【課題】検査時間を短縮し、かつ諸所の検査温度との誤差を抑制する検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１ａは被検査体２及び熱伝導体１１ａを載置可能な試料台１０と、前記試料台１０に対向して設けられ、前記被検査体２に接触して検査する探針（検査部）１４、この探針１４を支持するユニット１５及びユニットホルダ１３を有する基板１２と、前記ユニットホルダ１３及び前記試料台１０に接触しうる前記熱伝導体１１ａとを有し、検査方法は試料台１０に熱伝導体１１ａを設置する工程と、基板１２と前記熱伝導体１１ａを接触させる工程と、前記熱伝導体１１ａを前記試料台１０から移動し、前記試料台１０に被検査体２を設置する工程と、前記被検査体２に探針１４を接触させて検査をする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】小型、省エネルギーの除湿機を有するミニエンを提供する。
【解決手段】ミニエンにおいて、ウェーハ搬送を行う搬送室を内部に有するミニエン本体と、ミニエン本体の排気側と吸気側との間に設置され、ミニエン本体の内部を除湿する除湿機とを備えている。そして、除湿機は、吸着式除湿機からなり、水分を吸着する除湿材に供給する空気を冷却するプレクーラー２７、アフタークーラー２８と、水分を吸着する除湿材に供給する空気を加熱する排気ヒーター３３、再生ヒーター２３とを備え、プレクーラー２７、アフタークーラー２８と排気ヒーター３３、再生ヒーター２３との熱源にペルチェ素子４１が使用されている。 （もっと読む）

【課題】複数の構成部材により構成される大型のチャックを用い、大型の基板の温度を均一に精度良く調節して、露光精度を向上させる。
【解決手段】チャック１０にほぼ同じ大きさの複数の温度調節領域を設け、チャック１０を温度調節領域と異なる形状の複数の構成部材１０ａ，１０ｂ，１０ｃにより構成する。チャック１０の各温度調節領域に、熱媒体が流れる熱媒体通路１１ａ，１１ｂ，１１ｃをそれぞれ独立して設け、チャック１０を構成する構成部材１０ａ，１０ｂ，１０ｃの境界に位置する温度調節領域の熱媒体通路１１ｂ，１１ｃを、隣接する構成部材にまたがって配置する。チャック１０の各温度調節領域の温度を別々の温度センサー１２で検出し、各温度センサー１２の検出結果に基づいてそれぞれ独立に温度を調節した熱媒体を、チャック１０の各温度調節領域の熱媒体通路１１ａ，１１ｂ，１１ｃへそれぞれ独立して供給する。 （もっと読む）

【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】蛍光体を用いた板状試料の温度測定の際に生じる温度測定誤差を小さくすることができ、しかも、発熱体の温度の安定性及び応答性に優れた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】一主面を板状試料を載置する載置面１１ａとするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵してなる静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、静電チャック部２の載置面１１ａと反対側の面にヒータエレメント４を設け、このヒータエレメント４の一部に、石英ガラス３１のヒータエレメント４側の面に蛍光体層３２を備えた温度測定子５を設け、静電チャック部２と温度調整用ベース部３とを、絶縁性の有機系接着剤層７を介して接着一体化した。 （もっと読む）

【課題】支持基板と接合されたウェハに反りや歪みが生じることを抑制する。
【解決手段】被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合装置３０は、内部を密閉可能な処理容器１００と、接着剤を介して、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合部１１３と、接合部１１３で接合された重合ウェハＴを温度調節する重合基板温調部としての受渡アーム１２０とを有する。接合部１１３及び受渡アーム１２０は、処理容器１００内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面内温度分布を解消し、基板表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させて歩留まりを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板保持部材２０に設けた基板保持凹部２３に基板２２を保持し、加熱手段によって加熱される基板保持部材を介して基板を加熱するとともに、基板上に原料ガスを供給して基板表面に薄膜を形成する気相成長装置において、基板保持凹部は、基板の裏面に平行な平面部２６と、平面部から上方に突出して上端に基板載置部２７ａが設けられた基板支持凸部２７と、基板支持凸部に隣接する平面部に設けられた凹溝部２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】
基板の塗布、現像処理を行う基板処理装置において、インターフェイスブロックＳ３内の雰囲気温度の変動にかかわらず、基板を露光機Ｓ４にて要求されている目標温度に設定すること。
【解決手段】
基板を温調プレート５３により温調した上でインターフェイスブロックＳ３から露光機Ｓ４に搬送する。そして温調プレート５３を通過する温調流体の温度を検出し、設定温度に基づいてチラー５を制御する。更に、インターフェイスブロックＳ３内の雰囲気の温度あるいは当該雰囲気を搬送された基板の温度を検出し、その温度に基づいて温調流体の設定温度を調整する。あるいは例えば前記雰囲気の温度が目標温度から外れているときに基板の搬送速度を前記雰囲気の温度が目標温度であるときの速度よりも速くなるようにコントロールする。 （もっと読む）

