【課題】チャンバの内部から排出されるパーティクルの数を用いてチャンバの内部状況を正確に推定することができるチャンバの内部状況推定方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０においてＮＰＰＣシーケンスを実行した際の全排出パーティクル数の時系列データからガス衝撃力モード、ガス粘性力モード及び静電気力モードに対応した特性値（閾値越え開始点、閾値越え終了点、閾値越え積算時間及び閾値越え回数）が抽出され、該特性値とウエハ上パーティクルの数の相関関係（感度、ばらつき）が算出され、さらに、算出された相関関係及び新たな時系列データにおける特性値に基づいてウエハ上パーティクルの数が推定される。 （もっと読む）

【課題】気相潤滑方法用の装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー、配列した開口部を有するディフューザープレート、ディフューザープレートの開口部とほぼ同じパターンの開口部を有するシャッタープレート、チャンバー内で被気相コーティング目的物を保持するホルダー、及びシャッタープレートを動かしてシャッタープレートの配列した開口部をディフューザープレートの配列した開口部に合わせるか、またはシャッタープレートでディフューザープレートの配列した開口部を少なくとも部分的に塞ぐアクチュエータを含む気相潤滑用装置。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置の製造工程において、基板に付着した異物を効果的に除去する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置の製造装置１００は、基体２０の表面に薄膜を形成する少なくとも一つの成膜装置１３０と、成膜装置１３０に接続され、基体２０に外力を加えることにより基体２０の表面に付着した異物を除去する除去手段が設けられた処理装置１４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
シート幅方向で蒸発した金属蒸気の量に差がある場合でも、蒸発源の幅を広げるなどの対策をとることなくシート幅方向の端部の膜厚および透過率が中央部と同等な金属酸化物薄膜付きシートを製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】
減圧雰囲気下において、シート案内面に接触しながら搬送されているシート上に、金属材料を溶融させた蒸発源から前記シートに向けて金属蒸気を飛来させると同時に、前記金属蒸気内に酸素を導入し、前記シート上に連続的に金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物薄膜付きシートの製造方法であって、前記酸素を、シート幅方向において異なる高さの複数箇所から前記金属蒸気に導入することを特徴とする金属酸化物薄膜付きシートの製造方法とする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】膜質の良い有機薄膜を成膜可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダ４０は基板７が水平にされた水平状態から起こされ、基板ホルダ４０に保持された基板７は、基板ホルダ４０と一緒に起立し、水平面から傾いた起立状態にされる。放出装置５０は起立状態の基板７と対面し、該基板７に有機材料の蒸気を噴出して、基板７表面に有機薄膜が成長する。有機薄膜が成長する間、基板７を起立状態にしておけば、有機薄膜に塵等の不純物が混入しない。 （もっと読む）

【課題】搬送トレイに搭載された複数の基板の位置ずれを低減できるアンロードチャンバ及びその運転方法を提供する。
【解決手段】アンロードチャンバ３は、複数の基板Ｗ，・・・が二次元状に配列搭載された搬送トレイＴを減圧状態で搬入しチャンバ内を昇圧可能なアンロードチャンバ３であり、減圧状態から昇圧させるための気体吹出し装置１５を備えている。この気体吹出し装置１５は、複数の基板Ｗ，・・・それぞれに対向するように二次元状に配置された複数の気体吹出し口１８，・・・を有している。このため、気体吹出し口１８から吹き出される気体の気流と搬送トレイＴとで仮想的な保持機構を形成することができ、各基板Ｗ，・・・の位置ずれを低減できる。このような位置ずれの低減により、下流工程での基板Ｗの取り上げ等の設備における安定性も向上する。 （もっと読む）

