが設けられている。そして第２の搬送室１４には、ウエハＷに処理を行う処理モジュールとして真空加熱モジュール３、Ｃｕ成膜モジュール６１、６１、アニールモジュール６２が気密に接続されている。Ｃｕ成膜モジュール６１、６１はその内部が真空雰囲気に構成される処理容器を備え、ＰＶＤによりウエハＷに半導体装置の配線を構成するＣｕを成膜する。アニールモジュール６２は、その内部が真空雰囲気に構成される処理容器と、ウエハＷを加熱する加熱手段と、ウエハＷにアニール用のガスとして例えばＨ２（水素）を供給するガス供給手段と、を備えている。真空加熱モジュール３については後述する。
【００１８】
第１の搬送室１１の側面には、アライメント室２が設けられている。この第１の実施の形態においてアライメント室２は、第１の搬送室１１に設けられた第１の搬送手段１６の予定する位置にウエハＷを受け渡す役割を有する。ロードロック室１２、１３には、図示しない真空ポンプとリーク弁とが設けられており、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えられるように構成されている。つまり、第１の搬送室１１及び第２の搬送室１４の雰囲気がそれぞれ大気雰囲気及び真空雰囲気に保たれているため、ロードロック室１２、１３は、夫々の搬送室間において、ウエハＷを搬送する時に雰囲気を調整するためのものである。
【００１９】
図中Ｇは、ロードロック室１２、１３と第１の搬送室１１または第２の搬送室１４との間、あるいは第２の搬送室１４と各処理モジュール（真空加熱モジュール３、Ｃｕ成膜モジュール６１及びアニールモジュール６２）との間を仕切るゲートバルブ（仕切り弁）である。通常、ゲートバルブＧは閉じられており、各室間及び各モジュールと第２の搬送室１４との間でウエハＷを搬送するときに開かれる。
【００２０】
第１の搬送室１１及び第２の搬送室１４には、それぞれ第１の搬送手段１６及び第２の搬送手段１７が設けられている。第１の搬送手段１６は、キャリアＣとロードロック室１２，１３との間及び第１の搬送室１１とアライメント室２との間でウエハＷの受け渡しを行うための多関節の搬送アームである。第２の搬送手段１７は、ロードロック室１２，１３と、真空加熱モジュール３、Ｃｕ成膜モジュール６１及びアニールモジュール６２との間でウエハＷの受け渡しを行うための多関節の搬送アームである。
【００２１】
続いて、真空加熱モジュール３について、その縦断面図である図２及び各部の分解斜視図である図３を参照しながら説明する。真空加熱モジュール３は、処理容器３１を備えており、処理容器３１内にはウエハＷに処理を行うための処理空間３０が形成される。処理容器３１の外部は大気雰囲気に構成されている。処理空間３０には、ウエハＷを水平に載置するためのステージ（加熱基盤）３２が設けられており、このステージ３２はアルミニウム合金により構成されている。ステージ３２内には前記ウエハＷを加熱するためのヒータ３３が設けられている。更にステージ３２には、昇降機構３４により昇降自在な３本の昇降ピン３５（便宜上２本のみ図示している）が設けられており、この昇降ピン３５を介して前記第２の搬送手段１７とステージ３２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００２２】
ステージ３２の下方には筒状の支持部３６が設けられており、支持部３６はステンレス鋼により構成されている。支持部３６とステージ３２との間には接合部材３７が介在している。アルミニウム合金からなるステージ３２とステンレス鋼からなる支持部３６とを直接溶接することができないため、この接合部材３７がこれらステージ３２及び支持部３６に夫々溶接されることで、ステージ３２及び支持部３６が互いに固着される。接合部材３７は、予め爆着、摩擦拡散などによって互いに接合された、アルミニウム合金からなる上側接合部材３７ａとステンレス鋼からなる下側接合部材３７ｂとにより構成されている。上側接合部材３７ａはステージ３２と、下側接合部材３７ｂは支持部３６と夫々溶接される。
【００２３】
支持部３６の下端部はフランジ３８として構成されている。また、処理容器３１の下部には開口部３９が形成されており、この開口部３９の開口縁に前記フランジ３８が、シール部材であるＯリング４１を介して設けられている。Ｏリング４１はゴムにより構成され、フランジ３８と処理容器３１とに密着し、処理空間３０の真空度を保つ役割を有する。なお、Ｏリング４１はゴムに限られず、柔軟性のある樹脂などの有機物であればよい。また、既述のように処理容器３１の外部は大気雰囲気であるため、支持部３６内の空間は大気雰囲気に構成されている。
【００２４】
ヒータ３３には当該ヒータ３３に電力を供給するための供給ライン４２の一端が接続されている。この電力供給ライン４２の他端は支持部３６及び開口部３９を介して処理容器３１の外部へ引き出され、電源部４３に接続されている。また、ステージ３２には温度センサである熱電対４４が設けられており、熱電対４４には信号ライン４５の一端が接続されている。信号ライン４５の他端は支持部３６及び開口部３９を介して処理容器３１の外部へ引き出され、制御器４６に接続されている。熱電対４４は、検出したステージ３２の温度に対応する信号を制御器４６に出力し、制御器４６はその信号に応じてステージ３２の温度が設定された温度になるように電源部４３へ信号を出力する。その制御器４６からの出力信号に応じてヒータ３３への供給電力が制御される。
