【課題】ゲートバルブの開閉動作に伴う振動の発生を抑制しながら、このゲートバルブの開閉動作を高速で行うことを可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】シリンダ１１５内のピストン１１４が一の方向の端部に到達する直前に、第２の開閉バルブ１１７ａを全閉することによって第２の流量調整バルブ１１７ｂのみで排気する一方、シリンダ１１５内のピストン１１４が他の方向の端部に到達する直前に、第１の開閉バルブ１１６ａを全閉することによって第１の流量調整バルブ１１６ｂのみで排気する。これにより、シリンダ１１５の端部とピストン１１４との接触による衝撃を緩和し、振動の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】紫外線遮蔽機能をもち、酸性雨に対する耐性の高いハードコート構造を備えた透明体を提供する。
【解決手段】透明基材１と、基材１上に順に配置された、紫外線吸収層２とハードコート層３とを有する透明体であって、紫外線吸収層２として、アモルファスなＴｉＯ_２膜を用いる。紫外線吸収層２とハードコート層３との間には、アモルファスなＴｉＯ_２と、ハードコート層を構成する材料との混合物からなる混合層４が配置されている。ＴｉＯ_２膜は、耐酸性が高い性質を有し、しかも、アモルファスなＴｉＯ_２膜は光触媒性能を備えないため、基材との密着性が高い。混合層４は、紫外線吸収層２とハードコート層３との密着性を高め、冷熱サイクルを受けた場合の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に均一な膜厚の薄膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】真空槽８内に配置された細長の放出装置３０の両端位置の第一、第二の接続口３８ａ、３８ｂに、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂを接続し、第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから、放出装置３０の両端位置に成膜材料の蒸気を供給する。放出装置３０の一端から他端に亘って、真空槽８内に蒸気が均一に放出される。第一、第二の蒸気生成装置２０ａ、２０ｂから放出装置３０に供給される蒸気の供給速度を個別に制御することで、膜厚が均一な薄膜を基板６の成膜面上に成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知可能とした半導体製造装置である。 （もっと読む）

本発明は、化学式Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｘ_２（ここで、ＸはＳまたはＳｅ）を有する半導体材料から成る膜を堆積させるための方法および装置に関する。本発明の方法は、少なくとも１つのスパッタリングターゲットから基板の少なくとも１つの表面上にＣｕ，ＩｎおよびＧａをカソードスパッタ堆積させることを含み、加えて、カソードチャンバ内の前記表面上に蒸気相にあるＸを同時堆積させることを含む。Ｘまたは後者の前駆物質の蒸気形態は、第１のガス層流の形態で移動させられ、その進行経路は基板表面に平行であり、かつ後者と接触し、しかも不活性ガスに対する第２のガス層流の形態で同時に移動させられ、その進行経路は第１のガス層流と平行であり、かつ第１ガス層流の進行経路とスパッタリングターゲットの表面との間に設置され、これによって、第１のガス層流が基板の周りの領域に制限されることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

例えば、Ｂ２Ｆ４またはその他のＢＦ３の代替物といったホウ素ソース材料を使用して、アークチャンバ熱生成によるドーパントガスの加熱および分解を抑制するために、ドーパントガス供給ラインにおいてドーパントガスの冷却を提供する、イオン注入システムシステムおよび方法。イオン注入システムの効率的な動作を達成するために、多様なアークチャンバ熱管理構成が、プラズマ特性の変形、特定の流れ構成、洗浄プロセス、電力管理、平衡シフト、抽出光学系の最適化、流路における堆積の検出およびソース寿命最適化と共に記載される。 （もっと読む）

【課題】放電ガスが各カソードに供給されるタイミングを一致させるとともに、ガスレスポンスやメンテナンス性、さらには信頼性の向上及び低コスト化を図ることができるガス供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給装置は、チャンバフレームと、チャンバフレームに開閉可能に取り付けられ、カソードが設けられた扉と、扉に取り付けられ、カソードに放電ガスを供給するガス流路を有する扉側導入ブロックと、チャンバフレームに取り付けられ、チャンバフレームの外部から導入された放電ガスを扉側導入ブロックに供給するガス流路を有するチャンバ側導入ブロックとを備える。扉を閉じた際に、扉側導入ブロックのガス流路とチャンバ側導入ブロックのガス流路とが連通される。 （もっと読む）

