本発明は、気相からの堆積により、特にPVD（物理蒸着）又は反応性PVD法に従って気相からの物理的な堆積により、基材コンポーネントの表面処理及び/又はコーティングするための機構に関する。複数の基材キャリアと複数のコーティング及び/又は処理ユニット、例えば、蒸発器の源、陰極、ターゲット、マグネトロン、フィラメント陰極、及びエッチング陽極などは、真空にすることができる堆積又は処理チャンバー内に配置されている。システムのより経済的な利用のために、設備に1つのバッチで導入される基材コンポーネントを、異なる処理（例えば、コーティングや、表面処理など）にかけることができるように、モジュール方式で装備することができる。さらに、本発明は、基材コンポーネントの表面処理及び/又はコーティングするための新たな方法を提供し、この方法を使用することにより、PVD（物理蒸着）又は反応性PVD法によるコーティング設備が大幅にコスト効率よく操作させることができる。それは、以下の方法の工程を特徴とする：a）基材コンポーネントのための所望のコーティング又は処置プログラムに従って、堆積又は処理チャンバー内に、モジュールから、コーティング及び/又は処置ユニット（蒸発器、陰極、ターゲット、マグネトロン、フィラメント陰極、及び腐食性の陽極など）及び遮蔽素子を作り上げ、b）同じ処理を受けることになる基材コンポーネントを基材キャリアに設置し、c）堆積または処理チャンバーを閉じ、d）1つのバッチで、基材キャリア上にグループで結合される基材コンポーネントに対する個々の処理又はコーティングプログラムを実行する。
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【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置全体の小型化を図れ、また効率的な処理を行えるマルチチャンバ式のスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタ成膜装置は、基板保持具に対して基板Ｗの脱着が行われる脱着機構１６と、基板Ｗに対して前処理が行われる前処理室３４と、基板Ｗに対してスパッタ成膜処理が行われる複数の成膜室３５ａ〜３５ｄとを備え、それぞれの成膜室３５ａ〜３５ｄ内には基板Ｗを静電吸着した状態で回転可能な静電チャックテーブル６２が設けられ、一つの成膜室につき複数のスパッタ源５１が設けられ、それぞれのスパッタ源５１には静電吸着面６２ａに対して傾斜した状態で対向するターゲット５０が装着され、それぞれの成膜室３５ａ〜３５ｄ内には複数のスパッタ源５１のうちの少なくとも１つを成膜室内の放電空間に対して遮蔽可能なシャッター６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】特に生鮮食品、加工食品、医療品、医療機器、電子部品等の包装用フィルムの少なくとも片面にセラミック薄膜を形成するために使用される真空蒸着材料に関するものであり、例えば電子ビーム方式による真空蒸着において、蒸着材料の加熱開始から蒸発するまでに、より少ないエネルギー、すなわち短時間、低パワーの加熱で蒸発が可能となる蒸着材料を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素粉末およびカーボン粉末を用いて形成された蒸着材料であって、前記カーボン粉末の割合が、前記酸化ケイ素粉末に対し３〜１０重量％であることを特徴とする蒸着材料。 （もっと読む）

【課題】突入電流やノイズを発生させずに加熱ランプを昇温させる。
【解決手段】加熱ランプ１５を室温から昇温させる場合、室温から変更温度までは位相制御で昇温させ、変更温度から処理温度まではサイクル制御で昇温させる。処理温度から変更温度よりも低い最低温度まで降温した場合、サイクル制御によって処理温度まで上昇させる。加熱ランプのフィラメントが低抵抗の室温のときは、位相制御を用いているので突入電流が発生せず、変更温度以上のときは、サイクル制御を用いているのでノイズが発生しない。 （もっと読む）