【課題】ロードロック室を隔離するための隔壁の開閉を容易に行うことができ、成膜室からの熱や物質の拡散を防止できる超臨界成膜装置および超臨界成膜方法を提供する。
【解決手段】耐圧容器４０にロードロック室５ａ、５ｂが備えられ、ロードロック室５ａ、５ｂ内の圧力を調整するための圧力調整手段と、基板４１を耐圧容器４０外から搬入するとともに耐圧容器４０外に搬出するための外部出入口４５と、基板４１を成膜室６ａ、６ｂに搬入するとともに成膜室６ａ、６ｂから搬出するための内部出入口４３とが設けられ、内部出入口４３に、ロードロック室５ａ、５ｂを内部出入口４３の外部と隔離するための開閉可能な隔壁１０ａ、１０ｂが設けられている超臨界成膜装置とする。また、耐圧容器４０の搬送室７に純粋な超臨界流体を供給する導入配管１ａ、１ｂを有し、成膜室６ａ、６ｂには超臨界流体を排出する導出配管４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】アニール処理後の膜が優れた性能を保持できるようにエアロゾルデポジション法の最適な実施条件を選定する方法を提供する。
【解決手段】基材及び材料粒子を準備し；前記基材及び前記材料粒子を用いて、ある実施条件下でエアロゾルデポジション法を行うことにより、前記材料粒子の膜を前記基材の表面に形成し；形成された膜の膜厚及び弾性率を測定し；前記膜が形成された前記基材を加熱することによって前記膜のアニールを行い；アニールされた膜の性能を評価し；実施条件を変更しながら以上の工程を繰り返して相当数のデータを収集し；前記相当数のデータにおいて、評価済みの膜の性能の優劣に基づき、膜厚及び弾性率の最適範囲を選定し、次いで、当該最適範囲の膜厚及び弾性率を与えた実施条件を、最適な実施条件として決定する。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュに起因する粒状異物の被処理基板への付着を効果的に防止することのできる真空成膜方法、有機ＥＬ装置の製造方法、および真空成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空成膜装置２００は、真空状態とされる成膜室２２０と、成膜室２２０内で第１基板１０に対向配置された蒸着源２８０と、成膜室２２０内に反応ガスを導入するガス導入口２６０と、成膜室２２０内からの排気を行なうための排気口２７０とを有している。ガス導入口２６０からのガス導入方向を延長した仮想の延長線Ｌ１０上に排気口２７０が位置し、かつ、かかる延長線Ｌ１０は、蒸着源２８０から第１基板１０に向かう蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切っている。このため、蒸着材料流２９０の中央部分２９１を横切る気流Ｌ１１を発生させることができ、スプラッシュを側方に向かわせることができる。 （もっと読む）

【課題】 可視及び紫外域で吸収のないＭｇＦ_２，ＬａＦ_３，ＹＦ_３，ＡｌＦ_３等のフッ化物薄膜や、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，ＴｉＯ_２等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。
【解決手段】 一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、
該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。噴出する位置はターゲット−基板に挟まれる空間であって基板表面の反応性ガス濃度をより高く維持できるようにする。
また、ターゲットが移動する際にはガス噴出し口もともに移動もしくは噴出し位置が可変できる構成とする。これによって基板表面の反応性ガス濃度を効率よく一定に保つことができ、高品質な光学薄膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】成膜の停止時の機械的なシャッタ８動作のための遅延時間を抑制でき、再現性良く成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させるプラズマ源４と、プラズマ源４と被処理体１２との間に配置されたシャッタ８と、被処理体１２の表面方向に誘導するようにプラズマに含まれる荷電粒子の進行方向を屈曲させる磁場フィルタ１５と、シャッタ８が開いた状態において磁場フィルタ１５を通過した荷電粒子により被処理体１２上に成膜された膜の膜厚を検知する検知部１４と、検知結果から成膜を停止するか否か判断する判断部１０１と、成膜を停止すると判断したときに、磁場フィルタ１５をオフするように制御するフィルタ制御部１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノズル内部の噴射材による閉塞または損耗を低減し、かつ、噴射材の定量供給性を改善したエアロゾルデポジション法による微粉末堆積成膜装置およびその成膜方法ならびに成膜部材を提供する。
【解決手段】ノズルの入口部に続く円錐状の先端部以降からノズル出口部までの間に粉末供給口を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板５とターゲット３との間の放電領域内において電離するガス分子の圧力を均等化し、これにより電離した荷電粒子をターゲット３に均等の衝突させて、基板５上に均等な膜厚の薄膜を形成する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット３を配置し、同真空チャンバ１内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット３に衝突させて、これによりターゲット３から発生して粒子をターゲット３と対向する基板５上に堆積させて薄膜を形成するものである。ここで、真空チャンバ１内に希薄ガスを供給するノズル９に多数の小孔を有するオリフィス２２を設ける。オリフィス２２の小孔の径は０．５μｍ〜１μｍが適当である。 （もっと読む）

【課題】正確な量の蒸着材料を供給する。
【解決手段】振動手段４６が、回転軸３５、接続管３３、又は収容部３２に接続されており、回転軸３５を回転させる時に、回転軸３５、接続管３３、又は収容部３２を振動させれば、収容部３２の開口に集中する蒸着材料３９が振動で散らばり、回転軸３５外周に形成された凸条３６と凸条３６の間の溝が詰まらない。従って、予め求めた量の回転量回転軸３５を回転させると、必要量の蒸着材料３９が正確に供給される。 （もっと読む）

