【課題】 ＩｎＮ結晶を分子線エピタキシャル成長法で成長させようとする場合、基板温度が低いと結晶品質が悪く基板温度が高いと窒素が解離してしまう。窒素解離を抑制して基板温度をより高くして成長させるようにする。
【解決手段】基板面にガスを吹き付けることにより窒素解離を防ぎ基板温度を高めて成長させる。ガスは分子線の経路を遮らないようなガスノズルから吹き出させる。ガスを真空チャンバの外側或いは内側において加熱して基板に吹き付けるようにすると、部品表面での組成原子の脱離の防止やマイグレーション距離を制御することもできる。 （もっと読む）

【課題】材料容器の温度制御性を高める。
【解決手段】成膜に用いられる蒸着源ユニット２０は、材料容器２１０ａを有する材料投入器２１０と、中空の内部に材料投入器２１０が着脱可能に装着される外部ケース２２０と、材料投入器２１０に設けられ、材料投入器２１０を加熱する内部ヒーター２１０ｄと、材料投入器２１０が外部ケース２２０に装着されることにより画定され、内部ヒーター２１０ｄの加熱により気化された成膜材料を搬送する搬送路２１０ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜する際に基板表面に異物が付着することにより膜に欠陥が生じるのを防止し、製造歩留りを向上できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１００は、膜材料２２を蒸発させて基板２８の表面２８ａに成膜する成膜装置であって、成膜室１０と、成膜室１０内の底部１４側に配置されており、膜材料２２を収容するハース２０と、成膜室１０内にハース２０に対向して配置されており、基板２８を保持する保持部２６と、成膜室１０内にプロセスガス４９が導入されるガス導入口１８と、成膜室１０の底部１４に設けられた開口部１４ａと、開口部１４ａを介して成膜室１０に連通されており、成膜室１０内の雰囲気を排気する排気口３４が設けられた排気室３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、組成式（Ａｌ_１−Ｘ Ｔｉ_Ｘ ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．６０）を満足するＡｌとＴｉの複合窒化物層からなり、かつ、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１０＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角を測定した場合に、小角粒界（０＜θ≦１５゜）の割合が５０％以上であるような結晶配列を示すＡｌとＴｉの複合窒化物層で硬質被覆層を構成する。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金、サーメット、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結体からなる切削工具基体表面に、組成式Ｔｉ（Ｃ_１−ＸＮ_Ｘ）（ただし、原子比で、Ｘは０．４０〜０．９８）を満足するＴｉの炭窒化物層からなり、かつ、該層についてＥＢＳＤによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から０〜１５度の範囲内に結晶方位＜１１０＞を有する結晶粒の面積割合が５０％以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角を測定した場合に、小角粒界（０＜θ≦１５゜）の割合が５０％以上であるような結晶配列を示す改質Ｔｉ炭窒化物層で硬質被覆層を構成する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの酸化を抑制し、無機配向膜の製造能率の向上を図ることができるスパッタリング装置及び液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収容すると共に、基板Ｗに沿って酸素ガスを供給するガス供給手段２２を備える成膜室２Ａと、対向する一対のターゲット５ａ、５ｂからプラズマＰｚによりスパッタ粒子５ｐを生じさせ、スパッタ粒子５ｐを成膜室２Ａに形成された開口部２Ａ１を介して基板Ｗに向けて放出するスパッタ粒子放出装置３とを備えて、無機配向膜を形成するスパッタリング装置１であって、開口部２Ａ１が設けられる位置と、ターゲット５ａ、５ｂが設けられる位置との間に設けられ、開口部２Ａ１から流出する上記酸素ガスの酸素を付着させるための付着部３０を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】結晶性がよく耐エッチング性の高い保護膜を成膜する。
【解決手段】前処理室３１の水分圧を測定し、制御装置６５はその測定値から、真空槽３２で放出されるＨ₂Ｏガス量を予測し、成膜に適した必要量のＨ₂Ｏガスが真空槽３２に含有されるように、水の導入量を決定し、流量制御装置４５は決定した導入量で水導入口５５ａ、５５ｂから水を導入する。搬送対象物６０から放出されるＨ₂Ｏガス量が変化しても、真空槽３２には必要量のＨ₂Ｏガスが含有されるから、保護膜１４の膜質が均一になる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】高品質な有機薄膜を形成できる技術を提供する。
【解決手段】蒸発槽４１の内部に所定量の有機材料を供給し、蒸発槽４１を密閉して有機材料蒸気を放出させる。蒸発槽４１内が設定圧力まで上昇した後、放出口４３を開け、蒸発槽４１から蒸気放出装置１４に有機材料蒸気を移動させ、真空槽１１内に放出させる。有機材料が二種類以上の有機化合物の混合物であっても、大きな圧力差で移動するから、移動速度の相違による有機材料蒸気の組成変化はなく、膜厚方向で均一な有機薄膜を形成することができる。溶剤に有機化合物が溶解又は分散された液体状の有機材料を用いる場合、蒸発槽４１内で有機化合物の蒸気を発生させる前に、溶剤を蒸発除去しておくとよい。 （もっと読む）

