【課題】絶縁性薄膜を成膜した場合であっても、アノードの機能を長時間維持できる圧力勾配型プラズマガンを提供する。
【解決手段】軸１０１に沿って順に配置された、カソード１と、第１および第２中間電極２，３と、アノード４とを有する。第１および第２中間電極２，３とアノード４はそれぞれ、プラズマを通過させるための所定の大きさの貫通孔２ａ、３ａ、４ａを軸１０１を中心として備えている。アノード４には、第２中間電極３とは逆側の側面の少なくとも一部を覆うアノードカバー３０が着脱可能に固定されている。アノードカバー３０は、貫通孔４ａの中心に向かって突出するつば部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ省スペースにエネルギ線硬化樹脂層を形成し、硬化させることができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバ１０と、ステージ１５と、ガス供給部１３と、照射源１４とを具備する。ステージ１５は、チャンバ１０の内部に配置され、基板Ｗを支持するための支持面１５１ａを有する。ガス供給部１３は、チャンバ１０の内部に配置され、支持面１５１ａに向けてエネルギ線硬化樹脂を含む原料ガスを供給する。照射源１４は、チャンバ１０の内部に支持面１５１ａに対向して配置され、エネルギ線硬化樹脂を硬化させるためのエネルギ線を支持面１５１ａに向けて照射する。 （もっと読む）

【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ（３１）と、少なくとも１対の対向カソード（１および４）と、この対向カソードにＡＣ電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源（８）とを備え、ＰＶＤコーティングのための少なくとも１のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも１のさらなるカソード（６および／または７）がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはＤＣ電源の形態としてさらなる電源（４２，４４）が提供されている。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲット表面上の反応ガスの分圧を互いに等しくし、各ターゲットを互いに同じ速度でスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
互いに離間して一列に並んで配置された複数のターゲット２１₁〜２１₄と、隣り合う二個のターゲット２１₁〜２１₄を一組として、一組のターゲット２１₁〜２１₄間に電圧が印加されるターゲット装置２０₁₂、２０₃₄とを有し、各ターゲット装置２０₁₂、２０₃₄は、一組のターゲット２１₁〜２１₄の側面と対向して配置された隔壁２３₁〜２３₄と、隔壁２３₁〜２３₄とターゲット２１₁〜２１₄との間に設けられたガス導入口２８₁〜２８₄と、真空槽１１の底面に設けられた主排気口２５₁₂、２５₃₄とをそれぞれ有し、ガス導入口２８₁〜２８₄から導入された反応ガスは、一組のターゲット２１₁〜２１₄間を通って主排気口２５₁₂、２５₃₄から真空排気される。 （もっと読む）

【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材１４が巻回されるリール本体１８と、リール本体１８を収納するケース３２と、ケース３２に設けられ、ケース３２内に基材１４との非反応性ガスを導入可能なガス導入口３６と、ケース３２に設けられ、基材１４がケース３２の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口３８と、リール本体１８に一体回転可能に設けられ、基材１４上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】蒸着法にてＩＴＯ膜を成膜する場合に、酸素濃度の低下を防止して、ＩＴＯ膜の低抵抗化を図ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系の材料を蒸発材料３とし、この蒸発材料３を蒸着室１ａ内に配置して減圧下にて蒸発させ、この蒸着室１ａ内に配置した基板Ｗ表面に蒸着により透明導電膜を成膜する成膜方法において、成膜時に蒸着室１ａ内に酸素ガスと水蒸気ガスとを導入する。蒸着室１ａ内で水蒸気ガスを導入するガス導入口８３ａを基板Ｗの蒸着面に向け、基板Ｗに向かって直接水蒸気ガスが供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。
【解決手段】統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、アノードを備える内部導電性表面を有する容器と、コーティング・チャンバーのチャンバー壁から隔てられている絶縁された外側本体部とを具備する。容器は、コーティング・チャンバーと連通する容器の周に比べて小さい周を持つ単一の開口部を有する。スパッタリング・ガスおよび反応性ガスは、投入口を通して容器内に、また単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に結合される。プラズマは、カソードからやってきて、アノードを通して電源に戻る高密度の電子によって点火される。比較的低いアノード電圧は、化学量論的誘電体コーティングを形成するために活性化反応性ガスのプラズマを十分維持できる電圧である。 （もっと読む）

【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽５１内の主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に分離容器６２を配置し、分離容器６２内にドーパントの副ターゲット６４を配置する。分離容器６２の外部と内部は、主排気装置４７と副排気装置６５とで別々に真空排気し、また、分離容器６２内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット６４を構成する材料の反応生成物は発生しない。 （もっと読む）

【課題】 成膜対象物上への薄膜の形成を好適に行うことが可能な成膜装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ原子を含む化合物または混合物を表面改質材料として導入する導入管２０と、キャリアガスを導入する導入管２５と、表面改質材料及びキャリアガスを内部に導入、加熱して、それらが混合された表面改質ガスを供給するホットウォール管１２と、ホットウォール管１２の内部において加熱されることで金属材料を含む成膜材料ガスを供給する成膜材料体３０と、成膜面上に薄膜を形成するための成膜用基板１６を保持する基板保持ステージ１５とを用いて成膜装置１Ａを構成する。そして、ホットウォール管１２から基板１６の成膜面へと表面改質ガス及び成膜材料ガスを供給することによって、金属材料を少なくとも含む薄膜を成膜面上に形成する。 （もっと読む）

