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Fターム[4K029DA06]の内容

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Fターム[4K029DA06]に分類される特許

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物理蒸着処理、化学蒸着処理、またはこれらの組合せによって、基板を被膜するように設計された被膜用の装置が提供される。前記被膜用の装置は、軸方向に移動可能なシャッタ(18)によって被膜可能な回転可能なマグネトロン(14)を用いる点に特徴がある。このような構成によって、後続する被膜のためのステップ間または後続する被膜のためのステップ中に、マグネトロンターゲットを清浄に保持するかまたはターゲットを清浄化することができる。シャッタは、ターゲットの近傍に制御可能なガスの雰囲気をさらにもたらす。マグネトロンが中心に配置されてもよく、従って、基板は、マグネトロンを中心として回動する遊星状の回転体(24)に吊り下げることによって、あらゆる角度からスパッタリング源に晒されることとなる。
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【課題】有機層へのダメージを抑制しながら膜厚のばらつきが小さくなるように有機層に電極を形成して発光素子を製造する発光素子の製造方法と、有機層へのダメージを抑制しながら、膜厚のばらつきが小さくなるように該有機層上に導電層を成膜する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、互いに対向する2つのターゲットと、プラズマ励起される処理ガスを前記処理容器内に供給するガス供給手段と、を有し、前記2つのターゲットに電圧を印加して前記処理ガスをプラズマ励起することで、前記被処理基板上の有機層上に導電層を成膜するよう構成されていることを特徴とする成膜装置。 (もっと読む)


【課題】食品、日用品、医薬品などの包装分野において、また電子機器関連部材などの分野において、包装材料としての通常の加工が施されてもガスバリア性が劣化しない、特に高いガスバリア性が必要とされる場合に、好適に用いられる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】透明なプラスチックフィルムからなる基材層1の表面に、一般式AlOx(但し、式中のx値は0〜1.7)で表され、さらに層表面から基材層1に向かう深さ方向にかけてx値が増加しており、さらに層最表面のx値が1.2以下である厚さ5〜300nmの酸化アルミニウム蒸着薄膜層2と、重合しうるアクリル系のモノマーからなる又はこのモノマーとオリゴマーとの混合物からなる未硬化のフラッシュ蒸着被膜層を、紫外線又は電子線を照射して硬化させてなる、厚さ0.02〜10μmのガスバリア性被膜層3とを、真空中において順次積層したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】均一な超撥水膜を成膜することができるプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】円柱状又は短冊状で軸中心部31aが周辺部31よりも密度が高い分布をもつプラズマを用い、圧力が高く気体の拡散が少ない雰囲気下で気相成長もしくは重合により基板28に成膜を行う成膜装置において、反応ガス32を供給するガス管27が複数に分岐され、該分岐されたガス管の噴出口はガス流が該プラズマの軸中心の周辺部に向かって噴出されるように配置され、かつ、該基板は成膜面33の背面側から覆われるように囲い36が設置されていることを特徴とするプラズマ成膜装置。 (もっと読む)


【課題】酸化膜のスパッタリング効率を向上させる。
【解決手段】ターゲット室15から区画して酸素供給室27を設ける。導入口26を通してターゲット室15にアルゴンガスを導入し、導入口30を通して酸素供給室27に酸素ガスを導入する。円筒状のターゲット12の内部に磁石ユニット22aを設け、マグネトロン方式でスパッタリングを行う。酸素供給室27はスパッタ原子が飛散する経路に面して吐出口31を備え、スパッタ原子を酸化する。酸素供給室27の内部に、放電電極35が設けられ、酸素供給室27内で酸素ガスを活性化する。ターゲット室15と酸素供給室27とがそれぞれ空間的に区画されているので、スパッタリングと酸素ガスの活性化とが互いに影響を受けずに効率化される。 (もっと読む)