【００２５】
処理容器３１の底部には排気口４７が設けられ、排気口４７には排気管４８の一端側が接続されている。この排気管４８の他端側には圧力制御バルブ４９を介して真空ポンプ５１が接続されている。圧力制御バルブ４９は排気管４８の排気コンダクタンスを制御し、処理容器３１内の圧力を制御する。また処理容器３１の側壁には、ゲートバルブＧにより開閉される搬送口５２が形成されている。
【００２６】
更に処理容器３１の天井部においては、ステージ３２に対向するようにガスシャワーヘッド５３が設けられている。ガスシャワーヘッド５３は、ガス室５４とガス供給孔５５とを備え、ガス室５４に供給されたガスはガス供給孔５５から処理空間３０に供給される。そして、ガス室５４には、ガス供給路５６を介して、バルブやマスフローコントローラ及びガス供給源を含んだガス供給手段５７が接続されている。このガス供給手段５７から不活性ガス例えばＡｒ（アルゴン）ガスがプロセスガスとして前記ガス室５４に供給される。
【００２７】
続いて半導体製造装置１の作用について説明する。先ず、第２の搬送室１４内、真空加熱モジュール３の処理容器３１内、Ｃｕ成膜モジュール６１，６１の処理容器内、アニールモジュール６２の処理容器内が夫々真空引きされる。真空加熱モジュール３ではヒータ３３の温度が上昇し、ステージ３２の温度２５０℃〜４００℃例えば３５０℃になる。このときステージ３２は熱伝導率の大きいアルミニウム合金により構成されているので、ヒータ３３の熱が各部に均一性高く伝わり、各部の温度のばらつきが抑えられる。そして、支持部３６が熱伝導率の小さいステンレス鋼により構成されているため、ステージ３２の熱が支持部３６を介してＯリング４１に伝わることが抑えられる。従って、Ｏリング４１の温度上昇及び膨張が抑えられ、処理容器３１の外部からＯリング４１を透過して処理容器３１の内部へ大気が流入することが抑えられる。
【００２８】
第２の搬送室１４内及び各処理モジュールの処理容器内の真空引きが続けられ、第２の搬送室１４内が１Ｅ−３Ｐａ以下に維持されると共に、これら処理容器３１内、Ｃｕ成膜モジュール６１，６１の処理容器内、アニールモジュール６２の処理容器内も同様に１Ｅ−３Ｐａ以下に維持され、これらのモジュールがウエハＷを処理するための待機状態となる。
【００２９】
その後、キャリアＣが載置台１５に載置され、第１の搬送室１１に接続される。次いでゲートドアＧＴおよびキャリアＣの蓋が同時に開かれて、キャリアＣ内のウエハＷは第１の搬送手段１６によって第１の搬送室１１に搬入される。然る後、ウエハＷはアライメント室２に搬送されて、その向きや偏心の調整が行われた後、大気雰囲気に保たれたロードロック室１２に搬送される。そして、このロードロック室１２の圧力が調整されて、室内が真空雰囲気になると、第２の搬送手段１７によって第２の搬送室１４に搬入される。
【００３０】
次いで第２の搬送手段１７は、ウエハＷを処理容器３１内に搬入し、ステージ３２に受け渡す。その後、シャワーヘッド５３からＡｒガスが供給され、処理容器３１内が例えば１Ｔｏｒｒに保たれた状態で、ウエハＷが加熱処理される。この真空雰囲気における加熱処理によってウエハＷに付着している水分及び酸素が、当該ウエハＷから除去される。Ａｒガス供給開始から所定の時間経過後、そのＡｒガスの供給が停止し、処理容器３１内が前記待機状態と同じ１Ｅ−３Ｐａ以下に維持される。然る後、ウエハＷは第２の搬送手段１７によって第２の搬送室１４に搬入される。
【００３１】
続いて、第２の搬送手段１７はウエハＷをいずれかのＣｕ成膜モジュール６１に搬送し、そこでウエハＷの表面にＣｕが成膜される。Ｃｕ成膜処理後、ウエハＷはアニールモジュール５３に搬送される。そこで、Ｈ２ガスが供給されながらウエハＷは加熱され、成膜されたＣｕがアニールされる。その後、ウエハＷは第２の搬送手段１７により真空雰囲気に保たれたロードロック室１３に搬入される。ロードロック室１３の圧力が上昇し、大気雰囲気になると、第１の搬送手段１６によりウエハＷはキャリアＣに戻される。
【００３２】
この実施の形態によれば、真空加熱モジュール３においてステージ３２をアルミニウム合金で、支持部３６をステンレス鋼で夫々構成している。従って、ステージ３２の各部に均一性高く伝熱されるため、ウエハＷを均一性高く加熱することができるその一方で、処理空間３０をシールするＯリング４１にステージ３２の熱が伝わることを抑えることができる。従って、Ｏリング４１の温度上昇を抑えることができるので、処理容器３１の外部から大気成分がＯリング４１を透過して処理容器３１内に進入することが抑えられる。その結果として、処理空間３０の水分及び酸素の分圧を低く抑えることができるため、ウエハＷに付着する水分及び酸素を低減することができる。従ってＣｕ成膜モジュール６１でウエハＷに成膜されるＣｕが酸化されることを抑えることができるので、このＣｕから形成される配線の抵抗の上昇を抑えることができる。
【００３３】
