【課題】熱が伝わりにくい真空中においても、被処理体の冷却効率を向上させ、成膜速度を向上させた成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、真空排気されたチャンバ内において、非処理体上に被膜を形成する成膜方法であって、被処理体を前記チャンバ内に搬入する工程Ａと、前記チャンバ内を真空排気する工程Ｂと、前記チャンバ内に不活性ガスを導入し、前記被処理体を冷却する工程Ｃと、前記チャンバ内から前記不活性ガスを排気するとともに、該チャンバ内に被膜形成用の原料ガスを導入し、前記被処理体上に被膜を形成する工程Ｄと、を少なくとも順に備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

インライン堆積システムにおいて有機材料層を基板上に形成する方法であって、有機材料は、所定の一定でない堆積レートプロファイルで堆積される。該プロファイルは、所定の第１平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第１単分子層を堆積するために用意した所定の第１堆積レート範囲と、所定の第２平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第２単分子層を堆積するために用意した所定の第２堆積レート範囲とを含む。インジェクタの開口を経由した有機材料の注入は、所定の堆積レートプロファイルを実現するために制御される。
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【課題】
毒性のない透明導電膜の低抵抗率化と大面積化を可能とし、製造過程に於ける基板選択性を高め低コスト化と同時に省エネルギー化を図る。
【解決手段】
透明基板１上の酸化亜鉛試料２に電位を与えておき、前面に酸素プラズマＯＰを形成し、プラズマ空間電位を直流電源９、交流電源１０又はパルス電源１１で制御する。酸素プラズマＯＰの電子温度分布を変化させ、酸化亜鉛試料２と酸素プラズマＯＰとの間のシース電圧を制御し、亜鉛蒸気ＺＶを亜鉛Ｚｎショット８を加熱して生成させ、非晶質の透明基板１付近の各種粒子の量及び運動量等を質量分析装置１４とプラズマ発光分析装置１３でモニタリングし、各量をオーブンの三次元移動、酸素ガス質量流量、プラズマ生成電源電力等で制御し、得られるＺｎＯ透明導電膜の元素成分を、亜鉛と酸素のいずれか低い存在量に対して、亜鉛、酸素及び水素を除く不純物元素の比が０．４％以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させることを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】
高透明のインジウム複合酸化物薄膜の導電性、耐久性、またはリニアリティを向上させたタッチパネル用透明電極を提供することにある。
【解決手段】
透明基板の少なくとも一方の面に、酸化インジウムを主成分とした透明導電膜およびカーボン膜が積層された透明電極の製造方法であって、酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が１０〜４０ｎｍの膜厚であり、カーボン膜が０．５〜５．０ｎｍの膜厚であるように製膜され、上記カーボン膜が水素を５０〜１００体積％含むガスを用いたスパッタリング法によって製膜され、かつ製膜後の透明電極が７０℃以上１７０℃以下の温度で熱アニール処理して透明電極を製造することにより、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】硫化物を成膜する成膜装置において、安全かつ簡単にチャンバー内をクリーニングすることができる成膜装置、および成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜対象を内部に収納するチャンバー２を備え、チャンバー２内の成膜対象（基板６）に硫化物を成膜する成膜装置１であって、クリーニングガス導入機構３と、雰囲気ガス排出機構４と、硫化水素除去機構５とを有する。成膜装置１をクリーニングする際は、導入機構３のバルブ３２を開放し導入管３１からクリーニングガスを導入して、チャンバー２内の付着物１０を硫化水素に分解する。同時に、排出機構４の吸引機（ポンプ４３）を作動させ、硫化水素を含むチャンバー２内の雰囲気ガスを排気する。排気された雰囲気ガスに含まれる硫化水素は、除去機構５により取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】固体原料を昇華して発生させた原料ガスを成膜装置へ供給する場合において、十分な気化量を継続して安定的に供給することができる気化器を提供する。
【解決手段】固体原料ＲＭを加熱して昇華させ、原料ガスＲを発生させる加熱部２と、加熱部２の上方に設けられ、加熱部２に固体原料ＲＭを供給する供給部１と、加熱部２で発生させた原料ガスＲを搬送するキャリアガスＣを導入するガス導入部３と、発生させた原料ガスＲをキャリアガスＣとともに導出するガス導出部４とを有する。ガス導入部３から導入されたキャリアガスＣが、加熱部２を通過する。 （もっと読む）

第一のデバイスが提供される。そのデバイスはプリントヘッドを含む。更に、プリントヘッドは、第一のガス源に気密的に密閉された第一のノズルを含む。第一のノズルは、その第一のノズルの流れ方向に垂直な方向において０．５から５００マイクロメートルの最小寸法を有するアパーチャを有する。第一のノズルのアパーチャの最小寸法の５倍であるアパーチャから第一のノズル内への距離における流れ方向に垂直な最小寸法は、第一のノズルのアパーチャの最小寸法の少なくとも二倍である。
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【課題】 何らかの原因でアーク放電が発生したときでも放電切れを防止できるようにした低コストのセルフスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板Ｗが配置される真空チャンバ１と、前記基板に対向配置されるターゲット２と、前記ターゲットに負の直流電位を印加するスパッタ電源Ｅ１と、前記ターゲットの前方空間を囲うように配置され、正の電位が印加されるアノードシールド４と、前記真空チャンバ内に所定のスパッタガスを導入するガス導入手段６、６ａとを備える。更に、直流電源からターゲットへの出力回路に並列にＬＣ共振回路８を有する。 （もっと読む）