【課題】 本発明はプラズマ発生効率を向上させるようチャネルの内壁に最適の2次電子放出効果のある2次電子増幅コーティング層が備えられたプラズマ加速装置およびそれを備えるプラズマ処理システムが提供される。
【解決手段】 プラズマ加速装置は、内壁、該内壁と所定距離隔てて内壁を取り囲む外壁と、内壁と外壁の一端部をオープンする出口を形成するよう内壁と外壁の他端部を連結する端部壁を備えるチャネルと、チャネル内にガスを供給するガス供給部と、チャネル内のガスにイオン化エネルギーを供給してプラズマビームを生成し、生成されたプラズマビームを出口側に加速させるプラズマ生成/加速部と、を含み、チャネルの内壁、外壁、および端部壁の少なくとも1つの内面にはカーボンナノチューブから構成された第1層を備えるコーティング層が形成される。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ膜にアウトガスが混入してしまう確率を小さくし、その膜質向上を可能としたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ10内にターゲット40とウエーハWとが配置され、ターゲット40から飛び出たスパッタ粒子をウエーハWに付着させてスパッタ膜を形成するスパッタ装置100であって、ターゲット40からウエーハWに至るスパッタ粒子の行程を含む空間Sの周りに設けられ、当該空間Sから該チャンバ10の内壁へのスパッタ粒子の飛散を防止するチャンバ内の内部治具60と、内部治具60で仕切られた空間Sにアルゴンガスを導入する流入口65と、内部治具60の底部に設けられた排出口62と、を備えたものである。HO、H等のアウトガスをアルゴンガスの流れに乗せて排出口62から効率良く排出でき、上記空間Sでのアウトガスの滞留を防ぐことができ、スパッタ膜へのアウトガスの混入を少なくできる。 (もっと読む)


【課題】オゾン導入手段により基板洗浄と酸化物薄膜の形成を連続的に行うことを可能とする連続式成膜装置及び方法を提供する。
【解決手段】排気手段を備える真空槽、基板表面に成膜材料を堆積させる成膜手段、成膜手段に対面する成膜位置に順次基板を供給する搬送手段、および、基板表面にオゾンを吹き付けるオゾン導入手段を備える連続式成膜装置において、オゾン導入手段を用いて成膜位置に供給される直前の基板にオゾンを吹き付ける構成とした。 (もっと読む)


【課題】 成膜開始時、成膜時、及び、成膜停止時における配管系、原料容器、及び、吹き出し容器に残留する有機分子等を迅速に吹き出すことにより、高品質で長寿命の膜、特に、有機EL膜を得ることである。
【解決手段】 吹き出し容器に有機EL分子ガスを吹き出す構成を備えた成膜装置において、複数の有機EL原料容器と、複数の有機EL原料容器と吹き出し容器とを接続する配管系を有し、複数の有機EL原料容器は選択的に有機EL分子供給状態となり、当該配管系は、各有機EL原料容器内に、成膜時と非成膜時において同じ圧力となるように、輸送ガスを供給するように構成されている。非成膜時、輸送ガスは有機EL原料容器の一つから他の原料容器に流される。 (もっと読む)


【課題】蛍光体層における柱状結晶の成長状態が均一で、画質ムラがない蛍光体シートを製造することができる蛍光体シート製造装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ12と、真空チャンバ内を、側面に設けられた排気口を介して排気する真空排気手段と、容器に収納された蓄積性蛍光体層の成膜材料を抵抗加熱によって加熱し、容器の開口部から成膜材料の蒸気を放出させる抵抗加熱手段と、抵抗加熱手段の上方において、基板を保持する基板保持手段14と、蛍光体層の成膜中に、真空チャンバ内の真空度を調整するために、少なくとも1つのガス導入口を介して真空チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入手段とを有する。ガス導入口60a,62aの縁部と排気口の縁部とを直線的に結んで形成される第1の領域と、抵抗加熱手段の容器の開口部の縁部と基板Sの縁部とを直線的に結んで形成される第2の領域とが交わらないようにガス導入口が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ALD法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ALD法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ11内に基板ステージ12を配置し、ターゲットを有するスパッタリング成膜手段4を、ターゲット41aと処理基板とを相互に対向させて設ける。真空チャンバをターゲットが存する第1空間51と基板ステージが存する第2空間52とに仕切る仕切り板5を設け、仕切り板に処理基板が臨む開口部5aを形成し、開口部を覆って第1空間及び第2空間相互の隔絶を可能とする閉位置と、開口部を開放する開位置との間で移動自在な遮蔽手段6を配置する。化学的成膜法により成膜を行い得る化学的成膜手段を第2空間に設ける。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気記録媒体のグラニュラー記録層において磁性粒子と非磁性粒界を適切に分離し、磁性粒子の磁気異方性を損なうことなく粒子間の磁気的相互作用を低減し、媒体ノイズを低減する。
【解決手段】CoとPtとCrとを含む合金結晶粒子と、SiとOとを含む非磁性粒界を含み、記録層中のSi原子数に対するO原子数の比率が2.5以上5以下、記録層中のSi原子含有率が3〜6原子%、O原子含有率が12〜20原子%である垂直磁気記録媒体を用いる。また、記録層の形成時、基板中心に対し同心円状に並ぶ気体導入口より酸素を含むプロセスガスを導入することにより、記録層の媒体面内の任意の点における垂直保磁力の分布を、平均値の±10%以下とする。 (もっと読む)