【課題】 被蒸着フィルムの幅方向における反応物質の吹出し量を均一にすると共に蒸着材料蒸気の流れの乱れを抑制して、高品質の蒸着を可能とする。
【解決手段】 蒸着材料蒸気の流れの中に酸素を吹き込むための吹出し孔２８を多数備えた酸素吹出し管２７の内部を複数の仕切り２９ａ、２９ｂ、２９ｃによって複数の吹出し領域２７ａ〜２７ｄに分割し、各吹出し領域の長さを短くすることで、各吹出し孔２８からの酸素吹出し量の均一化を図り、しかも各吹出し領域には、管端に配置した酸素給送具３１ａ、３１ｄ及び管内に挿入した酸素給送用内管３２ｂ、３２ｃを介して酸素を給送する構成とすることで、酸素給送用の配管を有効蒸着領域の外に配置し、蒸発した蒸着材料の流れを乱さないようにする。 （もっと読む）

【課題】ヘリカル磁気共振コイルを利用したイオン化物理的気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】処理基板を支持する基板ホルダを有した工程チャンバと、工程チャンバに基板ホルダと対向するように設けられて処理基板上に蒸着される物質を提供する蒸着物質ソースと、工程チャンバ内部に工程ガスを注入するためのガス注入ユニットと、基板ホルダにバイアス電位を印加するためのバイアス電源と、工程チャンバ内部に蒸着物質をイオン化させるためのプラズマを発生させ、一端は接地されて他端は電気的に開放されたヘリカル磁気共振コイルと、ヘリカル磁気共振コイルにＲＦ電力を供給するためのＲＦジェネレータとを備えるイオン化物理的気相蒸着装置である。これにより、ヘリカル磁気共振コイルにより非常に低い圧力下、例えばほぼ０．１ｍＴｏｒｒでもプラズマの点火及び保持が可能であり、従来に比べて高密度のプラズマを効率的に発生させられるので、蒸着物質のイオン化率が高まるようになる。 （もっと読む）

本発明は、カルコゲンについて、特に100 nm〜10 mmの範囲内のカルコゲンの薄い層、またはこれらの材料の混合物を、平面基板上に適用するための非常に速くそして費用効率が高いコーティング方法およびまた、その方法を実施ために適した装置も提供することを意図する。これは、蒸着ヘッド(11)において流入側および流出側ガスカーテンを形成して輸送流路(6)を酸素の漏れないように密閉し、不活性ガスを輸送流路(6)の中に導入して大気酸素を置換し、基板(3)をプロセスチャンバー(1)の輸送流路(6)の中に導入し、源からのカルコゲン蒸気/搬送ガス混合物を、蒸着ヘッドの輸送流路(6)の中の基板(3)より上に導入しそしてPVDを用いて基板の上にセレン層を形成することによって達成される。
（もっと読む）

【課題】アセン系多環芳香族炭化水素の有機薄膜の製造方法であって、該薄膜をナノオーダーレベルの均一な膜厚で製造でき、得られる薄膜の膜厚を精密に制御することができる、低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、アセン系多環芳香族炭化水素を含む有機溶質から有機薄膜を製造する方法であって、溶質溶解温度および溶質溶解圧力にて該有機溶質を超臨界二酸化炭素溶媒相に溶質溶解して超臨界溶質溶解相とする工程（１）、該超臨界溶質溶解相を膨張前温度の加熱ノズルに通して膨張させて減圧相とする工程（２）、該工程（２）で得られる減圧相を加熱基板上に噴霧して該有機溶質を析出させて有機薄膜を形成する工程（３）、を含む。 （もっと読む）

【課題】 二酸化チタン光触媒皮膜の形成において、有機バインダ等の結合剤を用いずに、大面積の基材に厚い膜を形成することにより、二酸化チタンの光触媒作用による、有機バインダの劣化が無く、長期間安定な光触媒皮膜を形成する。
【解決手段】 凝集した形態のアナターゼ型二酸化チタンを原料粉末とし、比較的低いガス圧力及び、アナターゼ型二酸化チタンの結晶変態温度以下の温度にて、原料粉末を加熱・加速し、基材上に衝突させることにより、基材上にアナターゼ型ニ酸化チタン光触媒皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガスを有効に利用することができるとともに、製造コストを低減させることのできる電極を提供すること。
【解決手段】被処理基板を支持するヒータカバーと製膜カバー１２との間に配置され、前記ヒータカバーと前記製膜カバー１２とで囲繞された空間内にガスを供給し、かつ、上部ガスヘッダー１０ａと、下部ガスヘッダー１０ｂと、これら上部ガスヘッダー１０ａおよび下部ガスヘッダー１０ｂの間に接続された複数本のガス管６０ｃ，６０ｃ’とを具備した電極６０であって、前記被処理基板と対向する位置よりも外側に位置する前記ガス管６０ｃ’には、前記ガスを前記空間内に吹き出すために設けられたガス吹き出し孔６０ｄが設けられていないことを特徴とする。 （もっと読む）