本発明はアルカリ金属又はアルカリ土類金属で基板（２）をコーティングするためのコーティング設備（１）の真空コーティングチャンバ（３）から、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の残留物を除去するクリーニング方法に関する。この目的のために、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と反応して対応する固体化合物を形成するＮ_２、Ｏ_２、又は空気の群からのガスをチャンバ（３）内に導入する。真空コーティングチャンバ（３）内に追加的に水を導入することができる。アルカリ金属又はアルカリ土類金属がガスと反応した後に、真空コーティングチャンバから対応する固体化合物が除去される。
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【課題】有機ＥＬ装置の製造工程において、基板に付着した異物を効果的に除去する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置の製造装置１００は、基体２０の表面に薄膜を形成する少なくとも一つの成膜装置１３０と、成膜装置１３０に接続され、基体２０に外力を加えることにより基体２０の表面に付着した異物を除去する除去手段が設けられた処理装置１４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
シート幅方向で蒸発した金属蒸気の量に差がある場合でも、蒸発源の幅を広げるなどの対策をとることなくシート幅方向の端部の膜厚および透過率が中央部と同等な金属酸化物薄膜付きシートを製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】
減圧雰囲気下において、シート案内面に接触しながら搬送されているシート上に、金属材料を溶融させた蒸発源から前記シートに向けて金属蒸気を飛来させると同時に、前記金属蒸気内に酸素を導入し、前記シート上に連続的に金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物薄膜付きシートの製造方法であって、前記酸素を、シート幅方向において異なる高さの複数箇所から前記金属蒸気に導入することを特徴とする金属酸化物薄膜付きシートの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】光学的品質の薄膜を製造することに関し、特に非線形光学デバイス及び有機発光デバイスで利用されるそのような薄膜の低圧製造を提供する。
【解決手段】基体５８上に有機薄膜を形成する方法であって、その方法は、複数の有機前駆物質（１４、４８）を気相で与え、前記複数の有機前駆物質（１４、４８）を減圧下で反応させる工程を有する。そのような方法により製造された薄膜及びそのような方法を実施するのに用いられる装置も含む。本方法は、有機発光デバイスの形成及び他のディスプレイ関連技術によく適している。 （もっと読む）

【課題】シート表面に５０〜３００ｎｍという比較的厚い酸化金属薄膜であっても高速でかつ厚み方向の酸化度を均一に形成できる金属酸化物薄膜付シートの製造装置ならびに金属酸化物薄膜付きシートの製造方法を提供する。
【解決手段】シート１と接触しながらシートを搬送するシート案内面３を有し、シート案内面の運動に伴ってシートを搬送する搬送手段と、シート案内面上のシートに向かって金属蒸気１０を飛散させる蒸発源８と、金属蒸気と酸化反応させるために酸素を導入する酸素導入手段とを備え、搬送されるシートに連続的に金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物薄膜付シートの製造装置であって、酸素導入手段が導入管をシート幅方向に複数個配列するとともに、蒸発源７のシート搬送方向２５の上流側および下流側に配置され、かつ導入管が蒸発源とシート案内面との間の領域に向けて突出していることを特徴とする金属酸化物薄膜付シートの製造装置。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の壁面上の熱重合反応を抑制して有機膜の形成を抑制し、パーティクルの発生による有機膜の品質劣化及び製造歩留まりを低減するとともに、それに伴う原料モノマーの使用効率を向上させる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１の壁面に沿って設けられた外部ヒータ１４によって、前記成膜容器１１の前記壁面を有機膜の形成に供する原料モノマーの蒸発温度以上に加熱し、前記外部ヒータ１４と離隔し、基板を搭載した基板支持容器１２に近接して配置された内部ヒータ１３によって、前記基板を前記原料モノマーの熱重合反応温度に加熱し、前記成膜容器１１内に前記原料モノマーを供給し、前記基板上での熱重合を通じて前記有機膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】装置の簡素化及びメンテナンスの容易化を図った上で、パーティクルの発生を防ぐことができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】キャリア５０には、キャリア５０の外周部分から基板Ｗの外周部分を覆うように防着板７０が着脱可能に設けられ、防着板７０はチャンバ２２内で着脱されるとともに、チャンバ２２内を循環するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により従来よりもバリア性が高い無機層を成膜すること。
【解決手段】無機層を成膜する面の面積がａ（単位：ｃｍ²）である支持体を、容積が１００ａ（単位：ｃｍ³）以下である第１真空槽へ搬入して真空状態とし、真空状態を維持したまま支持体を第２真空槽へ搬送して、第２真空槽内にて支持体上に無機層を真空成膜する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の表面へのパーティクルの付着を抑えることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１０内で蒸着材料を蒸発させ基板ＷＡに対して蒸着させる成膜装置１である。蒸着材料を蒸発させるプラズマガン３０と、雰囲気ガス供給源１０６と、主制御装置８０と、を備える。主制御装置８０は、プラズマガン３０による加熱状態を、成膜状態の加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ａ）と、非成膜状態における加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ｂ）との間で切り替え制御する。そして、主制御装置８０は、成膜状態と非成膜状態との間における加熱状態の切り替え途上において、蒸着材料の蒸発やプロセスガスの導入による真空チャンバ１０内の圧力変動を緩和する方向に、雰囲気ガス供給源１０６からの雰囲気ガスの供給量を変動させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 保磁力などの磁気特性が効果的に向上または回復し、かつ、耐食性や耐候性を有する永久磁石を高い量産性で製造できる永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 処理室７０を画成する処理箱７内に焼結磁石と、Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料ｖとを配置した後、真空チャンバ３内に収納する。そして、真空中にて処理箱を加熱して金属蒸発材料を蒸発させ、蒸発した金属原子を焼結磁石表面に付着させ、前記付着した金属原子を焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させる。処理室内の昇温過程で金属蒸発材料が蒸発しないように処理室内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板をコーティングするためのコーティング装置に関する。
【解決手段】コーティング装置は、隣り合わせて配置された少なくとも２つの処理チャンバ（１、２、３、４）と、これら２つの隣り合う処理チャンバの間の分離板（９）と、処理チャンバを排気するためのポンピング手段（１２、１３）とを備え、分離板（９）は、少なくとも２つの端部を有する導管を備え、導管の端はポンピング手段に連結され、もう一端は処理チャンバの少なくとも一方のための少なくとも１つの吸気開口部を有している。 （もっと読む）