ところでステージ３２の温度が高すぎると、当該ステージ３２を構成するアルミニウム合金が変形、溶解してしまうので、ステージ３２の温度としては３５０℃以下であることが好ましい。なお、本発明は水分及び酸素の除去を目的とした加熱モジュールへの適用に限定されるものではなく、例えば上記アニールモジュール６２を真空加熱モジュール３と同様に構成してもよい。その場合例えばウエハＷにＡｒガスの代わりにＨ２ガスがアニール用のプロセスガスとして供給される。
【００３４】
また、上記の例では成膜モジュールでＣｕを成膜し、Ｃｕが成膜されたウエハＷを真空加熱モジュール３で真空加熱処理する例について説明しているが、成膜モジュールで成膜される金属としてはＣｕに限られず、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＴａＮ（窒化タンタル）などの金属であってもよい。そして、これらの金属が成膜されたウエハＷについて真空加熱モジュール３で処理する場合にも、これらの金属の酸化が抑えられるので、これらの金属から形成される配線の抵抗を抑えることができる。なお、ここでいう配線にはバリア膜も含む。また、上記の例では真空加熱モジュール３において、プロセスガスとしてＡｒガスを供給しているが、Ａｒガスの代わりに例えばＨ２ガスをプロセスガスとして用いてもよい。
【００３５】
（評価試験１）
背景技術の項目で説明した真空加熱モジュール１００を用いて、ステージ１０２の温度を変更したときに、処理空間１１３の圧力をどこまで低く保てるかを測定した。この真空加熱モジュール１００ではステージ１０２及び支持部１０３をアルミニウム合金により構成している。この実験においては、Ｏリング１１０として、所定の材質により構成されたＯリングＡ１を用いて前記圧力の測定を行った後、当該ＯリングＡ１の代わりに、ＯリングＡ１とは異なる材質により構成されたＯリングＡ２を用いて繰り返し圧力を測定した。
【００３６】
図４のグラフにこの実験結果を示している。図４のグラフでは、縦軸が前記処理空間１１３の圧力（Ｔｏｒｒ）、横軸がステージ１０２の温度（℃）を夫々示している。このグラフから明らかなように、ＯリングＡ１、ＯリングＡ２を用いた場合のいずれにおいてもステージ１０２の温度が高くなるほど、処理容器３１内で維持できる最低圧力は高くなってしまう。この結果から、背景技術の項目で述べたようにステージ１０２からＯリングＡ１，Ａ２に熱が伝わり、当該ＯリングＡ１、Ａ２を透過して大気が処理容器１０１内に流れ込んでいることが考えられる。
【００３７】
（評価試験２）
続いて、評価試験２について説明する。上記の実施の形態における真空加熱モジュール３について、ステージ３２の温度を変更し、その温度毎に処理空間３０の圧力上昇率（Ｔｏｒｒ／分）を測定した。また、背景技術の項目で説明した真空加熱モジュール１００について、ステージ１０２の温度を変更し、その温度毎に処理空間１１３の圧力上昇率（Ｔｏｒｒ／分）を測定した。これらの圧力上昇率は、ある一定時間処理容器３１、１０１内を封じ込め、その間における処理容器３１、１０１内の圧力上昇を見るものであり、その値が小さいほど処理容器の外部から内部への大気の透過率は小さく、処理容器の気密性が高いと言える。
【００３８】
図５は、この評価試験２の結果を示したグラフであり、その縦軸に前記圧力上昇率（Ｔｏｒｒ／分）を、その横軸にステージ３２、１０２の温度（℃）を夫々示している。このグラフに示すように、測定された各温度における真空加熱モジュール３の圧力上昇率は、真空加熱モジュール１００の圧力上昇率に比べて低く抑えられている。また、温度が高くなったときの圧力上昇率の変化は、真空加熱モジュール１００よりも真空加熱モジュール３の方が小さい。従って、本実施形態の真空加熱モジュール３は、従来の真空加熱モジュール１００に比べてＯリング４１の温度が低く保たれ、Ｏリング４１における大気の透過が少ないと言える。この実験結果から本発明の効果が示された。
【符号の説明】
【００３９】
Ｗ ウエハ
１ 半導体製造装置
３ 真空加熱モジュール
３０ 処理空間
３１ 処理容器
３２ ステージ
３３ ヒータ
３６ 支持部
３７ 接合部材
４１ Ｏリング
５３ ガスシャワーヘッド
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空雰囲気で基板を加熱する真空加熱装置及び基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造装置の一つとして、共通の真空搬送室に複数の真空処理を行う処理モジュールを備えた、いわゆるマルチチャンバシステムがある。前記処理モジュールとしては例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）により、配線となる金属、例えばＣｕ（銅）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）などを成膜する成膜モジュールが設けられる場合がある。基板である半導体ウエハ（以下ウエハと記載する）は通常、大気雰囲気を通ってマルチチャンバシステム内に搬入されるため、水分及び酸素が付着している。金属は、水分中の酸素により酸化されるため、ウエハの表面に水分や酸素が付着すると、前記金属が酸化されてしまい、配線の抵抗が増大してしまう。
【０００３】
