【課題】 支持した被処理ウエハーの温度分布を均一にする半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 等間隔のアレイ状の突起５０４が形成されたサセプター１０２で被処理ウエハー１０３を支持することにより、被処理ウエハー１０３とサセプター１０２との接触する部分が被処理ウエハー１０３の表面全面に対して均等に点接触し、限りなく面接触に近い状態となるので、被処理ウエハー１０３の温度分布が均一になる。 （もっと読む）

【課題】静電吸着力の解除に必要な時間を短縮して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器の内側に配置された処理室と、この処理室内の下方に配置されその上に略円形の試料が載置される試料台とを有し、この試料台上方の前記処理室内の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の前記試料が載置される面上を覆う誘電体膜と、この膜の内側に配置され前記試料をこの試料を処理する際に前記誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される正負の電極４０１の対とを備え、これらの電極が前記試料台の上方から見てその中心に対し左右について略対象に配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が配置された絶縁性フィルムに熱損傷を与えない静電吸着装置、および真空処理方法を提供する。
【解決手段】電極層１１の表面の絶縁層１２に溝を形成しておき、処理対象物のフィルムを、溝１２間に位置する突起１４の上端部に乗せ、溝１３内を真空排気した後、電極層１１に電圧を印加し、フィルム上の半導体デバイスを静電吸着する。フィルムと突起の接触面積が大きく、その間の熱伝導率が高いので、フィルムの熱が均一に静電吸着装置１０側に流れ、フィルムの熱損傷が無い。 （もっと読む）

【課題】 被吸着物の裏面転写性を低減させることができる吸着装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る吸着装置６０は、真空源を用いてウェハ５０を真空吸着することで、ウェハ５０を保持するように構成された吸着装置において、吸着面７２にウェハ５０の被吸着面５２を接触させて吸着穴７３に負圧を作用させることで、ウェハ５０の被吸着面５２が吸着面７２に真空吸着されるように構成された弾性を有する円盤状の吸着部材７１と、吸着部材７１の周囲を囲むように配設され、ウェハ５０による被吸着面５２の延長面上での移動を規制可能なリテーナリング７６とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】 熱処理装置において、基板を支持する支持機構とウェハとの接触により生じるウェハの温度変化を抑える。
【解決手段】 処理室と、処理室内において基板を支持する支持機構と、処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段とを有する熱処理装置において、支持機構は、基板の外周縁部において基板を支持するようにする。また、支持機構は、基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、基板と接する面が、基板表面に対して斜めの方向に形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】基板と位置規制部との接触を防止することにより、フラッシュランプによる熱処理時における基板の破損を防止する。
【解決手段】熱処理装置は、基板９を保持する保持部７、保持部７を昇降する保持部昇降機構、基板９にフラッシュランプからの光を照射して加熱する光照射部、および、保持部７の上方にて基板９を支持する３本の支持ピン７０を有する基板支持部７００を備える。保持部７のサセプタ７２は、基板９が載置される載置面７２２、および、載置面７２２の周囲に設けられた傾斜した側面７２３を備える。熱処理装置では、基板支持部７００から保持部７への基板９の移載時に、極めて低速（秒速１ｍｍ以下）にて基板９を上昇させることにより、載置面７２２上における基板９の横滑りを防止して基板９と側面７２３との接触を防止し、熱処理時における基板９の破損を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハが飽和温度に達するまでの時間が短く、かつウェハの面内温度差が小さい静電チャックを提供する。
【解決手段】板状体８の一方の主面をウェハを載せる載置面８ａとし、板状体８の他方の主面または内部に吸着用電極６を備えるとともに、板状体８の一方の主面８ａに、貫通孔５、複数の凸部８ｂ、外周に備えた環状の凸部８ｃ、及びこれらの凸部８ｂ、８ｃ間に備えた溝部８ｄを有するとともに、凸部８ｂの平面形状が４つの辺と４つの辺を繋ぐ屈曲線からなり、凸部８ｂが載置面８ａに一様に配設する。 （もっと読む）

【課題】 チャック表面と試料裏面間に供給した液体のうち、多数の突起と試料裏面間に存在する液体のみを凝固することにより、凝固時に発生する液体の膨張による薄板の変形を無視できるほど小さくすることができる冷凍チャック装置を提供する。
【解決手段】 チャックプレート表面５に設けられた多数の給排液孔２、これに連結されるチャックプレート表面下に設けられた液体給排液溝３、およびチャックプレート表面上に液体を保持する外周壁４からなるチャックプレート８、このチャックプレート８の下部に設けられた不凍液を循環させる冷凍プレート９を有し、チャックプレート表面５の上面に試料を支承する多数の突起１を形成し、この多数の突起１の上面と試料１２の裏面間に存在する液体６（黒色で塗りつぶし）のみを凝固して試料を固着する。 （もっと読む）

【課題】ロータに処理液が残留することを防止でき，かつ，耐薬液性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ロータに備えた複数の保持部材４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄによって基板Ｗの周縁部を保持し，前記ロータによって基板Ｗを回転させて処理する基板処理装置において，前記保持部材４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄを支持する支持部材４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄを備え，前記保持部材４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄと前記支持部材４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄとの間に，隙間７５が形成されることとした。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程数および簡易な構成で基板を確実に反転させることができ、かつ小型化が可能な基板反転装置および基板反転方法を提供することである。
【解決手段】 第２の可動部材７５に設けられた複数の基板支持ピン７３ｂ上に基板Ｗが支持される。次に、第１の可動部材７４に設けられた複数の基板支持ピン７３ａに複数の基板支持ピン７３ｂが近接するように、第１および第２の可動部材７４，７５が互いに移動される。次に、基板支持ピン７３ａ，７３ｂとの間に基板Ｗが保持された状態で、第１および第２の可動部材７４，７５が反転される。そして、複数の基板支持ピン７３ａ，７３ｂとが互いに離間するように第１および第２の可動部材７４，７５が相対的に移動される。 （もっと読む）