【課題】酸化亜鉛を有する透明導電膜を含み、シート抵抗が低く、かつ、湿熱条件後においてもシート抵抗の変動が少なく、屈曲性に優れた酸化亜鉛系導電性積層体及びその製造方法並びに酸化亜鉛系導電性積層体を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系導電性積層体１は、基材１１の少なくとも片面に、アンダーコート層１２と、透明導電膜１３とが形成された酸化亜鉛系導電性積層体であって、透明導電膜は、酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層を複数層形成してなり、かつ透明導電膜のキャリア密度が２．０×１０^２０〜９．８×１０^２０ｃｍ^−３であり、酸化亜鉛系導電性積層体は、直径１５ｍｍ丸棒に対して透明導電膜を内側にして屈曲させ、屈曲前後でのシート抵抗値変化率が５０以下である。 （もっと読む）

【課題】
優れた酸素遮断性能、水蒸気遮断性能、耐水密着性を有する蒸着用二軸配向ポリエステルフィルムおよびガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】
上記課題は、少なくとも片面に金属および／または金属酸化物からなる層が積層される態様で用いられる二軸配向ポリエステルフィルムであって、金属および／または金属酸化物からなる層が積層される面のＳＲａ（中心面平均粗さ）が１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、かつＳＰｃ（山数）が２５０個以上５００個以下であり、１５０℃・３０分における幅方向の熱収縮率が０．１％以上２．０％以下である蒸着用二軸配向ポリエステルフィルムによって解決される。 （もっと読む）

【課題】
密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜を製造する。
【解決手段】
（ａ）基板上方に、Ｔｉ層、その上にＰｔ層を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層、Ｐｔ層を堆積した基板をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、酸素を含む雰囲気中で、基板を圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した前記基板上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型を提供する。
【解決手段】（Ｖ_ｘＭ_１−ｘ）（Ｂ_ａＣ_ｂＮ_{１−ａ−ｂ}）からなる硬質皮膜であって下記式（１Ａ）〜（４Ａ）を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。〔但し、上記Ｍは４ａ、５ａ、６ａ族の元素、Ｓｉ、Ａｌの１種以上であり、下記式において、ｘはＶの原子比、１−ｘはＭの原子比、ａはＢの原子比、ｂはＣの原子比、１−ａ−ｂはＮの原子比を示すものである。〕
０．４≦ｘ≦０．９５−−−−式（１Ａ）、０≦ａ≦０．２−−−−式（２Ａ）、
０≦１−ａ−ｂ≦０．３５−−−−式（３Ａ）、０．６≦ｂ≦１−−−− 式（４Ａ） （もっと読む）

【課題】搬送により発生するパーティクルが基板へ付着するのを広範囲にわたり低減させ、メンテナンス時、低減させたパーティクルの処理を容易にできる基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理基板をトレイに搭載した状態で、排気可能な処理室の間を、トレイごと搬送しながら処理基板に処理室内で所定の処理を施す基板処理装置であって、トレイの搬送路の下方に、該トレイの搬送路の方向に沿って同じ磁極で向き合う磁性体を配置し、かつ、その上を非磁性材料からなる部材で覆われているパーティクル吸着体が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小スペースで可撓性基板の予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を容易に行うことが可能であり、かつ高い精度と応答性で温度及び処理条件の制御を行うことが可能な可撓性基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】長手方向に沿って搬送される可撓性基板１の表面処理を行う可撓性基板１の処理装置において、可撓性基板１の巻出し室３に巻出しロール６を配置するとともに、巻出しロール６のコアに予備加熱及び脱ガス処理を行う加熱機構のロールコアヒータ１１を設けている。 （もっと読む）