本発明は、基板(6)上へのポリマーフィルムの化学気相蒸着法に係り、該方法は、以下の2つの別々の、連続する段階を含む：ガス相のフォトン活性化段階、ここではフォトン活性化エネルギー(42、43)が、主としてガス状組成物中に存在する少なくとも一つのガス状ポリマープリカーサに供給され；および化学気相蒸着段階、ここでは前記フォトン活性化段階から得られる、該活性化されたガス状ポリマープリカーサが、基板(6)上にポリマーフィルムを生成するように、該基板上に堆積され、またここで該ガス相の全圧力は、10²〜10⁵Paなる範囲内にある。本発明は、またこのような方法を使用するためのデバイス(1)にも係る。
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【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】ガス管のシール部から処理容器内へ空気がリークして侵入することを防止することが可能なガスポート構造を提供する。
【解決手段】被処理体に処理を行うために真空排気が可能な処理容器内へガスを導入するガスポート構造において、処理容器の端部に設けられてガスノズルを挿通するためのノズル挿通孔が形成されたガス導入ポートと、ノズル挿通孔に挿通されたガスノズルの端部を挿入して連結されるガス導入管と、ガス導入管の端部とガス導入ポートとの間に介在されるシール部材と、シール部材の外周側に空間を隔てて覆うように設けられた覆い体と、ガスノズルとガス導入管との連結部をシールするためにガス導入管をガス導入ポート側へ付勢してシール部材を押圧する押圧部材と、空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を基板上に堆積させることを容易にする原料ガス分解機構を提供すること。
【解決手段】減圧下のチャンバ１７内で基板２１上に薄膜を気相堆積させる薄膜製造装置１に設けられ、薄膜の原料となる１種類または複数種類の原料ガスの分解種を分解して該原料ガスの分解種を生成する原料ガス分解機構に、反応室に連通される開口部を有し、該開口部を介して反応室に原料ガスを導入する１つまたは複数のガス導入管１３と、上記の開口部での反応室側の開口面よりも基板側に変位した状態で、かつ上記の開口部に近接した状態で接配置される原料ガス分解用の触媒体１０と、触媒体に導線１１ａ，１１ｂを介して通電することで該触媒体を昇温させる加熱電源１２とを設ける。 （もっと読む）

本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層でコーティングする。このＤＬＣ層を、ＤＬＣコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、ＤＬＣ層のピンホールを閉じる。
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【課題】基体の表面における原料モノマーの滞留時間を考慮することなく、基体の表面を平坦化することができる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、２つの蒸発源２１Ａ、２１Ｂにそれぞれ注入された２種の原料モノマーＡ、Ｂを加熱し気化させて得られた原料ガスを混合して混合ガスとし、この混合ガスを真空チャンバ１２内へ導入し、被処理体１３の一方の面１３ａにて、２種の原料モノマーＡ、Ｂを蒸着重合させて、被処理体１３の一方の面１３ａに被膜を形成する成膜方法であって、２種の原料モノマーＡ、Ｂとして、融点が室温よりも低いものを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】被膜形成物および被膜形成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素および半金属元素から選択された１以上の元素と、第１元素と、第２元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、前記第１元素を含む第１ガスおよび前記第２元素を含む第２ガスから選択された１以上のガスを前記成膜室に供給し、前記１以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、前記成膜室における前記第１ガスと前記第２ガスの分圧比を変化させる段階と、を備えた被膜形成物の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】多層膜ミラーの面内応力分布を簡単な方法で制御する。
【解決手段】成膜室内にスパッタガスを導入し、基板を回転させながらターゲットに対して相対的に走査させて成膜する工程で、基板の走査位置に応じて、スパッタガスに添加する水又は水素ガスの混合比を変化させる。例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の各層を成膜中に、回転する基板上の成膜速度が基板の走査位置によって変化することで膜の内部応力値が変わるため、水又は水素ガスの混合比を変化させると膜の内部応力が変化することを利用して応力分布を均一にする。 （もっと読む）

【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置７と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器４と、炭素膜を堆積させる基板３を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置７の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC₆₀、フラーレンC₇₀、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板３の広さは1〜100cm² の範囲内にあることが好ましい。また、基板３のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を保ちながら品質の高い膜を基材上に形成することができるイオンプレーティング方法および装置、およびイオンプレーティングによるガスバリア膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１２内に設置された被イオンプレーティング用基材１３に対して蒸着材料２０を蒸着するイオンプレーティング装置１０は、蒸着材料２０を収納するるつぼ１９と、真空チャンバ１２内に昇華ガス２５を導入するガス導入部２４と、昇華ガス２５をプラズマ化させる圧力勾配型のプラズマガン１１と、プラズマ化された昇華ガス２５がるつぼ１９に収納された蒸着材料２０に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構５とを備えている。このうちプラズマガン１１はガス導入部２４に設けられており、磁場機構５はプラズマガン１１と真空チャンバ１２との間に設けられている。また、昇華ガス２５は、キセノンガス２６とアルゴンガス２７とを含んでいる。 （もっと読む）