【課題】低コストかつ省スペースにエネルギ線硬化樹脂層を形成し、硬化させることができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバ１０と、ステージ１５と、ガス供給部１３と、照射源１４とを具備する。ステージ１５は、チャンバ１０の内部に配置され、基板Ｗを支持するための支持面１５１ａを有する。ガス供給部１３は、チャンバ１０の内部に配置され、支持面１５１ａに向けてエネルギ線硬化樹脂を含む原料ガスを供給する。照射源１４は、チャンバ１０の内部に支持面１５１ａに対向して配置され、エネルギ線硬化樹脂を硬化させるためのエネルギ線を支持面１５１ａに向けて照射する。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の利用効率の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１と、真空槽１１内に配置され、内部に蒸着材料の蒸気が配置される中空の放出容器１６ａと、真空槽１１内に配置され、基板５を保持する基板保持部１４と、先端の開口１７が基板５表面に向けられて放出容器１６ａに設けられ、内部が放出容器１６ａの内部空間と連通する複数の中空の筒１５とを有し、各筒１５の開口１７の法線１８は基板５表面と交差され、放出容器１６ａ内の蒸気は各筒１５の開口１７から放出され、基板５表面に到達して薄膜が形成される成膜装置１０であって、筒１５には、先端が基板５表面と対面する範囲の外側に配置された筒が含まれる。先端が基板５表面と対面する範囲の外側に配置された筒１５の開口１７の法線も基板５表面と交差され、開口１７から放出された蒸気のうち基板５表面に到達する蒸気の割合が従来より高い。 （もっと読む）

【課題】蒸発した材料の堆積の均一性、特にインジェクターの軸に沿っての均一性を改善することにある。
【解決手段】 本発明は、真空蒸着システムのためのインジェクターに関し、該インジェクターは、真空蒸発源からの蒸発した材料を受けるのに適したインジェクション・ダクト、および蒸発した材料を真空蒸着室内に放射するための複数のノズルを備えたディフューザーを備えており、各ノズルは、前記インジェクション・ダクトを前記蒸着室に連結するのに適したチャンネルを備えている。本発明によれば、前記ディフューザーは、空間的に変化があるノズル配置を有している。本発明はまた、インジェクターを較正する方法、インジェクターのディフューザーを製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にビアが形成された基板を密着促進剤により処理するときに、ビアの底に液溜まりを形成せずに表面処理できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２０内に搬入されており、表面に穴部が形成されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器２０内に密着促進剤ガスと水蒸気とを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含む雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜されたポリイミド膜の膜質を向上させるとともに、単位時間当たりに成膜処理される基板の枚数を増やすことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、成膜容器６０内に搬入されている基板を加熱する加熱機構６２と、成膜容器６０内に密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスを供給する密着促進剤供給機構８０と、加熱機構６２と密着促進剤供給機構８０とを制御する制御部１００とを有する。制御部１００は、基板を成膜容器６０内に搬入した後、加熱機構６２により、基板の温度を、基板にポリイミド膜を成膜するときの所定温度まで上昇させる間に、密着促進剤供給機構８０により密着促進剤ガスを成膜容器６０内に供給し、基板の表面を密着促進剤ガスにより処理するように、制御する。 （もっと読む）

【課題】 処理装置等に用いるキャンロールにおいて、その外周面と長尺樹脂フィルム基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入する際に、ギャップ部のギャップ間隔をほぼ一定にして、フィルムのシワ発生を防止することができるキャンロールを提供する。
【解決手段】 周方向に沿って略均等な間隔をあけ且つ全周に亘り回転軸方向に沿って配設された複数のガス導入路１１を有し、各ガス導入路１１はキャンロール１０の回転軸方向に沿って略均等な間隔で外周面１０ａ側に開口する複数のガス放出孔１２を有すると共に、外径が回転軸方向の中央部で最も長く且つ中央部から両端部に向けて次第に短くなるクラウン形状の外周面１０ａを備えている。 （もっと読む）

【課題】帯状の基板を搬送しつつ連続的に基板表面の酸化処理と薄膜形成を行なうにあたって、差圧構造を設けることなく、単一の真空容器内で両処理を安定して実施できる生産性に優れた薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】真空中で、帯状の基板の表面上に、薄膜を形成する薄膜製造装置が、基板４を搬送する搬送機構と、搬送機構によって保持されている基板の表面上に、第一薄膜形成領域１５ａ内で薄膜を形成するための薄膜形成手段であって、第一薄膜形成領域と対向して配置され蒸着原料を収容する蒸着源３ａを含む薄膜形成手段と、基板の搬送経路において第一薄膜形成領域１５ａより前に配置され、基板の表面に向けてオゾン含有ガスを供給する第一ガスノズル１７ａと、搬送機構と、薄膜形成手段と、第一ガスノズルとを収容する真空容器と、を有する。 （もっと読む）