このような配線抵抗の増大を抑えるために、前記処理モジュールの一つを、真空雰囲気でウエハに加熱処理を行う真空加熱モジュール（真空加熱装置）として構成し、成膜モジュールに搬送される前のウエハをこの真空加熱モジュールで処理する場合がある。この処理により、水分及び酸素をウエハから除去し、前記金属の酸化を抑えることができる。
【０００４】
図６に、前記真空加熱モジュールの概略を示すと、この真空加熱モジュール１００は気密な処理容器１０１内に、ウエハＷが載置されるステージ（加熱基盤）１０２と、ステージ１０２を支持する筒状の支持部１０３とが設けられている。１０４はヒータであり、１０５は温度センサである熱電対である。
【０００５】
支持部１０３内には、ヒータ１０４に給電するための電力供給ライン１０６及び熱電対１０５の信号ライン１０７などの用力ラインが挿入されている。これら用力ラインは処理容器１０１の外の大気雰囲気に引き出されることから、支持部１０３内は大気雰囲気になっており、このため処理容器１０１の底面に開口部１０８が形成され、支持部１０３内の空間がこの開口部１０８を介して大気に開放された構造となっている。そして、支持部１０３の下端に形成されたフランジ１０９と開口部１０８の口縁部分とがゴム材からなるシール材であるＯリング１１０を介して気密に接合されている。１１１は排気口、１１２は例えばＡｒ（アルゴン）ガスなどの不活性ガスであるパージガスを供給するシャワーヘッドである。１１３は処理容器１０１により形成される処理空間である。
【０００６】
このような真空加熱モジュール１００においては、ウエハＷが処理容器１０１内に搬入されておらず、待機状態になっているときには、シャワーヘッド１１２からのＡｒガスの供給が停止し、ヒータ１０４によりステージ１０２が所定の温度に調整されると共に処理空間１１３が所定の圧力に調整されている。
【０００７】
一方、ＰＶＤ成膜モジュールにおいては１Ｅ−５Ｐａ〜１Ｅ−７Ｐａ（１Ｅ−７Ｔｏｒｒ〜１Ｅ−９Ｔｏｒｒ）もの高真空度の雰囲気に維持した状態で待機しておくことが必要であることから、この成膜モジュールと真空搬送室とを仕切るゲートバルブを開いたときに当該成膜モジュールの雰囲気が変化しないように、真空搬送室及び真空加熱モジュールについても同様の高真空度に維持しておく必要がある。ところで、ステージ１０２の熱が支持部１０３を介してＯリング１１０に伝熱されるが、Ｏリング１１０は温度が高い程、リークしやすく、この傾向は圧力が１．３３×１０−６Ｐａ（１０−８Ｔｏｒｒ）よりも低くなると（真空度が高くなると）顕著になってくる。図７にこの様子を示しており、図７（ａ）はＯリング１１０の温度が低く、支持部１０３と処理容器１０１との間がシールされている状態、図７（ｂ）は、Ｏリング１１０の温度が高くなり、当該Ｏリング１１０が膨張してＯリング１１０内の空隙が広がった結果として、大気が処理容器１０１内にリークしている状態を示している。なお、Ｏリング１１０を冷却すると、その冷熱がステージ１０２に伝わり、均一性の高い加熱が困難になるため、冷却構造は採用し難い。
【０００８】
このようなことから、真空加熱モジュールにおいて真空度の高い雰囲気下で支持部と処理容器との間のＯリングのリークを抑えることが要請されている。特許文献１には、ステージと支持部と処理容器とを備え、支持部と処理容器との間にＯリングが設けられた成膜装置について記載されているが、上記の問題の解決手法については記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−３３２４６５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置及びその真空加熱装置を用いた基板処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の真空加熱装置は、真空雰囲気にて基板を加熱処理する真空加熱装置において、
気密な処理容器と、
この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、
この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、
この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、
前記載置台を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
例えば前記装置においては、前記処理容器内にプロセスガスを供給するガス供給部が設けられ、
前記加熱処理は、プロセスガスを基板に供給しながら当該基板の表面に付着している水分及び酸素を除去するためのものである。前記処理容器の外の基板搬送機構により基板の受け渡しを行うときには前記処理容器内の圧力が１Ｅ−３Ｐａ以下であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の基板処理システムは、真空搬送室と、この真空搬送室に接続された請求項２記載の真空加熱装置と、前記真空搬送室に接続された処理容器を含み、前記真空加熱装置にて真空加熱処理された基板に対して、配線用の金属をスパッタして当該基板に配線を形成するためのスパッタモジュールと、前記真空加熱装置とスパッタモジュールとの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備え、前記真空搬送室内の圧力が１Ｅ−３Ｐａ以下に設定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、載置台を熱伝導率の大きいアルミニウム合金により構成し、載置台を支持する支持部材を熱伝導率の小さいステンレス鋼（ステンレス合金）により構成している。