【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又はβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶に一定周期で間欠的にＳｎを添加する工程を含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜３を製造する。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供する。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体１０を脱ガスし、第１の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料が成膜された基体を、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向で第２成膜室４２へ案内し、第２の方向に案内中の基体の第１の面とは反対側の第２の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第１の面に第１の膜材料が成膜され且つ第２の面に第２の膜材料が成膜された基体を第１ロール室と第２ロール室の間に設けた第３ロール室Ｗ３でロール状に巻取り、第３ロール室で巻き取った基体を第１の方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１の面を被成膜面として第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスし、基体の第１の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室でロール状に巻取り、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出し、第２の膜材料の上に第１成膜室において第１の膜材料を成膜し、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室でロール状に巻取り、第１ロール室で巻き取った基体を第１の面とは反対側の第２の面を被成膜面として、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】繰り返しスパッタリング成膜を行った場合であっても、成膜される薄膜に構造欠陥が生じ難いスパッタリング成膜装置及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング成膜装置１は、チャンバ１０ｂと、ホルダ１１と、加熱装置とを備えている。ホルダ１１は、チャンバ１０ｂ内に配されている。ホルダ１１には、被成膜部材が取り付けられる。加熱装置は、ホルダ１１を加熱する。加熱装置は、遠赤外線をホルダ１１に照射する遠赤外線ヒーター２０と、近赤外線をホルダ１１に照射する近赤外線ヒーター２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる信号処理回路を提供する。
【解決手段】記憶素子に電源電圧が供給されない間は、揮発性のメモリに相当する第１の記憶回路に記憶されていたデータを、第２の記憶回路に設けられた第１の容量素子によって保持する。酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを用いることによって、第１の容量素子に保持された信号は長期間にわたり保たれる。こうして、記憶素子は電源電圧の供給が停止した間も記憶内容（データ）を保持することが可能である。また、第１の容量素子によって保持された信号を、第２のトランジスタの状態（オン状態、またはオフ状態）に変換して、第２の記憶回路から読み出すため、元の信号を正確に読み出すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高蒸着速度の電子ビーム物理的蒸着による燃料電池用の固体酸化物電解質を提供し、さらにこの固体酸化物電解質を使用した燃料電池を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、高蒸着速度の電子ビーム物理的蒸着による燃料電池用の固体酸化物電解質であって、柱状酸化物微細構造を有している。前記酸化物電解質は、前記燃料電池のアノードとカソードとを気体密封するに十分に高密である。アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間の酸化物電解質とからなる燃料電池であって、前記酸化物電解質は、複数の酸化物柱からなる微細構造を有する。前記酸化物柱は、前記アノードおよび前記カソードの対向面に対して直角の方向に延長している。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体１０に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第２成膜室４２において第２の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室で巻取る段階、第２ロール室で巻き取った基体を第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出す段階、第２の方向に繰り出された基体の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室で巻取る段階、を備える。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂには、内壁面より内側を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。ガス凝結捕捉装置７０は、ロードロック室１１Ｂの内壁面付近に配置され、低温流体の、ロードロック室外からの導入とロードロック室内での循環を許容する配管７２を含み、低温流体を配管７２に導入し循環させることによって低温化した配管７２の外側表面にロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成を凝結捕捉させる。 （もっと読む）

【課題】寸法安定性に優れたディスプレイ用フィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】バリア層を設ける前の段階において、プラスチックフィルムに張力を加えることなくガラス転移温度より低い温度であって、前記ディスプレイ用フィルム基板上にカラーフィルタまたは駆動素子等のディスプレイ部材を形成する工程の温度以上の所定の温度で加熱処理して、歪みを解消し、その後の工程での寸法安定性を維持可能とした。そして、プラスチックフィルムの両面にバリア層を設けるようにして、さらに寸法安定性を増すとともに、ガス透過の防止をした。 （もっと読む）

【課題】 自動車部品のような使用環境が苛酷な用途においても優れた耐食性を発揮する、ＭｇまたはＭｇ合金からなる基材に対する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 以下の工程を少なくとも含んでなることを特徴とする。
工程１：ＭｇまたはＭｇ合金からなる基材の表面に陽極酸化被膜を形成する工程
工程２：工程１において形成した陽極酸化被膜を２５０℃以上で加熱処理する工程
工程３：工程２において加熱処理した陽極酸化被膜の表面に膜厚が２０μｍ以上のＡｌ蒸着被膜を０．１μｍ／分〜０．５μｍ／分の成膜速度で形成する工程
工程４：工程３において形成したＡｌ蒸着被膜の表面に陽極酸化被膜を形成してからその表面を熱水処理する工程 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムをチャネル材料とする金属／ゲルマニウムからなるソース／ドレイン構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体と金属とが接合してソース／ドレイン構造を形成する半導体素子において、ゲルマニウム（Ｇｅ）を３価元素（又は５価元素）でドーピングしたｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）をチャネル２の材料とし、当該ｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）の任意の結晶面における原子配置と同一の原子配置である結晶面を有する金属３を、前記同一の原子配置である結晶面で接合して界面を形成し、当該形成された界面を用いたソース／ドレイン構造を有する。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜の強度を高めることができるとともに、小型化を図ることができるようにする。
【解決手段】本発明は、連続して搬送される被成膜基材Ｐに非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜形成部Ｅを有するロールコーター装置において、その非晶質炭素膜形成部Ｅに至る上記搬送経路αの上流側に、上記被成膜基材Ｐを加熱するための加熱機能部Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｈを配設したものである。 （もっと読む）