【課題】 離型剤が極めて少ない、又は離型材フリーの使用環境でも、焼付きやヒートチェックの発生を格段に抑制できる、耐久性に優れたダイカスト用被覆金型およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 工具鋼を基材とするダイカスト用金型の表面に皮膜を被覆したダイカスト用被覆金型であり、該皮膜がコランダム構造からなる酸化物皮膜であるダイカスト用被覆金型である。
そして、ＣｒターゲットおよびＡｌＣｒ合金ターゲットを用いた物理蒸着法により、工具鋼を基材とするダイカスト用金型の表面にコランダム構造からなる酸化物皮膜を被覆する方法であって、基材の表面にＣｒの酸化物であるＡ層を被覆した後に、ＡｌおよびＣｒの酸化物であるＢ層を交互に被覆するダイカスト用被覆金型の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系透明導電薄膜の膜厚が薄い場合（特に膜厚が１００ｎｍ程度以下の場合）にも、低抵抗値を示し、かつ湿熱環境下においても抵抗値の変化率が小さい、透明導電フィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機高分子フィルム基材(1)を含む透明導電フィルムにおいて、有機高分子フィルム基材(1)上に形成された、可視光透過率が高い第一の酸化物薄膜(2)と、第一の酸化物薄膜(2)上に形成されたＺｎＯ系透明導電薄膜(3)とを有し、第一の酸化物薄膜(2)は、ＺｎＯ系透明導電薄膜(3)が形成される前の酸素量が化学量論値の６０〜９０％であることを特徴とする透明導電フィルムとする。 （もっと読む）

【課題】従来の酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｃｒ_１−ｘＳｉ_ｘ）Ｏ_ｙからなり、
０．０１０≦ｘ≦０．３０、および０．８≦２ｙ／（ｘ＋３）（ｘはＳｉの原子比を示し、ｙはＯの原子比を示す。）を満たすことを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置および基板温度測定方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる半導体ウェハーＷはサセプタ７０に保持された石英製の保持プレート７４の上に水平姿勢にて載置される。保持プレート７４には、上下に貫通して開口部７８が穿設されている。放射温度計１２０は、半導体ウェハーＷから放射される赤外光を保持プレート７４の開口部７８を介して受光する。放射温度計１２０の視野からは石英が除かれており、放射温度計１２０は半導体ウェハーＷの下面を直接測定することができる。このため、放射温度計１２０は、保持プレート７４に保持された半導体ウェハーＷの温度を直接かつ正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】光照射の総時間が１秒以下の光照射加熱において、ピークが発光出力ＬＰとなる出力波形にて半導体ウェハーに光照射を行う第１段階と、そのピークが過ぎた後に発光出力ＬＰよりも小さな発光出力にて半導体ウェハーＷに追加の光照射を行う第２段階と、によって構成される２段階照射を行う。第２段階の発光出力はピーク時の発光出力ＬＰの３分の２以下である。第１段階の光照射時間は０．１ミリセカンド以上１０ミリセカンド以下であり、第２段階の光照射時間は５ミリセカンド以上である。半導体ウェハーの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質皮膜であるＴｉＡｌＮや酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｔｉ_ａＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．３≦ａ≦０．７、０．３≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２を満たすことを特徴とする硬質皮膜、または、（Ｔｉ_ａＣｒ_ｄＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．０５≦ａ≦０．４、０．１≦ｄ≦０．８５、０≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｄ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２満たすことを特徴とする硬質皮膜（ａ，ｄ，ｂ，ｃはＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの原子比を示し、ｘはＯの原子比を示す。） （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とプラズマ処理を、同じ位置において連続的に実施することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 基板６とプラズマ電極用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド４と、アースシールド４の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板５（５ａ、５ｂ）とを備えている。プラズマ処理を行わない時には、遮蔽板５がアースシールド４の開口部を覆ってプラズマ電極用金属板３と基板６の間を遮蔽するので、プラズマ放電により加熱された遮蔽板５で基板６を加熱処理することができる。また、プラズマ処理時には、遮蔽板５ａ、５ｂが移動してアースシールド４の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくプラズマ電極用金属板３と対向した基板６上にプラズマ処理をすることができる。 （もっと読む）

本発明は、基材を用意し、次に>50°C且つ<800°Cの温度でPVD(物理的気相成長法)技術を用いて生物活性で結晶質のTiO₂コーティングを前記基材に付着させる工程、を含んでなる、コーティングされた医療用骨インプラントを製造する方法に、関係する。本発明のの方法によって得られたコーティングされたインプラントは、強化された生体模倣応答を示す。 （もっと読む）