このため基板の温度について高い面内均一性を確保することができると共に、載置台から支持部材を介して有機物からなるシール部材へ伝熱しにくくなり、シール部材の昇温が抑えられる。従って大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられるので、処理容器内の水分及び酸素の分圧を小さくすることができ、基板に付着する水分及び酸素を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る真空加熱モジュールを備えた半導体製造装置の平面図である。
【図２】前記真空加熱モジュールの縦断面図である。
【図３】真空加熱モジュールの各部の分解斜視図である。
【図４】処理容器内の圧力がステージの温度により変動する様子を示したグラフである。
【図５】各ステージ温度にて処理容器内の圧力上昇率が変動する様子を示したグラフである。
【図６】従来の真空加熱モジュールの縦断側面図である。
【図７】処理空間内に大気が流入する様子を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態に係る真空加熱モジュール（真空処理装置）を備えた基板処理システムである半導体製造装置１の構成について図１を参照しながら説明する。半導体製造装置１は、半導体装置製造用の基板であるウエハＷのロード、アンロードを行うローダモジュールを構成する第１の搬送室１１と、ロードロック室１２、１３と、真空搬送室モジュールである第２の搬送室１４と、を備えている。第１の搬送室１１の正面には例えば２５枚のウエハＷを収納するキャリアＣが載置される載置台１５が設けられている。
【００１７】
第１の搬送室１１の正面壁には、前記キャリアＣが接続されてキャリアＣの蓋と一緒に開閉されるゲートドアＧＴが設けられている。そして第２の搬送室１４には、ウエハＷに処理を行う処理モジュールとして真空加熱モジュール３、Ｃｕ成膜モジュール６１、６１、アニールモジュール６２が気密に接続されている。Ｃｕ成膜モジュール６１、６１はその内部が真空雰囲気に構成される処理容器を備え、ＰＶＤによりウエハＷに半導体装置の配線を構成するＣｕを成膜する。アニールモジュール６２は、その内部が真空雰囲気に構成される処理容器と、ウエハＷを加熱する加熱手段と、ウエハＷにアニール用のガスとして例えばＨ２（水素）を供給するガス供給手段と、を備えている。真空加熱モジュール３については後述する。
【００１８】
第１の搬送室１１の側面には、アライメント室２が設けられている。この第１の実施の形態においてアライメント室２は、第１の搬送室１１に設けられた第１の搬送手段１６の予定する位置にウエハＷを受け渡す役割を有する。ロードロック室１２、１３には、図示しない真空ポンプとリーク弁とが設けられており、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えられるように構成されている。つまり、第１の搬送室１１及び第２の搬送室１４の雰囲気がそれぞれ大気雰囲気及び真空雰囲気に保たれているため、ロードロック室１２、１３は、夫々の搬送室間において、ウエハＷを搬送する時に雰囲気を調整するためのものである。
【００１９】
図中Ｇは、ロードロック室１２、１３と第１の搬送室１１または第２の搬送室１４との間、あるいは第２の搬送室１４と各処理モジュール（真空加熱モジュール３、Ｃｕ成膜モジュール６１及びアニールモジュール６２）との間を仕切るゲートバルブ（仕切り弁）である。通常、ゲートバルブＧは閉じられており、各室間及び各モジュールと第２の搬送室１４との間でウエハＷを搬送するときに開かれる。
【００２０】
第１の搬送室１１及び第２の搬送室１４には、それぞれ第１の搬送手段１６及び第２の搬送手段１７が設けられている。第１の搬送手段１６は、キャリアＣとロードロック室１２，１３との間及び第１の搬送室１１とアライメント室２との間でウエハＷの受け渡しを行うための多関節の搬送アームである。第２の搬送手段１７は、ロードロック室１２，１３と、真空加熱モジュール３、Ｃｕ成膜モジュール６１及びアニールモジュール６２との間でウエハＷの受け渡しを行うための多関節の搬送アームである。
【００２１】
続いて、真空加熱モジュール３について、その縦断面図である図２及び各部の分解斜視図である図３を参照しながら説明する。真空加熱モジュール３は、処理容器３１を備えており、処理容器３１内にはウエハＷに処理を行うための処理空間３０が形成される。処理容器３１の外部は大気雰囲気に構成されている。処理空間３０には、ウエハＷを水平に載置するためのステージ（加熱基盤）３２が設けられており、このステージ３２はアルミニウム合金により構成されている。ステージ３２内には前記ウエハＷを加熱するためのヒータ３３が設けられている。更にステージ３２には、昇降機構３４により昇降自在な３本の昇降ピン３５（便宜上２本のみ図示している）が設けられており、この昇降ピン３５を介して前記第２の搬送手段１７とステージ３２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００２２】