【課題】通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】真空処理装置は、減圧が可能な処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられ複数の基板を搬送させる搬送手段と、処理チャンバ内で基板を処理するためのガスを導入するガス導入手段と、搬送手段上に載置された基板を処理するための基板処理手段と、複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、検知手段で検知した基板間隔に基づいて、ガス導入手段によって導入するガスの導入量を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学的検知装置の測定光路の光路長を十分に確保することで、材料ガス濃度の測定を高精度で行うことが可能であり、さらにバックグラウンド測定を簡易に実施することができ、かつ材料ガスが複数種のガスの混合ガスである場合に各材料ガスの個別の濃度を測定することが可能となる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を成膜させる成膜装置であって、キャリアガスおよび材料ガスを供給する減圧自在な１または複数の材料供給部と、前記基板の上面に材料ガスを噴射させる蒸着ヘッドと、を備え、前記材料供給部と前記蒸着ヘッドは、複数の異なる供給路を介して連通し、前記複数の供給路の１つには材料ガス濃度を測定する光学的検知装置の測定光路が設けられている、成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】成膜に適さない巨大粒子の発生を抑制またはその除去をすることのできる装置を提供する。
【解決手段】粒子生成室１から伸びた搬送管２の第一分岐点に設けられた巨大粒子トラップ１７と、第一分岐点から分岐された搬送管２の第二分岐点に設けられた、成膜室３内の基板８に向かう搬送管２の成膜用バルブ１８Ａ及び成膜室３内の余分粒子トラップ１９に向かう搬送管２の捕集用バルブ１８Ｂとを備え、巨大粒子トラップ１７は、粒子生成室１から搬送管２の第一分岐点を越えて流れてきた巨大粒子を捕集し、成膜用バルブ１８Ａ及び捕集用バルブ１８Ｂは、成膜時にそれぞれ開及び閉とされて第二分岐点に流れてきたナノ粒子を基板８に送り、成膜停止時にそれぞれ閉及び開とされて第二分岐点に流れてきたナノ粒子を余分粒子トラップ１８に送る。 （もっと読む）

【課題】解像度特性が向上した放射線検出素子およびその製造方法、放射線検出モジュール並びに放射線画像診断装置を提供する。
【解決手段】加熱し蒸発させた蒸着材料を複数の放出孔４１Ａ１，〜４１Ａｎ，４１Ｂ１〜４１Ｂｍを有する蒸着用容器（プレート）４１に誘導し、蒸着材料を複数の放出孔４１Ａ１，〜４１Ａｎ，４１Ｂ１〜４１Ｂｍから放出してセンサー基板１１に蒸着する。これによりシンチレータ層を構成する柱状結晶の成長および分布のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】タングステンなどの高融点金属を蒸発源として用いることができる物理蒸着装置及びそれを用いた方法を提供する。
【解決手段】内部に蒸発源１５を備え、レーザ光源１６ａからのレーザ光を照射して加熱する加熱部を有し、所定のガス雰囲気下あるいは大気下において加熱部により蒸発源を加熱して蒸発させ、蒸発した原子から微粒子を生成する蒸発チャンバー１０と、内部に蒸発チャンバーから微粒子を含むガスの搬送する経路となる移送管１８に接続されたノズル３５と成膜対象である基板３３を備え、蒸発チャンバーから移送された微粒子をノズルからガス流Ｊに乗せて基板に向けて噴出し、基板に微粒子を物理蒸着させる成膜チャンバー３０とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子の搬送に寄与するキャリアガスの流れを高めることのできるガスデポジション用ナノ粒子生成装置、及びガスデポジション装置を提供する。
【解決手段】ナノ粒子が生成される坩堝５の上方に位置するナノ粒子搬送管２へのナノ粒子キャリアガスの流れを作る整流手段１２を備える。 （もっと読む）

少なくとも１つのデバイス（１）の少なくとも１つの表面（１１）上にパリレンコーティング（２）を施す方法を提供する。ここでは、パリレンモノマーを有する第１のガス（４）を供給し、前記パリレンモノマーを有する第１のガス（４）を第１のノズル（３）によって、少なくとも１つの表面（１１）に供給することによって、前記デバイス（１）の少なくとも１つの表面（１１）上にパリレンモノマーを析出する。ここで前記デバイス（１）は大気圧を有する環境内に配置されている。さらに、パリレンコーティングを施す装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に膜厚が均一で不純物の少ない薄膜を高速に成膜させ、長時間連続運転可能な真空蒸着装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ層が形成される基板１が蒸着室５内に垂直に設置され、基板１の上には、有機ＥＬ層を選択的に蒸着するためのファインメタルマスク４が配置されている。有機ＥＬ層の材料となる蒸発源８が蒸着室外に配置されている。ノズルが線状に配置した蒸発ヘッド３と蒸発源８とは軟らかい配管７によって接続している。蒸発ヘッド３を、ノズルの配置方向と直角方向に移動させることによって、基板１に有機ＥＬ層を蒸着する。蒸発ヘッド３と蒸発源９とを軟らかい配管７で接続することによって、蒸発ヘッド３のみを移動させることが可能になり、装置の機構を簡略化でき、また、可動機構から発生する不純物による有機ＥＬ層の汚染を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 （もっと読む）

【課題】ガス冷却を用いた成膜方法において、基板への損傷を抑制しながら、十分な基板冷却能力を確保する。
【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、薄膜形成領域９において基板７の裏面に近接する冷却体１０と、冷却体１０と基板７の裏面の間にガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却体１０は、基板と近接し赤外光を透過する透過体と透過体を介して基板と対向する吸収体から構成される。このような構成によって、基板から放射された輻射光が透過体を透過し、透過体を介して基板と対向する輻射率が大きな吸収体に吸収されるため、冷却体１０から基板７への輻射を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】安価かつ短時間でバルブ金属と異相成分との混合膜を形成することにより、多孔質バルブ金属膜を工業的に提供可能とする。
【解決手段】１）メカニカルアロイングにより、バルブ金属と該バルブ金属と相溶性を持たない異相成分からなる合金粉を作製し、２）衝撃固化法により、バルブ金属箔集電体の少なくとも一方の面に、該合金粉を吹き付けて、前記バルブ金属と前記異相成分からなる混合膜を形成し、３）得られた混合膜を熱処理し、４）該混合膜中の異相成分を除去することにより、前記バルブ金属箔集電体の上にバルブ金属多孔質層を形成する。 （もっと読む）