【課題】真空槽内における残留ガスや基板からの脱ガスによる過剰エッチングを回避するため脱ガスを最小限にすることが可能な薄膜製造技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ（エッチング）処理工程Ｓ３と、この成膜対象物の有機層上に真空中でＳiＯ₂膜層を形成するＳiＯ₂膜形成工程Ｓ４を有する薄膜形成方法である。本発明では、プラズマ暴露工程であるプラズマ処理（エッチング）工程Ｓ３の前に、真空中で成膜対象物上の有機層を加熱する加熱工程Ｓ２を有する。本発明では、加熱工程Ｓ２における雰囲気温度が、プラズマ処理工程Ｓ３及びＳiＯ₂膜形成工程Ｓ４における雰囲気温度より高くする。 （もっと読む）

【課題】１×１０^-4Ωｃｍ未満の抵抗率を有する低抵抗ＩＴＯ薄膜とその製造方法等を提供する。
【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ−原子層積層法、及びＭＢＥ（分子線エピタキシー）法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法であって、
結晶性基板の最表面の結晶性配列が、Ｉｎ₂Ｏ₃の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】搬送室内の汚染を軽減し、メンテナンス頻度の減少を図ることが可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】被処理基板に対して処理を行う処理チャンバ２２及び２３と、処理チャンバ２２及び２３に接続され、内部が処理チャンバ２２及び２３の処理圧力と適合した圧力に調整可能な搬送室２１と、搬送室２１内に設けられ、被処理基板を処理チャンバ２２及び２３に対して搬入出する搬送機構２６と、搬送室２１内を、この搬送室２１内に処理チャンバ２２及び２３からの放出物が付着しない温度に加熱する加熱機構７１と、搬送室２１内を排気する排気機構５４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】
酸化亜鉛、および、酸化亜鉛固溶体からなる電子素子、光素子を製造する上で、酸化亜鉛、および酸化亜鉛固溶体の結晶構造に由来する自発分極の方向を考慮した結晶成長が求められる。これらを実現するには、結晶成長に際しての基板材質の選択、および、結晶成長時の成長条件、あるいは、結晶成長後の後処理等を検討し、所望の自発分極方向、すなわち、所望の結晶成長方向に対して結晶を成長する技術が得られなければならない。かつ、製造コストなどの経済性を考慮した場合、より流通量の多い、安定した供給の得られる基板材質をも使用できる、自発分極方向、すなわち、結晶成長方向を制御した酸化亜鉛を提供することが求められる。
【解決手段】
本発明の素子基板は、基板と酸化亜鉛薄膜との間にスピネル型構造の緩衝層を有し、前記酸化亜鉛薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有し、その表面が亜鉛（０００１）面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細加工に適し、更に樹脂層と金属層との接着性が良好であり、また接着力のバラツキや低下を防止した積層体の製造方法、並びに積層体、配線板を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、R1、R2はそれぞれ同一または異なっていてもよく２価の有機基を表し、M１〜M６はそれぞれ同一または異なっていてもよく１価の有機基を表す。ｎは0〜6の整数を示す。）で表されるジアミノシロキサン化合物を含むジアミノ化合物と酸二無水物から合成される、ガラス転移温度が８０℃以上３５０℃以下のポリイミド樹脂層に、スパッタリング法、めっき法、イオンプレーティング法、化学気相輸送法（ＣＶＤ法）から選ばれた少なくとも一つの方法によって形成された金属層を有する積層体を、該ポリイミド樹脂層のガラス転移温度より高い温度で加熱した積層体。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで処理能力の高い真空成膜装置を実現することを可能にする真空成膜装置用のトレイ構造を提供する。
【解決手段】真空成膜装置用のトレイ構造は、基板１９が載置されるマスク２２と、マスク２２を支持するトレイ１８とを有する。トレイ１８のマスク２２を支持している面には、真空成膜装置内でトレイ構造を加熱する際にトレイ構造に照射される電磁波の反射率が少なくともトレイ１８よりも高い反射板２３が備えられている。 （もっと読む）