ステージ３２の下方には筒状の支持部３６が設けられており、支持部３６はステンレス鋼により構成されている。支持部３６とステージ３２との間には接合部材３７が介在している。アルミニウム合金からなるステージ３２とステンレス鋼からなる支持部３６とを直接溶接することができないため、この接合部材３７がこれらステージ３２及び支持部３６に夫々溶接されることで、ステージ３２及び支持部３６が互いに固着される。接合部材３７は、予め爆着、摩擦拡散などによって互いに接合された、アルミニウム合金からなる上側接合部材３７ａとステンレス鋼からなる下側接合部材３７ｂとにより構成されている。上側接合部材３７ａはステージ３２と、下側接合部材３７ｂは支持部３６と夫々溶接される。
【００２３】
支持部３６の下端部はフランジ３８として構成されている。また、処理容器３１の下部には開口部３９が形成されており、この開口部３９の開口縁に前記フランジ３８が、シール部材であるＯリング４１を介して設けられている。Ｏリング４１はゴムにより構成され、フランジ３８と処理容器３１とに密着し、処理空間３０の真空度を保つ役割を有する。なお、Ｏリング４１はゴムに限られず、柔軟性のある樹脂などの有機物であればよい。また、既述のように処理容器３１の外部は大気雰囲気であるため、支持部３６内の空間は大気雰囲気に構成されている。
【００２４】
ヒータ３３には当該ヒータ３３に電力を供給するための供給ライン４２の一端が接続されている。この電力供給ライン４２の他端は支持部３６及び開口部３９を介して処理容器３１の外部へ引き出され、電源部４３に接続されている。また、ステージ３２には温度センサである熱電対４４が設けられており、熱電対４４には信号ライン４５の一端が接続されている。信号ライン４５の他端は支持部３６及び開口部３９を介して処理容器３１の外部へ引き出され、制御器４６に接続されている。熱電対４４は、検出したステージ３２の温度に対応する信号を制御器４６に出力し、制御器４６はその信号に応じてステージ３２の温度が設定された温度になるように電源部４３へ信号を出力する。その制御器４６からの出力信号に応じてヒータ３３への供給電力が制御される。
【００２５】
処理容器３１の底部には排気口４７が設けられ、排気口４７には排気管４８の一端側が接続されている。この排気管４８の他端側には圧力制御バルブ４９を介して真空ポンプ５１が接続されている。圧力制御バルブ４９は排気管４８の排気コンダクタンスを制御し、処理容器３１内の圧力を制御する。また処理容器３１の側壁には、ゲートバルブＧにより開閉される搬送口５２が形成されている。
【００２６】
更に処理容器３１の天井部においては、ステージ３２に対向するようにガスシャワーヘッド５３が設けられている。ガスシャワーヘッド５３は、ガス室５４とガス供給孔５５とを備え、ガス室５４に供給されたガスはガス供給孔５５から処理空間３０に供給される。そして、ガス室５４には、ガス供給路５６を介して、バルブやマスフローコントローラ及びガス供給源を含んだガス供給手段５７が接続されている。このガス供給手段５７から不活性ガス例えばＡｒ（アルゴン）ガスがプロセスガスとして前記ガス室５４に供給される。
【００２７】
続いて半導体製造装置１の作用について説明する。先ず、第２の搬送室１４内、真空加熱モジュール３の処理容器３１内、Ｃｕ成膜モジュール６１，６１の処理容器内、アニールモジュール６２の処理容器内が夫々真空引きされる。真空加熱モジュール３ではヒータ３３の温度が上昇し、ステージ３２の温度２５０℃〜４００℃例えば３５０℃になる。このときステージ３２は熱伝導率の大きいアルミニウム合金により構成されているので、ヒータ３３の熱が各部に均一性高く伝わり、各部の温度のばらつきが抑えられる。そして、支持部３６が熱伝導率の小さいステンレス鋼により構成されているため、ステージ３２の熱が支持部３６を介してＯリング４１に伝わることが抑えられる。従って、Ｏリング４１の温度上昇及び膨張が抑えられ、処理容器３１の外部からＯリング４１を透過して処理容器３１の内部へ大気が流入することが抑えられる。
【００２８】
第２の搬送室１４内及び各処理モジュールの処理容器内の真空引きが続けられ、第２の搬送室１４内が１Ｅ−３Ｐａ以下に維持されると共に、これら処理容器３１内、Ｃｕ成膜モジュール６１，６１の処理容器内、アニールモジュール６２の処理容器内も同様に１Ｅ−３Ｐａ以下に維持され、これらのモジュールがウエハＷを処理するための待機状態となる。
【００２９】
その後、キャリアＣが載置台１５に載置され、第１の搬送室１１に接続される。次いでゲートドアＧＴおよびキャリアＣの蓋が同時に開かれて、キャリアＣ内のウエハＷは第１の搬送手段１６によって第１の搬送室１１に搬入される。然る後、ウエハＷはアライメント室２に搬送されて、その向きや偏心の調整が行われた後、大気雰囲気に保たれたロードロック室１２に搬送される。そして、このロードロック室１２の圧力が調整されて、室内が真空雰囲気になると、第２の搬送手段１７によって第２の搬送室１４に搬入される。
【００３０】