【課題】 蒸発材料の放出濃度が高い蒸発材料の放出口付近であっても蒸発材料の放出量を長期間測定することができる蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 蒸発材料取出用孔部4c(5c)の縁部に設けられた熱電対21a(21b)と、放出用容器4(5)の加熱設定温度と熱電対21a(21b)により検出された測定温度との温度偏差を算出する監視制御装置11とを具備し、温度偏差に基づき、放出レートすなわち蒸発材料の放出量割合を求めるようにしたので、従来の水晶振動子式のように蒸発材料が堆積する膜厚計を蒸発材料の放出濃度が非常に高い場所に設置して放出量割合を検出する場合とは異なり、蒸発材料が堆積する問題がなく連続して長期間使用することができ、したがって蒸着装置の稼働率が低下することを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】堆積膜の形成面の全域に亘って高品質な堆積膜を得ることができる反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】処理容器内にターゲットと基体を配置し、スパッタリング粒子と、処理容器内に供給した反応ガスとの反応物を基体上に堆積させる反応性スパッタリング方法として、前記ターゲットから前記基体上に前記スパッタリング粒子が飛来する空間に、前記基体の堆積膜の形成面に接触することなく、前記基体の堆積膜の形成面を実質的に複数の領域に区切るように仕切り板を配置し、前記仕切り板によって囲まれたそれぞれの空間内に前記仕切り板によって区切られた領域のそれぞれに向けて配置した反応ガス供給ノズルから、前記スパッタリング粒子の堆積速度に応じた流量の反応ガスを、前記仕切り板によって区切られた領域のそれぞれに設置した前記基体の堆積膜の形成面に供給する。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗変化率(MR比)等の磁気特性に優れたGMR及びTMR膜を高い歩留まりで製造可能な磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも1つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を8.0×10−3Pa以下として形成する。スパッタ装置は、カソードと基板ホルダとが配置された真空容器と、真空容器の排気口に連結された第1の排気装置と、ターゲットの表面近傍へのガス導入機構と、を備え、ターゲット表面近傍とその外側の中間空間との間で圧力差をつける第1の圧力調整手段と、中間空間と基板の表面近傍との間で圧力差をつける第2の圧力調整手段と、中間空間を排気する第2の排気装置とを設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 異常放電の少ない薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空槽11に設けられた排気口11dからの排気と、成膜プロセスゾーン20への少なくとも反応性ガスを含むスパッタガスの導入とを行いながらターゲット29a,29bに対するスパッタによって薄膜を形成する薄膜形成方法である。成膜プロセスゾーン20へのスパッタガスの導入は、排気口11dから近い位置に設けられた第1のスパッタガス導入管2aからのスパッタガスの導入と、排気口11dから遠い位置に設けられた第2のスパッタガス導入管2bからのスパッタガスの導入とで行う。第1のスパッタガス導入管2aから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第2のスパッタガス導入管2bから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 (もっと読む)


処理チャンバに配置された材料をアニールしてケイ化物層を形成するための方法及び装置が提供される。1つの態様において、シリコン材料が配置された基板を、チャンバ内の基板支持体上に配置するステップと、少なくともシリコン材料上に金属層を形成するステップと、上記基板をその場でアニールして、金属ケイ化物層を生成するステップとを備えた基板面を処理する方法が提供される。別の態様において、この方法は、ロードロックチャンバと、該ロードロックチャンバに結合された中間基板移送領域であって、第1基板移送チャンバ及び第2基板移送チャンバで構成される中間基板移送領域と、上記第1基板移送チャンバに配置された物理的気相堆積処理チャンバと、上記第2基板移送チャンバに配置されたアニールチャンバとを備えた装置において実行される。
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基体を被覆するための装置は、大気圧より低い圧力に維持された蒸着室、前記蒸着室に伴われた二つ以上の拡張性熱プラズマ源(14)を含む一つ以上の配列体、及び各配列体についてオリフィス(15)を含む少なくとも一つの注入器(13)を含む。基体を蒸着室中に配置し、各拡張性熱プラズマ源により中心軸を有するプラズマジェットを生じさせ、同時に注入器によりプラズマ中へ気化反応物を注入して基体上に蒸着された被覆を形成する。注入器オリフィスは、全体的に均一な被覆特性を有する被覆が一般に得られるように、拡張性熱プラズマ源から特定の距離以内に位置させる。
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