１つの実施の形態における本発明は、蒸発材料を含んだ複数の気体流を基材に送り出すという形で、蒸発材料を運ぶ第１の気体流を基材に提供して基材上で積層させること、気体流を囲む気体カーテンを形成することにより、目標印刷範囲を越えて気体流が拡散するのを防ぐこと、蒸発材料を目標印刷範囲で凝縮させること、に関する。また、別の実施の形態では、熱を利用して蒸発材料の流れと積層の厚みとを制御する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の貫通穴であっても、貫通穴内部に薄膜をカバレッジ良く形成することができ、かつ成膜レートを低下させないスパッタリング装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持部２０に、基板ホルダ２と基板１１とＯリング４によって囲まれる閉空間２１を形成し、その空間に流量及び圧力を制御した散乱用ガスを導入する。そのガスを基板１１の貫通穴３３を通じて真空チャンバー１内に流出させることにより、真空チャンバー全体のガス圧力を上昇させずに、貫通穴内部及びその近傍のみの圧力を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】マグネトロン方式のスパッタリングによるフィルム基板への成膜時や、プラズマ処理手段によるフィルム表面処理時に発生する熱によって、フィルム基板の変形や皺の発生を抑える。
【解決手段】真空処理装置は真空容器内で、ロール状フィルムを保持したフィルム送出手段からフィルムを送り出し、送り出されたフィルムが、フィルム搬送用ガイドロールを経て、真空処理手段領域において真空処理手段により真空処理が行われ、さらにフィルム搬送用ガイドロールを経て、フィルム巻取手段で巻き取るものであり、真空処理手段領域中を搬送中の該フィルムの真空処理を行うフィルム面の裏面側より冷却されたガスをフィルム基板裏面に吹き付けることができるフィルム冷却機構を具備している。 （もっと読む）

【課題】生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から２０ｍｍ以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い有機ＥＬ装置の蒸着装置及び方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置の蒸着装置５は、第１電極２３Ｒ等と、発光機能層と、第２電極とを基板２０上に備える有機ＥＬ装置１の蒸着装置５である。有機ＥＬ装置の蒸着装置５は、基板２０を収容し、内部が真空状態であるチャンバ４０と、チャンバ４０内で発光機能層を基板２０上に成膜するために蒸着材料を加熱蒸発する蒸着源４２と、蒸着源４２より基板２０に近い位置における不活性ガスの濃度が、基板２０より蒸着源４２に近い位置における不活性ガスの濃度と比較して濃くなるようにチャンバ４０内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段４５とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べ材料使用効率が高く、また、多数の基板に対して連続して成膜することができ、スループットの高い製造装置を提供することを課題とする。
【解決手段】予備加熱された有機材料を供給管を通して成膜室に導入し、さらに供給管の先端に設けられたノズルから加熱された容器に導入し、容器の加熱温度によって有機材料が蒸発し、容器と重なる位置に配置された基板に成膜が行われる成膜装置とする。有機材料を予備加熱することによって、基板への蒸着が開始できるまでに要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的にを昇華させることが可能な気化器を有する成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設置された基板に、気化した第１の物質と気化した第２の物質とを供給し反応させることにより前記基板上に第３の物質の膜を形成する成膜装置において、常温では固体である前記第１の物質を気化させて供給するための気化器を有しており、前記気化器は、前記第１の物質の粒子を供給するための供給部と、前記供給部の下部に設けられた段部を有する傾斜状の加熱部と、を有し、前記第１の物質の粒子は、前記段部を有する傾斜状の加熱部において気化されるものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給量が低減されたガスデポジション装置を提供すること
【解決手段】
上記課題を解決するための、本発明の一形態に係るガスデポジション装置１は、搬送管４に嵌合する位置と嵌合しない位置のいずれかをとる可動部材１５を有するガス規制機構と、微粒子流ｆの流路上の位置とそれ以外の位置をとる吸引口１８を有する吸引機構７とを具備する。
成膜停止時において、可動部材１５が搬送管４と嵌合することで、搬送管４の第１の開口４ｃに流入するガスの流量が規制される。同時に吸引口１８が上記規制されたガス流量を微粒子流ｆの経路上において吸引する。成膜時に搬送管４を流通して微粒子を搬送するガス流量の一部を、成膜停止時において微粒子の排出に流用することにより必要なガス供給量が低減される。 （もっと読む）

