【課題】 リチウム膜の性能の向上を実現しうるリチウム積層部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１０内で、気相成長法により、基材フィルム２１（基材）上にリチウム膜２２を堆積させて、リチウム積層フィルム２３（リチウム積層部材）を作成する。その後、リチウム膜積層フィルム２３を電子デバイスの一部として利用するための処理を行う。リチウム積層フィルム２３を収納する特定容器内の雰囲気を、不活性ガスと、ＣＯ_２と、露点が−２０℃未満となる水分とを含む特定雰囲気に調整する。特定容器としては、真空チャンバー１０，作業室１１，パスボックス１２（中間室）などがある。これにより、リチウム膜を利用した電池の変色防止性能，保存特性，電池容量などの特性の向上が実現する。 （もっと読む）

【課題】成形用部材の圧造の繰り返しに対する耐久性を有する成形用工具、この成形用工具を製造する成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】成形対象部材を圧造し、成形対象部材を所定形状に成形する成形用工具１であって、所定形状に対応する凸形状をなして表面が硬質膜で覆われ、基端面からの突出角度が異なる複数の斜面からなる側面部（第１斜面１１ｂおよび第２斜面１１ｃ）と、側面部の先端に位置する頭頂部１１ａとを有する成形部１１と、成形部１１の土台をなす基部１２と、を備え、側面部における硬質膜の最小膜厚の最大膜厚に対する膜厚比を０．７以上とすることによって、圧造の繰り返しに対する耐久性を向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧電体を用いた素子の特性と信頼性を向上させるものである。
【解決手段】本発明は、真空チャンバ内に一対のターゲットを対向させることで対向空間を設け、前記ターゲットの対向方向に対して略直交するように基板と鉛供給源を設置し、前記対向方向に沿って磁界を発生させるとともに、前記ターゲットに電圧を印加することでプラズマを発生させて前記基板に圧電体膜を形成するものであって、前記圧電体膜を形成する際、前記鉛供給源から鉛蒸気を前記対向空間に供給するとともに、前記真空チャンバ内の圧力を０．１３Ｐａ以下とすることを特徴とする圧電体膜の製造方法であり、圧電体素子の強誘電特性、圧電特性、焦電特性と信頼性を向上させるものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマ成膜を行う際、成膜に寄与することなく排出される原材料の割合を低減するとともに成膜速度を大きくし、さらに、皮膜に微細粒子が含まれることを回避する。
【解決手段】プラズマノズル１４と、基材１０の成膜部位との間に、整流用治具１２を配置する。成膜時には、合流供給路１６に対し、整流用治具１２の第１供給路２０から第２液相原材料を供給する。これに加え、気相原材料をプラズマ化したものをプラズマノズル１４から供給するようにしてもよい。合流供給路１６には、さらに、第２供給路２２から第１液相原材料が供給される。第１液相原材料は、液相を維持しながら基材１０の成膜部位に到達し、少なくとも前記第２液相原材料と相互作用を起こし、好適には重合によって固化する。気相原材料が供給された場合には、第２液相原材料及び気相原材料と相互作用を起こす。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗値の低いＬｉ−Ｌａ−Ｔｉ−Ｏ系固体電解質材料を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、一般式Ｌｉ_３ｘ（Ｌａ_{（２／３−ｘ）−ａ}Ｍ１_ａ）（Ｔｉ_１−ｂＭ２_ｂ）Ｏ_３で表され、上記ｘは０＜ｘ＜２／３を満たし、上記ａは０≦ａ≦０．５を満たし、上記ｂは０≦ｂ≦０．５を満たし、上記Ｍ１は、Ｓｒ、Ｎａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｙ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｂａからなる群から選択される少なくとも一種であり、上記Ｍ２は、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｇａからなる群から選択される少なくとも一種であり、結晶質であり、薄膜状であることを特徴とする固体電解質材料を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】多層物品及びアークプラズマ堆積による製造方法を提供する。
【解決手段】物品上に複数の層を形成する方法は、陰極と陽極との間でアークを形成することによりプラズマを発生させる段階と、有機化合物からなる第一の材料をプラズマ中に注入して物品上に第一の層を堆積させる段階と、有機金属物質からなる第二の材料をプラズマ中に注入して第一の層の上に第二の層を形成する段階と、ケイ素含有有機化合物からなる第三の材料をプラズマ中に注入して第二の層の上に第三の層を堆積させる段階とからなる。また、基材１１０と、基材上に配置された中間層１２０と、中間層上に配置された紫外線吸収性無機物質からなる第二の層と、第二の層上に配置された耐摩耗性物質からなる第三の層とからなる製品にも関する。中間層を重合有機ケイ素物質又は重合炭化水素物質、第二の層を金属酸化物又は硫化亜鉛、第三の層を酸化した有機ケイ素物質とする。 （もっと読む）

