【課題】コア・シェル構造のクラスターを高速で効率良く製造するクラスター製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】クラスター製造装置は、一列に並べられかつ同一方向に向けられたアブレーション面31〜33をそれぞれ有する複数のターゲット材料21〜23と、該アブレーション面31〜33に一定の繰り返し周波数のレーザ51〜53を同時に照射するレーザ手段と、該アブレーション面31〜33にそってこれと平行にキャリヤガス15を流すガス手段とを備えている。該キャリアガス15の流れ方向に隣り合うターゲット材料21、22において、上流側ターゲット材料21にレーザ51が照射されプルームP1が発生し、キャリヤガス15によって、下流側ターゲット材料22上まで搬送される間に、プルームP1中にコアが形成され、その周囲に下流側のターゲット22で生成したプルームP2によるシェルが形成される。 （もっと読む）

【課題】重合性モノマー液の供給装置において、一時停止期間中の洗浄後、供給再開前の真空引きの際に、気化室の温度が過度に上昇するのを防止する。
【解決手段】モノマー供給装置１の供給モード（供給工程）では、重合性モノマー液を供給部２から供給ライン１０に送出し、気化室４１にて気化させてモノマー利用部３に供給する。供給モードを一時停止したときは、洗浄液を供給部４から供給ライン１０に流して気化室４１にて気化させる洗浄モード（洗浄工程）を実行する。かつ、洗浄モードの後期における洗浄液の流量を洗浄モードの初期における前記洗浄液の流量より小さくする。供給モードを再開するときは、供給ライン１０内の流体を吸引する真空引きモード（真空引き工程）を経て、供給工程に切り替える。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において、成膜中に基板へのイオン照射を十分に行うと共に、良好なイオン化率を得る。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、内側に配備された内極磁石９と、この内極磁石９の外側に配備され且つ内極磁石９より磁力線密度が大きな外極磁石１０とで形成された非平衡磁場形成手段６と、非平衡磁場形成手段６の前面に配備されたターゲット５とからなるスパッタリング蒸発源４を２基有し、２基のスパッタリング蒸発源４を１組として１０ｋＨｚ以上の周波数で極性が切り替わる交流電流を流すことにより、両スパッタリング蒸発源４の間に放電を起こして成膜を行う交流電源８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】厚さが均一なコーティングを得る方法を提供すること。
【解決手段】材料を気化させて基板の表面に膜を形成する方法は、所定量の材料を気化装置の中に供給し、その気化装置の中にあるその材料を第1の温度状態に加熱し、その材料の一部に作用する熱パルスを印加してその材料のその部分を気化させることにより基板の表面に付着させる操作を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、（ａ）炭素と（ｂ）金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Ａを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記（ｂ）成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Ａを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記（ｂ）成分をスパッタする方法が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置に発生するパーティクルをスパッタリングすることなく、低減するスパッタクリーニング方を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ１０１を形成する真空容器と、前記真空容器の内部を真空排気する排気機構１０２と、前記真空容器の内部に成膜材料ターゲットを取り付けたカソードと、前記真空容器にプロセスガス１０３を導入するプロセスガス導入機構と、前記真空容器にクリーニングガス１０４を導入するクリーニングガス導入機構と、前記真空容器の内部に基板を搬送する基板搬送機構１１０を備え、前記カソードの成膜材料ターゲットを放電でスパッタし、前記基板の成膜面側にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜装置において、クリーニング基板１１１を基板搬送機構により真空容器の内部に搬入し、前記クリーニング基板の捕捉面の逆側に磁石を配置し、前記磁石の磁力により前記真空容器内の異物をクリーニング基板の捕捉面に付着させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により、被処理基板の一面に形成されたチタンナイトライド膜上にタングステンシリサイド膜を形成する際に、タングステンシリサイド膜に含ませるシリコン原子の割合を微細制御することを可能にする、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の一面１０３ａに、チタンナイトライド膜１０９、タングステンシリサイド膜１１０、タングステン膜１１１の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、タングステンシリサイド膜１１０をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲット１０２と、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に導入するべき導入ガスの流量値が大きくても、その流量値の近傍の狭い区間で流量を高速制御でき、例えば、真空チャンバ内のプラズマを所望の状態で保ち続けて、成膜等に最適な状態を維持することが可能なプラズマ制御装置及び流量制御装置を提供する。
【解決手段】前記真空チャンバＶＣ内に導入される導入ガスが流れる第１流路Ｌ１上に設けられた第１バルブ１１と、前記第１バルブ１１を経由して前記真空チャンバＶＣ内に導入される前記導入ガスの流量が第１流量となるように当該第１バルブ１１の開度を制御する第１バルブ制御部１２と、プラズマモニタ３と、前記導入ガスが流れる第２流路Ｌ２上に設けられた第２バルブ２１と、前記プラズマモニタ３で測定される測定プラズマ強度と、予め設定された設定プラズマ強度との偏差に基づいて前記第２バルブ２１の開度を制御する第２バルブ制御部２２と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】純すずターゲット材料がマグネトロンスパッタ法を利用したフッ素ドープ酸化すず薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】高純度すずをマグネトロンスパッタリングのターゲット材料として、マグネトロンスパッタの生産プロセスにおいて、反応ガス四フッ化炭素（ＣＦ_４）と酸素（Ｏ_２）を導入する。四フッ化炭素（ＣＦ_４）は、作業ガスによって励起されるプラズマがフッ化物（Ｆ）イオンとフッ化物（Ｆ）励起状態原子を分離し、すずターゲット材料と合わせて、基板上にフッ素ドープ酸化すず薄膜を形成することにより、生産コストを軽減でき、フッ素ドープ酸化すず薄膜の品質を向上できる。 （もっと読む）

【課題】測定時のＳ／Ｎ比（シグナル／ノイズ比）の低下を抑制し、短時間の測定で精密な測定を行い、リアルタイム性の向上が図られるような光学的検知装置を提供する。
