【課題】 吸着台の吸引孔形成領域よりも小さいサイズの対象物を安定して保持することが可能な吸着用部材を提供する。
【解決手段】 吸着用部材は、複数の吸引孔が設けられた吸着台上に載置され、吸引孔による気体の吸引によって対象物を吸着する。吸着用部材は、吸着台上に着脱可能に載置される基板を有し、該基板は、対象物が載置され、吸引孔による吸引を可能にして対象物を吸着する吸着領域と、該吸着領域の外周に設けられ、複数の吸引孔の一部を覆う吸着遮断領域とを有する。 （もっと読む）

本発明は、リソグラフィプロセスにおいて物品を支持するための支持構造の製造方法に関する。本方法は、絶縁体上に設けられた導電性最上層を有する基板を設ける工程と、パターン化された電極構造を設けるために導電性最上層のパターニングを行う工程と、絶縁性上面を有する埋め込み電極構造を設けるように導電性最上層を酸化する工程と、を含む。これにより、静電クランプを手軽に設けるための電極構造として単純な埋め込み構造を提供することができる。本発明は、リソグラフィプロセスにおいて物品を支持するために相応に製造される支持構造にさらに関する。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板温度制御を提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダを用いた基板温度制御方法は、
（１）基板のプロセス開始前に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度まで昇温させる第１の行程と、
（２）基板１０のプロセス開始時に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度より高い第２の設定温度まで昇温させる第２の行程と、
（３）基板１０のプロセス中に、第２の設定温度まで加熱された基板１０を第１の設定温度まで降温させる第３の行程と、
（４）基板１０のプロセス終了まで、基板１０を第１の設定温度に維持する第４の行程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ半導体処理装置の基板支持アセンブリ用の加熱プレートは、スケーラブルな多重化レイアウトに配置された複数の独立に制御可能な平面ヒータゾーンと、これらの平面ヒータゾーンを独立に制御すると共に、これらに電力を供給する電子回路とを備える。この加熱プレートが組み込まれる基板支持アセンブリは、静電クランプ電極と、温度制御されるベースプレートとを備える。この加熱プレートを製造する方法は、平面ヒータゾーン、電力供給ライン、電力リターンライン、およびビアを含むセラミックまたはポリマーのシートを一つに接合することを含む。 （もっと読む）

【課題】 昇降温特性を向上させ、高スループットを実現できる剛性の高い加熱ヒータを比較的安価に提供する。
【解決手段】本発明の加熱ヒータは、ウェハ載置面を有する第１の均熱板と、この第１の均熱板を支持する第２の均熱板と、第１の均熱板と第２の均熱板の間に抵抗発熱体を有し、この抵抗発熱体を第１の均熱板のウェハ載置面とは反対側の面に絶縁性の接着層によって一体化したことを特徴とする。このような構造とすることによって、変形や割れが発生することなく、高速昇降温させることができる加熱ヒータを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの直径が大きくなる傾向にある近年、重ねあわされる互いのウェハ全面において均一に加圧加熱することが困難になってきている。
【解決手段】ウェハを加圧加熱する加圧加熱モジュールは、軸方向に押圧力を発生させるアクチュエータに接続された支柱部と、押圧力を受けた支柱部に押圧されるヒータプレートと、ヒータプレートに押圧及び加熱されるステージ部を備え、支柱部がヒータプレートを押圧する第１の押圧面は、ヒータプレートがステージを押圧する第２の押圧面より小さい。 （もっと読む）

【課題】接合材層の穴への流れ込みを防止できるとともに、吸着面の均熱性の低下を防止することができる半導体製造装置用部品を提供すること。
【解決手段】半導体製造装置用部品１は、セラミック部材１０及びベース部材３０を備える。セラミック部材１０には、第２主面１２にて開口する第１の穴４７，８１が設けられる。また、ベース部材３０は、第１の穴４７，８１に連通する第２の穴４９，８２を有する。そして、セラミック部材１０の第２主面１２及びベース部材３０の支持面３１は接合材層２０を介して接合される。また、支持面３１には、穴４９，８２を包囲する位置に溝９０，９１が設けられる。なお、接合材層２０は溝９０，９１の外側領域に存在し、溝９０，９１内の空間には接合材層２０の一部が入り込んで溜まり９２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ワークに熱的、加圧的な物理的ダメージを与えることなく、剥離用テープを、ワーク上の剥離対象の貼付け部材に確実に取り付けることができ、貼付け部材のスムーズな剥離を保証する。
【解決手段】ワークホルダーにセットされたワーク４０の一端近くの上方で、短冊状の剥離用テープ３０をテープ把持機構６により吊持した状態で、テープ３０に横からのエア吹付けを行い、テープ３０を、その接着面をワーク４０の上面に位置する貼付け部材４１と対面するようにほぼ横向きにし、この状態で、テープ把持機構６を上下方向移動機構１０によりワークに対して相対的に下向きに移動させて、剥離用テープ３０を貼付け部材４１に接着することが可能な位置に位置付ける。ついで、横からのエア吹付けを停止して、テープ３０に下向きのエア吹付けを行い、この下向きのエア吹付けによりテープ３０を貼付け部材に押し付けて接着する。その後、テープ把持機構６ひいてはテープ３０をワーク上面に沿って移動させて貼付け部材４１を引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】支持ピン用の貫通孔部分の温度低下を抑制し、基板の加熱処理を均一化できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ホットプレート７１およびサセプタ７２には、支持ピン７０用の貫通孔７７が形成され、この貫通孔７７には、円筒状のピン孔用スリーブ７８が嵌め込まれている。このピン孔用スリーブ７８は、サセプタ７２の形状に合わせて、サセプタ面に対して＋／−０．２ｍｍの範囲の高さであり、０．５〜１０ｍｍの範囲の厚さである。また、ピン孔用スリーブ７８は、貫通孔７７に対して約１ｍｍの余裕を持たせて嵌め込まれている。なお、サセプタ７２が石英の場合、石英よりも熱伝導率の高いＡＬＮやＳｉＣ等の材料を用いると、貫通孔７７に対応する部分の温度は、石英の場合より高く設定できる。その結果、支持ピン７０用の貫通孔７７部分の温度低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】板状ワークに貼着される拡張テープとして熱された後に冷却される過程で収縮する性質を有するものを使用する場合において、拡張テープの拡張によるチップ間隔の拡張後に拡張テープのうち板状ワーク貼着部分の外周側に生じるたるみの除去を迅速に行う。
【解決手段】開口部において拡張テープ１０４を介して分割前の板状ワーク１００又はチップに分割済みの板状ワークを支持する環状フレーム１０５を保持するフレーム保持手段と、フレーム保持手段と板状ワークとを板状ワーク表面の垂直方向に離反させて拡張テープ１０４を拡張してチップ間隔を拡張するチップ間隔形成手段とを有するテープ拡張装置を用い、熱した後に冷却することによって冷却する過程において収縮する拡張テープ１０４を拡張し、拡張によって生じたたるみ部１０４ａに対して加熱手段４を用いて加熱を行うとともに冷却手段４を用いて冷却を行う。 （もっと読む）