【課題】転がり軸受の保持器の摺接面に形成されたＤＬＣ膜の耐剥離性を向上させ、ＤＬＣ膜本来の特性を発揮することで、保持器摺接面の金属接触に起因する損傷などを防止できる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受１は、外周に内輪軌道面２ａを有する内輪２と、内周に外輪軌道面３ａを有する外輪３と、内輪軌道面２ａと外輪軌道面３ａとの間を転動する複数の転動体４と、転動体４を一定間隔で保持する保持器５とを備え、この保持器５の転動体４との摺接面に硬質膜８が成膜されてなり、この硬質膜８は、該表面に直接成膜されるＣｒを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】１．５〜２．０の間で所望の屈折率を示すＳｉ系薄膜を、安定的に得ることが可能な透明誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて基材上に薄膜を形成する方法において、真空チャンバー内にＳｉターゲットを設置する工程、該真空チャンバー内を減圧する工程、減圧後の該真空チャンバー内に反応性ガスとしてＮ_２及びＣＯ_２を含有するスパッタガスを導入する工程、を有し、（ＣＯ２流量／全スパッタガス流量）で表される流量比を制御することにより薄膜の屈折率を制御する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の低下を図りつつ、エッチング工程を不要として低コスト化を図り、凹凸構造を有する薄膜層が被成膜基板表面に成膜された成膜基板、その製造方法、および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜基板１は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板であって、凹凸構造は、酸化インジウムを含んだ薄膜層３が成膜されることで形成されたものとする。また、成膜基板１の製造方法は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板１を製造する方法であって、被成膜基板２表面に、酸化インジウムを含む薄膜層３を成膜し、この成膜を行うことで凹凸構造を形成する薄膜工程を有するものとする。これにより、凹凸構造を形成するためのエッチィング工程を不要とし、低コスト化を図り、酸化インジウムを含んだ透明導電膜３とすることで、膜厚を低下させる。 （もっと読む）

【課題】膜形成の条件が限定されない成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、シート３に膜を形成するroll to roll方式の成膜装置であり、成膜室２内にシート３を搬送する搬送路２７が設定され、この搬送路２７の側の上方に位置した成膜室２の上部２４に、４０個のフランジ孔２６が形成されている。フランジ孔２６には、搬送路２７を搬送されるシート３に膜を形成するターゲット部５が装脱可能に設けられている。 （もっと読む）

温度Ｔｅで水銀を放出する水銀源によって水銀を制御供給する方法であって、前記水銀源が条件温度Ｔｃ＜Ｔｅに保持され、前記水銀源を移動することによって温度Ｔ＞Ｔｅにされることを特徴とする方法。
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【課題】静電容量バラツキの少ない大容量電極箔を形成する事を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、表面に凹溝１７が形成された基体１８からなる蒸着用ボート１３であって、凹溝１７は、少なくとも蒸着材料が供給される供給用凹溝１９と、この供給用凹溝１９と連通し、蒸着材料を蒸発させる蒸発用凹溝２０とで構成され、供給用凹溝１９は蒸発用凹溝２０よりも幅が狭く、表面に供給用凹溝１９が形成された領域の基体１８の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝２０が形成された領域の基体１８の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であるものとした。これにより本発明は、供給用凹溝１９近傍の温度を下げ、供給用凹溝１９近傍における蒸着材料の溶融や酸化を抑制し、蒸発量を安定化し、均一に粗膜層７を形成できる。 （もっと読む）