【課題】 二重回転シャッタ機構を有するスパッタリング装置でクロスコンタミネーションの防止を図ることができるスパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 二重回転シャッタ機構を構成する２枚のシャッタ板，のうち、ターゲット側に配設された第１のシャッタ板に形成された第１の開口部の周囲かつ第２のシャッタ板との間に円筒状の第２の防着シールドを取り付け、スパッタリングカソードと第１のシャッタ板との間には、ターゲットの前面領域の周囲を囲むように円筒状の第１の防着シールドが配設されることで、スパッタ物質が第１のシャッタ板と第２のシャッタ板の間、及び、第１のシャッタ板とスパッタリングカソードの間の隙間を通ることができなくなり、クロスコンタミネーションの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮することができ、なお且つ高減圧条件下で処理を行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器２と、被処理基板Ｗを処理する処理ユニット１Ａと、反応容器２内を減圧排気する真空ポンプ１５とを備え、反応容器２の被処理基板Ｗと対向する少なくとも一方側又は両側の側壁６ａ，６ｂには、処理ユニット１Ａが被処理基板Ｗと対向して配置されると共に、この処理ユニット１Ａを挟んで真空ポンプ１５が配置されている。これにより、反応容器２内の被処理基板Ｗの周囲に形成される反応空間Ｒの真空度を効率良く高めることが可能である。また、この反応容器２内を減圧排気するのに要する時間を短縮し、高真空度での処理を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ保護膜の結晶配向強度分布を改善する。
【解決手段】基板１０の一辺を先頭して搬送しながらＭｇＯ膜を成膜すると、基板１０の先頭と直角な二辺（両側辺）が、両側辺の間の中央よりも（１１１）結晶配向強度が低くなる。アニール用のヒーター３８を複数本の細長ヒーター３８ａに分割し、基板１０の両側辺が中央よりも高温になるよう加熱すると、両側辺の（１１１）結晶配向強度が高くなり、（１１１）結晶配向強度の面内分布が向上する。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子を高いスループットにて堆積させることができるナノ粒子堆積技術を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１０には、基板保持部３０に保持された基板Ｗの直下にＫセル４０が配置されている。Ｋセル４０のるつぼ４１にはナノ粒子の原材料となるコバルトが投入される。るつぼ４１の開口部はガス噴出治具５０のガス噴出部５１によって覆われている。ガス噴出部５１は上端にアパーチャ５２を形成したテーパ面を有しており、その内側が蒸気発生空間４５とされる。るつぼ４１を加熱してコバルトの蒸気が発生している蒸気発生空間４５にガス供給部６０からヘリウムガスを供給する。ヘリウムガスはアパーチャ５２から噴出されて基板Ｗへと向かう気流を形成する。コバルトの蒸気はヘリウムガスの気流によってクラスターを形成しつつ基板Ｗまで運搬される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマが不安定に成らない様にする。
【解決手段】 絶縁性物質で形成された円筒部材２と、プラズマガスを円筒部材２内に供給するためのガスリング３と、粉末材料とキャリアガスを円筒部材２内に供給するためのパイプＱ´が挿入されており、ガスリング３の中心軸に沿って設けられたプローブ１１´と、円筒部材２の外側に巻かれた誘導コイル４を備えており、誘導コイル４に高周波電力を供給することによって円筒部材２内に高周波誘導熱プラズマを発生させる様に成っている。パイプＱ´の少なくとも先端部分とプローブ１１´の中心孔Ｈ内の少なくとも先端部分のそれぞれに係脱可能な係合部を形成している。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて被処理体を回転させながら処理する処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、処理源１５５を用いて内部にて基板Ｇを処理する処理容器１００と、処理容器１００の壁部に配設され、基板Ｇを処理容器内に搬入又は処理容器内から搬出する複数のバルブＶと、処理容器１００の底面に対して鉛直方向の中心軸Ｏを中心に点対称に配置され、処理容器内にて中心軸Ｏを中心に回転可能な複数のステージ１１０ａ，１１０ｂと、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂを支持し、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちのいずれかのステージを複数のバルブのうちのいずれかの搬送口近傍まで回転させるタイミングに併せて、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちの他のいずれかのステージを複数のバルブＶのうちの他のいずれかのバルブＶの近傍まで回転させるステージ支持部材１１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】昇華する昇華材料を安定的に合成樹脂フィルム上に付着させることにより成膜して合成樹脂フィルムの上の成膜の特性を向上させること。
【解決手段】本発明の真空成膜装置１は、真空雰囲気下にある真空室内において合成樹脂フィルム７の少なくとも一方の面に昇華される昇華材料を蒸着して成膜する。真空成膜装置１は、材料容器９に収容された昇華材料９ａを電子線発生手段８の電子線により昇華させる手段と、昇華材料９ａの近傍に加熱水蒸気を供給する加熱水蒸気供給手段１４と、昇華材料９ａ及び前記加熱水蒸気の両方にマイクロ波を照射させて昇華材料９ａの蒸気を酸化反応させるマイクロ波発生手段１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】蒸発源で形成した超微粒子を効率的にノズルへと搬送することができる構造物形成装置を提供する。
【解決手段】金属材料またはセラミックス材料を含む蒸発源となるターゲット１０７と、前記ターゲット表面から放出粒子を放出させるためのレーザー光線１１２と、前記放出粒子にガスを導入するためのガス噴射手段と、前記ターゲットの前記表面近傍において、前記放出粒子と前記ガスとを混合し冷却して混合相を形成するナノ粒子発生室１０３と、室内を大気圧未満に減圧するための減圧手段１１７と、構造物形成用の基板１１５が配置される成膜室１０５と、前記混合相を前記基板に向けて噴射するノズル１０と、を備え、前記ナノ粒子発生室１０３と前記成膜室１０５との圧力差により、前記ナノ粒子を前記ノズル１０より前記基板１１５に向けて高速で噴射して前記基板１１５上に構造物を形成する構造物形成装置。 （もっと読む）