【課題】 支持体上に無機膜を成膜する際に、性能を劣化させることなく安定的に搬送し、無機膜の割れ／抜け等の欠陥が少なく、生産性の高い、高品質の機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】
裏面側にラミネートフィルムが付与され自己支持性を有する長尺の支持体１２を送出し機５６から成膜室５２に送り出し、真空下の成膜室５２内で支持体１２を搬送しながら、支持体１２の表面側に無機材料を成膜し、支持体１２を巻取り機５８によりフィルムロール４８に巻き取り、機能性フィルム１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板の変形および熱割れを防止することができる、薄膜形成システムおよび薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】処理室の一つであり、基板１６を加熱する加熱装置、および、基板１６と加熱装置とを相対的に移動させる駆動装置が配置された加熱室３と、処理室の一つであり、加熱された基板１６に薄膜を形成するスパッタ装置２６が配置されたＺｎＯスパッタ室４と、駆動装置を操作する制御装置２２とを備えている。駆動装置は、加熱室３からの基板１６の搬送が不能となった際に、加熱室３内の基板１６と加熱装置とを相対的に移動させ続けるように制御装置２２により操作される。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】高面圧が外周摺動面に加わった場合であっても、硬質炭素膜の剥離を著しく低減できるピストンリングを提供する。
【解決手段】ピストンリング基材１と、ピストンリング基材１の少なくとも外周摺動面に設けられた下地膜２と、下地膜２上に設けられた厚さ１μｍ以上７μｍ以下の硬質炭素膜３とを有する。第１のピストンリング１１は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられたＣｒ膜２ａと、Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂとからなるように構成し、第２のピストンリング１２は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられた第１Ｃｒ膜２ａと、第１Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂと、Ｃｒ−Ｎ膜２ｂ上に設けられて硬質炭素膜３の厚さを１００としたときの厚さが２〜５の範囲の第２Ｃｒ膜２ｃとからなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜中に基板を搬送しつつ、基板上に所望の被膜のパターンを形成する成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】並列状に配列した複数の孔部を有する、ライン状の蒸着源の前記孔部から蒸着材を飛散させながら、前記孔部に対向する基板およびマスク部材を前記孔部が配列する方向に対して略直交する方向に搬送し、前記基板の上に前記蒸着材を蒸着して薄膜を積層する成膜方法であって、前記蒸着源に隣接し、前記蒸着源からみて搬送により前記基板および前記マスク部材が移動する方向とは反対側に設けられた加熱手段を用いて、前記基板の被蒸着部分を予備加熱した後、前記被蒸着部分に前記蒸着材を蒸着することを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム-ケイ素合金または結晶質ケイ素からなり、研磨可能な層が付与された基材に関する。本発明はまた、前記基材を含む金属鏡、金属鏡を製造するための方法、および本発明の金属鏡の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるＤＬＣ膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体１ａと、部品本体１ａの表面に形成された表面硬化層１ｂと、表面硬化層１ｂ上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜３と、表面硬化層１ｂとダイヤモンドライクカーボン膜３との間に設けられたチタン層２とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させることを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、ターゲットのスパッタ物質を基板に付着させる成膜プロセス領域と、成膜プロセス領域とは分離して配置され基板に反応性ガスを接触させてスパッタ物質の組成を変換させる反応プロセス領域と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で基板を繰り返し移動させる基板保持移動手段とを有する。成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂを含む。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。 （もっと読む）

【課題】成膜処理のタクト時間を長くすることなく、加熱工程での消費電力を低減する。
【解決手段】インライン成膜処理装置において、生産停止中に成膜処理室に設けたシースヒータを用いて全カートを高温に保持することによって、生産開始に移行した際のランプヒータを用いて行う加熱工程での消費電力を低減する。消費電力が少ないシースヒータによって全カートを高温に保持することによって、消費電力が大きなランプヒータによる加熱を低減し、加熱室での加熱工程による消費電力を低減する。全カートが高温に保持されているため、加熱室における加熱工程で行う昇温幅を従来よりも小さくすることができ、これによってタクト時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理を行うに際して、必要以上に熱処理時間を長くしてコストアップを招くことがなく、また、必要以上に熱処理温度を高くして品質の低下を招くことがない酸化物薄膜の成膜装置およびこのような装置を用いた酸化物薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の配向金属基板の表面の酸化層を除去する還元熱処理室の直後に、還元熱処理室より搬送された配向金属基板の表面に酸化物薄膜を成膜する成膜室を備えた酸化物薄膜の成膜装置であって、還元熱処理室と成膜室との間に、還元熱処理室および成膜室の互いの雰囲気を実質的に独立した雰囲気とする雰囲気遮断部が設けられ、さらに、還元熱処理室および成膜室のそれぞれにガス供給機構および排気機構が設けられている酸化物薄膜の成膜装置とそれを用いた成膜方法。 （もっと読む）