本発明は、２つの区画を備えた容器を有する気相蒸着供給源について記載する。第１の区画は、蒸気を生成するためのものである。この区画は、材料のための入れ物およびその入れ物の中に置かれる材料を加熱するための手段を備えている。第２は、生成区画と連通している拡散区画である。この拡散区画は、少なくとも１つのオリフィスを備え、その結果、気相状態の材料がこのオリフィスを通って容器の外側に向かって送られる。この供給源の特徴は、オリフィスを閉じるための手段、およびその閉じるための手段を、有効閉位置とオリフィス開位置との間で動かす手段を含んでいることである。
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【課題】 ヘッドタッチ性や走行耐久性に優れ、更に寸法安定性、および耐クラック性に優れた金属蒸着ポリエステルフィルムを提供すること。
【解決手段】 ポリエステルフィルム層（Ｆ層）の片面に金属酸化物を含む層（Ｍ層）が設けられ、このＭ層が金属成分の微結晶を有する結晶層（Ｍａ層）と、非晶層（Ｍｂ層）を持つ金属蒸着ポリエステルフィルムとする。 （もっと読む）

基板を取り扱う特にコーティングする装置において、プロセスチャンバ1と、その中で処理される基板12を格納するべく搭載開口6,7を介してプロセスチャンバ1に接続された、又は、処理プロセスで用いるマスク10,10'、10"、10'"を格納する少なくとも１つの格納チャンバ2,3と、搭載開口6,7を通して基板又はマスクをプロセスチャンバ1に搭載し又は取り出す搬送装置13と、開始物質をキャリアガスとともにプロセスチャンバ1に導入するべく温度制御可能なガス入口要素4と、処理される基板12を受容するべくガス入口要素4に対向して位置するサセプタ5と、遮蔽位置にあるときガス入口要素4とサセプタ5又はマスク10の間に位置して基板12又はマスク10をガス入口要素4からの熱の影響から遮蔽する遮蔽プレート11と、遮蔽プレート11を基板12の処理前にガス入口要素4に相対する遮蔽位置から格納位置へ移動させ基板12の処理後に格納位置から遮蔽位置に戻す遮蔽プレート移動装置15,16と、を有する。格納位置では遮蔽プレート11が格納チャンバの内部にある。
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【課題】 希土類系永久磁石などの被処理物の表面に蒸着形成される金属被膜の緻密性を向上させる方法を提供すること。
【解決手段】 蒸着槽内において加熱した溶融蒸発部に蒸着制御ガスを含有するワイヤー状金属蒸着材料を連続供給しながら蒸発させることで、蒸着槽内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物の近傍に蒸着制御ガスを供給した状態で被処理物の表面に金属被膜を蒸着形成する際、蒸着槽内全圧に対する希ガス分圧の割合を０．２〜０．８に維持して蒸着処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら効率よく冷却することができる技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置１００の真空容器１０１内部の基板を冷却するための冷却装置であって、前記基板Ｗを冷却する基板冷却台１０４と、前記基板冷却台を冷却する冷却機構１０２と、前記基板冷却台に冷却ガスを導入する冷却ガス供給部１１０，１１１と、前記基板を前記基板冷却台から所定の間隙だけ離間させた状態で保持し、当該基板を保持した状態で回転駆動される基板回転機構１０５と、前記基板回転機構を所定の回転数で回転駆動する駆動機構１０６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】駆動機構の複雑化やフットプリントの増加を最小限に抑えつつ、防着板によって構成されたシールド空間の排気コンダクタンスを向上し、残留ガスを効果的に減少させた成膜装置を提供する。
【解決手段】シールド空間に開口部を設け、真空ポンプと真空チャンバとの間の排気口を封止可能な可動板を、成膜時に前記開口部を塞ぎ前記排気口を開く第１のポジションと、被処理基板搬送時に前記開口部と前記排気口の両方を開く第２のポジションと、前記排気口を封止する第３のポジションと、に移動可能なように構成された成膜装置。 （もっと読む）