【課題】大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード７と、複数のスパッタリングカソード７と対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段９５と、スパッタリングガスを、複数のスパッタリングカソード７間を通過して基板表面の近傍に供給するスパッタリングガス供給手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】搬送中の長尺基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供する。
【解決手段】メインロール６とマグネトロン電極８間の成膜空間を挟んで長尺基材５の搬送方向の上流側および下流側に、長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁９ａ，９ｂを設け、いずれか一方の側壁にガス排気口１１を備え、他方の側壁には長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列１０ａ，１０ｂを２列以上備え、ガス供給孔列のうちターゲット表面に最も近い一列は、ターゲット表面近傍に非反応性ガスを供給し、その他のガス供給孔列からは反応性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】成膜されたポリイミド膜の膜質を向上させるとともに、単位時間当たりに成膜処理される基板の枚数を増やすことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、成膜容器６０内に搬入されている基板を加熱する加熱機構６２と、成膜容器６０内に密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスを供給する密着促進剤供給機構８０と、加熱機構６２と密着促進剤供給機構８０とを制御する制御部１００とを有する。制御部１００は、基板を成膜容器６０内に搬入した後、加熱機構６２により、基板の温度を、基板にポリイミド膜を成膜するときの所定温度まで上昇させる間に、密着促進剤供給機構８０により密着促進剤ガスを成膜容器６０内に供給し、基板の表面を密着促進剤ガスにより処理するように、制御する。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】 放出装置によってマスク板が加熱されない有機薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】蒸気を放出しながら移動する放出装置３１〜３６を、マスク板１４と対面する位置を通過させ、マスク板１４の貫通孔底面に露出する部分の基板１３の成膜面に有機薄膜を形成する有機薄膜製造装置１０に於いて、高温に昇温される放出装置３１〜３５又は３６は、マスク板１４に近い位置を通過させないようにする。高温の放出装置３１〜３５又は３６が放射する熱によるマスク板１４の加熱が緩和され、マスク板１４が変形しないようになる。 （もっと読む）

【課題】帯状の基板を搬送しつつ連続的に基板表面の酸化処理と薄膜形成を行なうにあたって、差圧構造を設けることなく、単一の真空容器内で両処理を安定して実施できる生産性に優れた薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】真空中で、帯状の基板の表面上に、薄膜を形成する薄膜製造装置が、基板４を搬送する搬送機構と、搬送機構によって保持されている基板の表面上に、第一薄膜形成領域１５ａ内で薄膜を形成するための薄膜形成手段であって、第一薄膜形成領域と対向して配置され蒸着原料を収容する蒸着源３ａを含む薄膜形成手段と、基板の搬送経路において第一薄膜形成領域１５ａより前に配置され、基板の表面に向けてオゾン含有ガスを供給する第一ガスノズル１７ａと、搬送機構と、薄膜形成手段と、第一ガスノズルとを収容する真空容器と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 処理装置等に用いるキャンロールにおいて、その外周面と長尺樹脂フィルム基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入する際に、ギャップ部のギャップ間隔をほぼ一定にして、フィルムのシワ発生を防止することができるキャンロールを提供する。
【解決手段】 周方向に沿って略均等な間隔をあけ且つ全周に亘り回転軸方向に沿って配設された複数のガス導入路１１を有し、各ガス導入路１１はキャンロール１０の回転軸方向に沿って略均等な間隔で外周面１０ａ側に開口する複数のガス放出孔１２を有すると共に、外径が回転軸方向の中央部で最も長く且つ中央部から両端部に向けて次第に短くなるクラウン形状の外周面１０ａを備えている。 （もっと読む）

【課題】大気への開放後、すぐにメンテナンスを実施することが可能で、作業時間の短縮化を実現できる、スパッタ装置を提供する。
【解決手段】製膜室内に、基板２を挟んで、基板の一方側に、防着板により少なくともその基板側が被覆されたアノードバー７と、ターゲット３とが、その順に配置され、基板の他方側にヒータが配置されているスパッタ装置における保護カバー９ａであり、基板がアノードバーとヒータとの間に位置して、基板表面に薄膜をスパッタ中には保護カバーは、薄膜が当該保護カバーに薄膜が堆積しないように収納部１０に収納されており、スパッタ終了時には、アノードバーの少なくとも基板側と側面側とを覆うように配置される。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】ＬＡＳＥＲスクライブ法を用いてパターニングする際に、好適に除去できるモリブデン層を成膜可能な成膜装置、成膜基板製造方法、及び成膜基板を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１１Ｂ内において基板搬送方向Ｄの上流側から下流側にかけて不活性ガスの圧力勾配が生じさせる。この圧力勾配は、上流側の不活性ガスの圧力が高く、下流側の不活性ガスの圧力が低くなるように形成する。このような圧力勾配が生じた成膜室１１Ｂ内でモリブデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリブデン層を成膜することができる。この金属密度勾配では、モリブデン層の膜厚方向において、表面側から基板側へ近づくにつれて、密度が低くなるように密度勾配を形成する。このような密度勾配を有するモリブデン層にＬＡＳＥＲスクライブ法を適用すると、モリブデン層を好適に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜室内に保持された基板を三次元方向に移動させる機能を有すると共に、その機能に伴って設けられたベローズの内部に侵入する成膜関与物質の量を低減する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面に対して真空状態下で成膜処理する成膜室１０と、成膜室１０に形成された開口部１０ａを貫通して基板２を保持する基板保持手段２０と、基板保持手段２０を介して基板２を三次元方向に移動させる基板駆動手段３０と、基板保持手段２０の少なくとも一部を収容し、開口部１０ａに一方の端部６０ａを連通させるように設けられたベローズ６０と、基板保持手段２０が摺動可能となるように開口部１０ａを塞ぐ遮蔽手段８０と、遮蔽手段８０を成膜室１０の上部内壁面１０ｄに押し付ける付勢手段９０とを有する成膜装置である。 （もっと読む）