【課題】（１１１）結晶配向性及び膜密度分布の良いＭｇＯ膜を成膜する。
【解決手段】成膜室２２内の搬送機構２９よりも成膜材料室２３側で、開口２８よりも外側、かつ、搬送機構２９によるガラス基板１０の搬送経路上で、開口２８の上流側の端部よりも上流側と、下流側の端部よりも下流側に２つのガス噴出管３３ａ、３３ｂを設けて、ガラス基板１０の、搬送方向と平行となる二辺部分に、中央部に対し相対的に多くの反応ガスを吹き付けながら成膜した。その結果、（１１１）結晶配向強度が向上し、ＭｇＯ膜の（１１１）結晶配向強度の差が小さくなることで分布のばらつきが減り、さらに、ＭｇＯの膜密度分布も改善された。 （もっと読む）

【課題】（１１１）結晶配向性及び膜密度分布の良いＭｇＯ膜を成膜する。
【解決手段】搬送方向と平行な方向に向けられており、搬送方向と直交する方向に複数の細長ヒーター３６ａを並べ、中央部の細長ヒーター３６ａを両端部の細長ヒーター３６ａよりも高温とし、ガラス基板１０を加熱しながらＭｇＯ膜の成膜を行った結果、（１１１）結晶配向強度が向上し、ＭｇＯ膜の（１１１）結晶配向強度の差が小さくなることで分布のばらつきが減り、さらに、ＭｇＯの膜密度分布も改善された。 （もっと読む）

スパッタリング装置は，少なくとも１つの側壁と，基板と，覆部とによって形成された真空チャンバーと，真空チャンバー内に配置された面を有する少なくとも１つの第１の電極と，真空チャンバー内に配置された面を有する対向電極と，高周波発生器とを備える。高周波発生器は，少なくとも第１の電極と対向電極間でプラズマを点火するように第１の電極と対向電極へ高周波電場を印加するよう構成されている。対向電極は，真空チャンバーの側壁及び／または基板の一部及び付加的な導電部材を備える。この付加的な導電部材は互いに一般的に平行に配置されると共に互いにある距離離隔した少なくとも２つの面を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明に係るスパッタ装置は、シード層を形成する際に貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止するスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、反応室と、前記反応室の内部に配置され、所定の金属材料からなるターゲットと、前記反応室の内部に前記ターゲットと離間して配置され、貫通孔が形成された基板を保持する基板保持部材と、前記基板の成膜面の背面側に位置する前記反応室の壁面に設けられ、前記反応室の内部に気体を供給する気体供給口と、を備え、前記気体供給口から前記基板の貫通孔を通して前記反応室の内部に前記気体を供給する。 （もっと読む）