次いで第２の搬送手段１７は、ウエハＷを処理容器３１内に搬入し、ステージ３２に受け渡す。その後、シャワーヘッド５３からＡｒガスが供給され、処理容器３１内が例えば１Ｔｏｒｒに保たれた状態で、ウエハＷが加熱処理される。この真空雰囲気における加熱処理によってウエハＷに付着している水分及び酸素が、当該ウエハＷから除去される。Ａｒガス供給開始から所定の時間経過後、そのＡｒガスの供給が停止し、処理容器３１内が前記待機状態と同じ１Ｅ−３Ｐａ以下に維持される。然る後、ウエハＷは第２の搬送手段１７によって第２の搬送室１４に搬入される。
【００３１】
続いて、第２の搬送手段１７はウエハＷをいずれかのＣｕ成膜モジュール６１に搬送し、そこでウエハＷの表面にＣｕが成膜される。Ｃｕ成膜処理後、ウエハＷはアニールモジュール５３に搬送される。そこで、Ｈ２ガスが供給されながらウエハＷは加熱され、成膜されたＣｕがアニールされる。その後、ウエハＷは第２の搬送手段１７により真空雰囲気に保たれたロードロック室１３に搬入される。ロードロック室１３の圧力が上昇し、大気雰囲気になると、第１の搬送手段１６によりウエハＷはキャリアＣに戻される。
【００３２】
この実施の形態によれば、真空加熱モジュール３においてステージ３２をアルミニウム合金で、支持部３６をステンレス鋼で夫々構成している。従って、ステージ３２の各部に均一性高く伝熱されるため、ウエハＷを均一性高く加熱することができるその一方で、処理空間３０をシールするＯリング４１にステージ３２の熱が伝わることを抑えることができる。従って、Ｏリング４１の温度上昇を抑えることができるので、処理容器３１の外部から大気成分がＯリング４１を透過して処理容器３１内に進入することが抑えられる。その結果として、処理空間３０の水分及び酸素の分圧を低く抑えることができるため、ウエハＷに付着する水分及び酸素を低減することができる。従ってＣｕ成膜モジュール６１でウエハＷに成膜されるＣｕが酸化されることを抑えることができるので、このＣｕから形成される配線の抵抗の上昇を抑えることができる。
【００３３】
ところでステージ３２の温度が高すぎると、当該ステージ３２を構成するアルミニウム合金が変形、溶解してしまうので、ステージ３２の温度としては３５０℃以下であることが好ましい。なお、本発明は水分及び酸素の除去を目的とした加熱モジュールへの適用に限定されるものではなく、例えば上記アニールモジュール６２を真空加熱モジュール３と同様に構成してもよい。その場合例えばウエハＷにＡｒガスの代わりにＨ２ガスがアニール用のプロセスガスとして供給される。
【００３４】
また、上記の例では成膜モジュールでＣｕを成膜し、Ｃｕが成膜されたウエハＷを真空加熱モジュール３で真空加熱処理する例について説明しているが、成膜モジュールで成膜される金属としてはＣｕに限られず、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＴａＮ（窒化タンタル）などの金属であってもよい。そして、これらの金属が成膜されたウエハＷについて真空加熱モジュール３で処理する場合にも、これらの金属の酸化が抑えられるので、これらの金属から形成される配線の抵抗を抑えることができる。なお、ここでいう配線にはバリア膜も含む。また、上記の例では真空加熱モジュール３において、プロセスガスとしてＡｒガスを供給しているが、Ａｒガスの代わりに例えばＨ２ガスをプロセスガスとして用いてもよい。
【００３５】
（評価試験１）
背景技術の項目で説明した真空加熱モジュール１００を用いて、ステージ１０２の温度を変更したときに、処理空間１１３の圧力をどこまで低く保てるかを測定した。この真空加熱モジュール１００ではステージ１０２及び支持部１０３をアルミニウム合金により構成している。この実験においては、Ｏリング１１０として、所定の材質により構成されたＯリングＡ１を用いて前記圧力の測定を行った後、当該ＯリングＡ１の代わりに、ＯリングＡ１とは異なる材質により構成されたＯリングＡ２を用いて繰り返し圧力を測定した。
【００３６】
図４のグラフにこの実験結果を示している。図４のグラフでは、縦軸が前記処理空間１１３の圧力（Ｔｏｒｒ）、横軸がステージ１０２の温度（℃）を夫々示している。このグラフから明らかなように、ＯリングＡ１、ＯリングＡ２を用いた場合のいずれにおいてもステージ１０２の温度が高くなるほど、処理容器３１内で維持できる最低圧力は高くなってしまう。この結果から、背景技術の項目で述べたようにステージ１０２からＯリングＡ１，Ａ２に熱が伝わり、当該ＯリングＡ１、Ａ２を透過して大気が処理容器１０１内に流れ込んでいることが考えられる。
【００３７】
（評価試験２）
続いて、評価試験２について説明する。上記の実施の形態における真空加熱モジュール３について、ステージ３２の温度を変更し、その温度毎に処理空間３０の圧力上昇率（Ｔｏｒｒ／分）を測定した。また、背景技術の項目で説明した真空加熱モジュール１００について、ステージ１０２の温度を変更し、その温度毎に処理空間１１３の圧力上昇率（Ｔｏｒｒ／分）を測定した。これらの圧力上昇率は、ある一定時間処理容器３１、１０１内を封じ込め、その間における処理容器３１、１０１内の圧力上昇を見るものであり、その値が小さいほど処理容器の外部から内部への大気の透過率は小さく、処理容器の気密性が高いと言える。
【００３８】