【課題】露光ユニット全体を小型化することができ、また、タクトタイムの短縮を図ることができ、且つ高精度に異物を検出することが可能なプリアライメント装置及びプリアライメント方法を提供する。
【解決手段】プリアライメント装置２０は、精密温調プレート２２に載置された基板Ｗの温度を調整する基板温調機構、精密温調プレート２２に載置された基板の異物を検出する異物検出機構３４を有することで、プリアライメント装置２０と基板温調機構と異物検出機構が単一の装置となり、また、搬送用ロボットの数も削減でき、露光ユニット全体を小型化することができる。また、温度の調整が行われている基板にプリアライメント、異物検出を行うことで、タクトタイムの短縮を図ることができる。また、複数のカメラ３０のＹ方向一方側に配置された複数の第１の光源３１Ａは、隣接する第１の光源３１Ａ同士の両端部をＹ方向から見てオーバーラップさせた状態で、Ｘ方向に沿って千鳥状に配置されるので、精度良く異物を検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト１０３は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３であって、前記サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７と、該支柱１０７から前記サセプタ１０２の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム１０８と、隣接する該アーム１０８の先端同士を接続するアーム接続部材１０９と、該アーム接続部材１０９から延び、前記サセプタ１０２を支持するｎ本（ｎは４以上の自然数）の支持ピン１１０と、を有し、前記アーム１０８が（ｎ-１）本以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度調整作業の簡便化に寄与する熱電対付きウエハを提供する。
【解決手段】この発明の熱電対付きウエハ１０は、ウエハ１１の一方面に一対の素線１３，１４の一端同士を接合した感温部１３が固定され、ウエハ１１の反対面に一対の素線１３，１４の他端がそれぞれ接続される一対の電極板１５，１６が設けられる。そして、一対の電極板１５，１６に対応してウエハ１１に一対のスルホール１１１、１１２が設けられ、各素線の他端が各スルホール１１１、１１２を通して電極板１５、１６に接続される。 （もっと読む）

【課題】冷却による基板の損傷を防止可能な基板冷却装置、基板キュア装置、並びに基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板冷却装置において、複数の基板８０ａ〜８０ｆは、下側から上側に向かって、基板８０ａ〜８０ｆの順番で間隔Ｄを空けて積層されている。突出片６５は基板８０ｂと略同一線上の位置にあり、突出片６６は基板８０ｄと略同一線上の位置にあり、突出片６７は基板８０ｆと同一線上の位置にある。基板８０ａ〜８０ｆは、突出片６５〜６７によって、Ａ〜Ｃのエリアに区分されている。冷却室７内には、突出片６５〜６７と基板８０ａ〜８０ｆとによって、Ａ〜Ｃのエリアに区分された送風路Ｓが形成されている。送風路Ｓにおいて、各エリアに位置する基板８０ａ〜８０ｆは、略整流板である。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加熱された基板を、より均一かつ迅速に冷却する冷却方法、および真空処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態の基板冷却方法は、減圧状態が維持可能な処理室において加熱された基板を、前記処理室から減圧状態が維持可能なロードロック室内に搬送するステップと、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を前記ロードロック室内に設けられたガイド機構に支持させるステップと、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面に冷却体を接触させずに接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度Ｔ_１よりも低い温度Ｔ_２になるまで前記基板を冷却するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】大径基板に対応した搬送系を構成する基板収容器（フープ）に、サイズダウンした基板を格納できるようにする。
【解決手段】８インチウェーハを支持し得る第１支持溝１６ｅに支持される上部板４０１および下部板４０２と、上部板４０１および下部板４０２に設けられ、２インチウェーハであるウェーハ１４（必要に応じて、ウェーハホルダ１００およびホルダ部材４０５を介して）を支持し得る第２支持溝４０４を有する各保持柱４０３ａ〜４０３ｃとを備える。８インチウェーハに対応したポッド１６に、２インチウェーハであるウェーハ１４を格納でき、搬送系であるポッド１６を共通化して半導体製造装置のコストを削減できる。各ガス供給ノズルから各ウェーハ１４までを遠ざけて、各ウェーハ１４に到達する前に反応ガスを充分に混合させることができ、各ウェーハ１４への成膜精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】装置稼働率を向上することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に向かってマイクロ波を供給する
マイクロ波供給部、及び、基板の表面に向かって不活性ガスを供給するガス供給部を少な
くとも備える処理室と、前記処理室において処理がなされた基板を冷却する冷却機構を備
える搬送室、及び、前記冷却機構によって冷却された基板を搬送する搬送機構を少なくと
も備える搬送室とより少なくとも構成される。 （もっと読む）