【課題】基板内の温度差を抑制し、基板に生じる応力を緩和することが可能な成膜装置、及び成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と接触して基板を搬送する回転自在の搬送ローラーの回転を正回転と逆回転とで切り替えて、基板を加熱または冷却しながら基板を往復動させる。これにより、基板と搬送ローラーとの接点の位置を変化させ、特定部位のみが搬送ローラーと接触すること回避し、基板内の温度差を抑制する。また、基板を往復動させることで、加熱／冷却手段の設置範囲を拡大せずに、基板の加熱／冷却を行うことができる。また、搬送ローラーを回転させながら、基板を加熱／冷却するため、基板と搬送ローラーとの摩擦係数を低減することができ、基板と搬送ローラーとの接点をずらし、基板の伸縮を許容する。 （もっと読む）

【課題】PZT圧電体層をアーク放電イオンプレーティング（ADRIP）法によって形成する前に真空雰囲気下でウェハを加熱した場合、PZT圧電体層の絶縁破壊電圧が小さく、この結果、印加電圧を大きくできず、圧電アクチュエータの信頼性が低かった。
【解決手段】単結晶シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成し、酸化シリコン層上にスパッタリング法によってTi密着層を形成し、引き続いて、Ti密着層上にスパッタリング法によってPt下部電極層を形成する。次に、ADRIP装置において、ADRIP本処理の前処理として酸素雰囲気において約500℃までウェハを加熱する。引き続き、同一ADRIP装置において、Pb蒸発源のPb蒸発量、Zr蒸発源のZr蒸発量及びTi蒸発源のTi蒸発量を制御してPbZr_xTi_1-xO₃の組成比Pb/(Zr+Ti)が1.2以下となるようにする。最後に、PZT圧電体層上にスパッタリング法によってPt上部電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール方式の成膜装置において、基板幅方向全幅にわたって蒸着膜を形成することができる、量産性に優れた成膜装置を提供する。
【解決手段】表面と裏面を有する帯状の基板の表面上に、薄膜を形成する成膜装置１００が、基板を搬送するための、２つのロール３、８を含む搬送機構と、２つのロールに巻き付けられ直線状に保持されている基板４の表面上に、薄膜形成領域内で薄膜を形成するため、薄膜形成領域と対向して配置され薄膜原料を収容する原料容器９を含む薄膜形成手段と、基板の表面の幅方向全幅にわたって薄膜が形成されるように薄膜形成領域を確定する遮蔽部材と、拡散防止部材７０とを含む。拡散防止部材は、薄膜形成領域において、基板の裏面と対向して、基板とは接触しないように配置され、かつ、原料容器から見て、基板の幅方向両端から突出する突出部を有し、当該突出部が、基板を搬送する方向に対し平行ではない方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れた表面被覆部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面被覆部材は、鋼系部材もしくは超硬合金部材からなる基部にＰＶＤ法によりＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＡｌおよびＣｒの少なくとも１種以上の窒化物、炭化物または炭窒化物からなる第１層と、第１層上に被覆されたＡｌ−Ｃｒ系窒化物の第２層と、または第１層上に被覆された傾斜層であるＡｌ−Ｃｒ系窒化物の第２層を有する。表面被覆部材の製造方法は、鋼系部材もしくは超硬合金部材からなる基部にＰＶＤ法によりＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＡｌおよびＣｒの少なくとも１種以上の窒化物、炭化物または炭窒化物からなる第１層を被覆し、第１層上にＡｌ−Ｃｒ系窒化物の第２層を被覆し、または第１層上に傾斜層であるＡｌ−Ｃｒ系窒化物の第２層を被覆することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＬ材料の利用効率を高め、且つ、ＥＬ層成膜の均一性やスループ
ットの優れた成膜装置の一つである蒸着装置及び蒸着方法を提供するものである。
【解決手段】
本発明は、蒸着室内において、蒸着材料が封入された容器を複数個設置した細長い矩形形
状の蒸着源ホルダ１７に設け、基板１３に対してあるピッチで移動しながら蒸着を行うこ
とを特徴とする。また、基板の一辺に対して矩形形状の蒸着ホルダの長手方向を斜めにし
たまま移動させてもよい。また、ＴＦＴ作製時におけるレーザー光の走査方向に対して、
蒸着時における蒸着ホルダの移動方向を異ならせることが好ましい。 （もっと読む）