図５は、この評価試験２の結果を示したグラフであり、その縦軸に前記圧力上昇率（Ｔｏｒｒ／分）を、その横軸にステージ３２、１０２の温度（℃）を夫々示している。このグラフに示すように、測定された各温度における真空加熱モジュール３の圧力上昇率は、真空加熱モジュール１００の圧力上昇率に比べて低く抑えられている。また、温度が高くなったときの圧力上昇率の変化は、真空加熱モジュール１００よりも真空加熱モジュール３の方が小さい。従って、本実施形態の真空加熱モジュール３は、従来の真空加熱モジュール１００に比べてＯリング４１の温度が低く保たれ、Ｏリング４１における大気の透過が少ないと言える。この実験結果から本発明の効果が示された。
【符号の説明】
【００３９】
Ｗ ウエハ
１ 半導体製造装置
３ 真空加熱モジュール
３０ 処理空間
３１ 処理容器
３２ ステージ
３３ ヒータ
３６ 支持部
３７ 接合部材
４１ Ｏリング
５３ ガスシャワーヘッド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気にて基板を加熱処理する真空加熱装置において、
気密な処理容器と、
この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、
この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、
この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、
前記載置台を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えたことを特徴とする真空加熱装置。
【請求項２】
前記処理容器内にプロセスガスを供給するガス供給部が設けられ、
前記加熱処理は、プロセスガスを基板に供給しながら当該基板の表面に付着している水分及び酸素を除去するためのものであることを特徴とする請求項１記載の真空加熱装置。
【請求項３】
処理容器の外の基板搬送機構により基板の受け渡しを行うときには前記処理容器内の圧力が１Ｅ−３Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の真空加熱装置。
【請求項４】
真空搬送室と、
この真空搬送室に接続された請求項２記載の真空加熱装置と、
前記真空搬送室に接続された処理容器を含み、前記真空加熱装置にて真空加熱処理された基板に対して、配線用の金属をスパッタして当該基板に配線を形成するためのスパッタモジュールと、
前記真空加熱装置とスパッタモジュールとの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備え、
前記真空搬送室内の圧力が１Ｅ−３Ｐａ以下に設定されていることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１】
真空雰囲気にて基板を加熱処理する真空加熱装置において、
気密な処理容器と、
この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、
この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、
この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、
前記載置台を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えたことを特徴とする真空加熱装置。
【請求項２】
前記処理容器内にプロセスガスを供給するガス供給部が設けられ、
前記加熱処理は、プロセスガスを基板に供給しながら当該基板の表面に付着している水分及び酸素を除去するためのものであることを特徴とする請求項１記載の真空加熱装置。
【請求項３】
処理容器の外の基板搬送機構により基板の受け渡しを行うときには前記処理容器内の圧力が１Ｅ−３Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の真空加熱装置。
【請求項４】
真空搬送室と、
この真空搬送室に接続された請求項２記載の真空加熱装置と、
前記真空搬送室に接続された処理容器を含み、前記真空加熱装置にて真空加熱処理された基板に対して、配線用の金属をスパッタして当該基板に配線を形成するためのスパッタモジュールと、
前記真空加熱装置とスパッタモジュールとの間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備え、
前記真空搬送室内の圧力が１Ｅ−３Ｐａ以下に設定されていることを特徴とする基板処理システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−５２２７４（Ｐ２０１１−５２２７４Ａ）
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０２００９（Ｐ２００９−２０２００９）
【出願日】平成２１年９月１日（２００９．９．１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月１日（２００９．９．１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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