【解決手段】測定用の光が通過する測定光路と、前記測定光路に測定用の光を照射する光源と、前記測定光路を通過した光を受光し、吸収スペクトルの検出を行う検出器と、を有し、前記測定光路と前記光源とを連結させる第１の連結路と、前記測定光路と前記検出器とを所定の間隔でもって連結させる第２の連結路と、が設けられ、前記第１の連結路は前記測定光路と前記光源との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第２の連結路は前記測定光路と前記検出器との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第１の連結路及び前記第２の連結路の内部を排気する排気機構と、前記第１の連結路及び前記第２の連結路の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を備えた光学的検知装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該１以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、かさ密度の高い固体材料によって内容積あたりの充填量を多くし、不純物が少ない高純度の固体材料からなる固体材料ガスを供給すること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の蒸発または昇華・供給が可能な固体材料を、大気圧下または減圧下の融点以上沸点以下の温度条件において加熱し、溶融した状態で冷却・固化させて固体試料Ｓを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスＣが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散部２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、該試料設置部３において作製された固体材料ガスＧが供出される供出部４と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程を精度良く監視する。
【解決手段】第３のセンサの出力波形は、センサのダイナミックレンジに相当する波形Ａ１がレシピに従った処理によって形成される。この後、レシピに従って基板に処理が行われ、処理を起因する波形Ａ２が形成される。波形Ａ２は、ノイズレベルの信号である。第３のセンサの出力波形を正規化処理すると、ノイズレベルの信号が増幅されることが防止される。第１のセンサ、第２のセンサ、及び第３のセンサの出力波形をそれぞれ正規化処理したデータを用いて多変量解析することで、半導体製造装置の運転状態を監視する。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は／及びドーパントを導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】作製コストが低減され、かつ歩留まりが向上された半導体装置、および消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、第１のトランジスタ群および第２のトランジスタ群を具備し、第１のトランジスタ群は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタおよび４の端子を有しており、第２のトランジスタ群は、第５乃至第８のトランジスタおよび４の端子を有しており、第１のトランジスタ、第３のトランジスタ、第６のトランジスタ、第８のトランジスタはｎチャネル型トランジスタが用いられ、第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第７のトランジスタはｐチャネル型トランジスタが用いられる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】迅速に成膜速度を算出し、被処理基板へ供給する有機材料ガスの濃度を略一定にして良質な膜を効率良く形成することができ、保守管理も容易である成膜装置、成膜速度算出方法、成膜方法、有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１のプロセスコントローラ１１は、イオンゲージ１０に搬送ガスのみを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）₀ と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）との差と、成膜速度Ｄ／Ｒとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。プロセスコントローラ１１は成膜時に（Ｉｉ／Ｉｅ）を算出し、前記成膜速度検量線を用いてＤ／Ｒを求め、求めたＤ／Ｒに基づいてマスフローコントローラ５を制御し、搬送ガスの流量を制御して、成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の９１％以上１００％以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Ｓの温度Ｔ、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚであるバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｐ＜０．００８８Ｔ−６．６０、Ｐ≧０．０１１６Ｔ−１１．３７を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。
【解決手段】統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、アノードを備える内部導電性表面を有する容器と、コーティング・チャンバーのチャンバー壁から隔てられている絶縁された外側本体部とを具備する。容器は、コーティング・チャンバーと連通する容器の周に比べて小さい周を持つ単一の開口部を有する。スパッタリング・ガスおよび反応性ガスは、投入口を通して容器内に、また単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に結合される。プラズマは、カソードからやってきて、アノードを通して電源に戻る高密度の電子によって点火される。比較的低いアノード電圧は、化学量論的誘電体コーティングを形成するために活性化反応性ガスのプラズマを十分維持できる電圧である。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 成膜対象物上への薄膜の形成を好適に行うことが可能な成膜装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ原子を含む化合物または混合物を表面改質材料として導入する導入管２０と、キャリアガスを導入する導入管２５と、表面改質材料及びキャリアガスを内部に導入、加熱して、それらが混合された表面改質ガスを供給するホットウォール管１２と、ホットウォール管１２の内部において加熱されることで金属材料を含む成膜材料ガスを供給する成膜材料体３０と、成膜面上に薄膜を形成するための成膜用基板１６を保持する基板保持ステージ１５とを用いて成膜装置１Ａを構成する。そして、ホットウォール管１２から基板１６の成膜面へと表面改質ガス及び成膜材料ガスを供給することによって、金属材料を少なくとも含む薄膜を成膜面上に形成する。 （もっと読む）