【課題】 加熱性を損なうことなく被加熱体を冷却することが可能な被加熱体の冷却方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも一部が断熱材で覆われた被加熱体を冷却する被加熱体の冷却方法であって、被加熱体１０を加熱するとき、断熱材１１を被加熱体１０に密着させ、被加熱体１０を冷却するとき、被加熱体１０と断熱材１１との間に空間１３が生じるように、断熱材１１を被加熱体１０から離間させ、空間１３中に冷却流体１４を送り込み、被加熱体１０を冷却する。 （もっと読む）

【課題】少ない設置面積で、ウェーハを含む基板の搬送及び処理を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバ１２３２は、線形トラックと、線形トラックに乗っているロボットアーム１２４３等を含み、基板を線形的に、処理チャンバ１２０１等の側部に沿って搬送する。又ロードロック１２３５を介し、処理チャンバ１２０１等に到達させ、搬送チャンバ１２３２に沿って基板を制御された雰囲気の中に供給する。よって相応な経費で、且つ改良されたスループットで効率的に製造を行うことができる。 （もっと読む）

付着チャンバをｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ洗浄する方法および装置が提供される。一実施形態では、真空を中絶させることなく付着チャンバをプラズマ洗浄する方法が提供される。この方法は、付着チャンバ内に配置されたサセプタであり、電気的浮動状態にある付着リングによって周囲を取り囲まれたサセプタ上に基板を配置すること、付着チャンバ内の基板上および付着リング上に金属膜を付着させること、付着リング上に付着した金属膜を、真空を中絶させることなく接地すること、ならびに付着チャンバ内に形成されたプラズマによって、付着リング上の接地された金属膜を再スパッタすることなく、かつ真空を中絶させることなしに、付着チャンバから汚染物質を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】スペースを有効利用し、品質低下を防止し、生産効率を向上させることのできる外段取り装置を提供する。
【解決手段】被成膜対象の基材５が装着されるとともに、成膜装置内に配置される基材ホルダ４を保持する保持部材２０と、この保持部材２０が取り付けられる移動可能フレーム１０と、この移動可能フレーム１０に取り付けられるとともに、基材ホルダ４の表面に清浄空気を供給する清浄空気供給手段３０とを備えたことを特徴とする外段取り装置１。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子を高いスループットにて堆積させることができるナノ粒子堆積技術を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１０には、基板保持部３０に保持された基板Ｗの直下にＫセル４０が配置されている。Ｋセル４０のるつぼ４１にはナノ粒子の原材料となるコバルトが投入される。るつぼ４１の開口部はガス噴出治具５０のガス噴出部５１によって覆われている。ガス噴出部５１は上端にアパーチャ５２を形成したテーパ面を有しており、その内側が蒸気発生空間４５とされる。るつぼ４１を加熱してコバルトの蒸気が発生している蒸気発生空間４５にガス供給部６０からヘリウムガスを供給する。ヘリウムガスはアパーチャ５２から噴出されて基板Ｗへと向かう気流を形成する。コバルトの蒸気はヘリウムガスの気流によってクラスターを形成しつつ基板Ｗまで運搬される。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバなどの高真空下の環境を形成するための大掛かりな装置を必要とせず、低コストで透明導電膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】透明基板３上に透明導電膜となる金属膜４を不活性気体雰囲気中でスパッタ法により形成する工程と、前記金属膜４を酸化させる工程とを含み、前記金属膜４を形成する工程において不活性気体雰囲気に微量の酸素を添加し、金属膜４を僅かに酸化させることを特徴とする透明導電膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高速成膜領域での高速成膜を安定的に確保した状態で成膜を行い得る成膜装置を提供する。
【解決手段】 スパッタ成膜源、スパッタガス源、及び反応ガス源の両原料供給源を真空室内に設けた成膜装置において、前記スパッタ成膜源が金属ターゲットから成り、前記反応ガス源からの反応ガスが二酸化炭素ガスを含有し、前記反応ガス源から供給される二酸化炭素ガスの供給量が、前記スパッタガス源から供給されるスパッタガスの供給量以下で、かつ、高速成膜領域の範囲内で二酸化炭素及びスパッタの量ガス流量比を保つように両ガス流量を制御することを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】共蒸着を行う場合、蒸着材料を収納する容器を取り囲むヒータまでも傾けることになるため、容器同士の間隔が大きくなってしまい、蒸着材料を均一に混合することが困難になることに鑑み、容器同士の間隔を狭め、均一に混合しながら蒸着することを課題とする。
【解決手段】各蒸着材料の蒸発中心が被蒸着物の一点に合うように、容器が有する開口を調節する。図１０（Ｄ）に示す共蒸着においては、開口８１０ａと開口８１０ｂの両方を向かい合わせる。また、図１０（Ｅ）に示す共蒸着においては、開口８１０ｃは垂直方向に蒸発するような上部パーツを使用し、その方向に合わせて傾いた開口８１０ｄを有する上部パーツを使用して蒸発させる。 （もっと読む）

ナノクラスタ源であって、冷却凝集チャンバと、ターゲットをスパッタすべく構成されたマグネトロンであって、前記ターゲットのスパッタされた原子が前記冷却凝集チャンバ内に受けられるように、前記冷却凝集チャンバに接続されたマグネトロンと、前記冷却凝集チャンバに接続された真空源と、前記冷却凝集チャンバに接続された少なくとも１の凝集希ガス源と、前記冷却凝集チャンバに接続された水素ガス源とを具える。有利なことに、前記水素ガスがターゲットと、凝集チャンバの冷却された内面を覆うシリコンフィルムの酸化を防止し、形成されたナノクラスタの表面張力が低減される。 （もっと読む）