プラズマ処理装置
【課題】静電吸着力の解除に必要な時間を短縮して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器の内側に配置された処理室と、この処理室内の下方に配置されその上に略円形の試料が載置される試料台とを有し、この試料台上方の前記処理室内の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の前記試料が載置される面上を覆う誘電体膜と、この膜の内側に配置され前記試料をこの試料を処理する際に前記誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される正負の電極４０１の対とを備え、これらの電極が前記試料台の上方から見てその中心に対し左右について略対象に配置される。
【解決手段】真空容器の内側に配置された処理室と、この処理室内の下方に配置されその上に略円形の試料が載置される試料台とを有し、この試料台上方の前記処理室内の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の前記試料が載置される面上を覆う誘電体膜と、この膜の内側に配置され前記試料をこの試料を処理する際に前記誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される正負の電極４０１の対とを備え、これらの電極が前記試料台の上方から見てその中心に対し左右について略対象に配置される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の試料をプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置に係り、特に、試料の処理中に試料を試料台上に静電気により保持する手段を有する試料台を備えたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような試料台を備えたプラズマ処理装置では、まず、プラズマを静電容量を備えた誘電体と考え、試料台上に設けられた誘電体膜内に、半導体ウエハ等の試料の大きさを考慮して形成された電極を配置して、これに所定の電位を与えて、プラズマに面した側と試料台に面した側とに異なる電荷を形成して、この試料台に面した側の電荷と誘電体膜内に形成した電荷との間で静電吸着力を形成するものが知られていた。
【０００３】
しかし、このような技術では、プラズマに対して試料内部の一方の側に電荷を形成するもので、静電吸着力を形成するにはプラズマを形成することが必要であった。このため、吸着力の解除のために試料の処理を終了してもプラズマを形成する必要が有り、処理の効率を損なってしまっていた。
【０００４】
そこで、試料台の誘電体膜内に、正負の電極を配置して各々に電位を印加して、半導体ウエハ等の試料の面内において、誘電体膜内の各電極に対応した位置に正負の電荷を形成し、これらの電荷と誘電体膜内に形成される電荷との間で静電吸着力を形成することが行われてきた。このような構成において、処理が終了した後、各々の電極で極が逆となるような電位を印加することで、試料内の電荷の極性を中和して静電吸着力を解除することが可能となり、プラズマを形成する必要が無くなり、処理の効率を向上させることが出来る。このような技術を開示する従来の技術文献としては、特開平６−１２０３２９号公報が知られていた。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１２０３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来技術では、次のような問題点が有った。
【０００７】
すなわち、上記従来技術では、一方の極の電極は試料台の中央側に配置された円形状であり、他方の電極は、これの周囲を囲んで配置されたリング状の形状を備えている。処理する試料が平板で、ほぼ誘電体膜状に均一に接する場合には、このような形状においては、静電吸着力が安定して供給できる。
【０００８】
しかし、処理をしようとする試料がその前段階の処理において熱を受けて変形している場合、例えば、大きな熱を受けた側とその逆側の面では材料の違い等による膨張率の相違といった要因から反りが生じている場合では、試料が試料台に載置された際に、その全面にわたり均一に誘電体膜あるいは試料台の表面に接触することが困難となる。
【０００９】
この場合に、静電吸着により試料を保持したとしても、静電吸着用の各電極の上側を覆って誘電体膜に接する面積が、各電極により異なってしまい、試料内に生じる正負の電荷の量が、大きく異なってしまう虞が有る。この場合、静電吸着力を解除しようとして、異なる極性を静電吸着電極に印加しても、必ずしも試料側の電荷に対応したものにすることが出来ず、電荷が十分な拡散が得られて吸着力が解除できるまで、多くの時間を必要となって、処理の効率を損なってしまうという問題が生じていた。
【００１０】
また、このような試料の反りは外周側で大きくなるが、この大きな反りが生じる領域は、その前段階の処理や試料の製法等に依って異なり、試料台に載置された際にその表面との十分な接触面積を得られて静電吸着力を発揮できる領域は分布を有している。このような反りの生じる領域の変動に対して、安定して静電吸着力を形成し、短時間に吸着力の解除を行えて、処理の効率を向上させる点については、上記従来技術では、考慮されていなかった。
【００１１】
本発明の目的は、静電吸着力の解除に必要な時間を短縮して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的は、真空容器の内側に配置された処理室と、この処理室内の下方に配置されその上に略円形の試料が載置される試料台とを有し、この試料台上方の前記処理室内の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の前記試料が載置される面上を覆う誘電体膜と、この膜の内側に配置され前記試料をこの試料を処理する際に前記誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される正負の電極の対とを備え、この正負の電極が前記試料台の上方から見てその中心に対し左右について略対象に配置されることにより達成される。
【００１３】
さらには、前記正負の電極の各々が前記試料台の中央部を中心とした円弧状の形状を備えたプラズマ処理装置により達成される。さらには、前記試料台の左右の側の各々に異なる径を有する前記円弧状の電極の複数が配置されたことにより達成される。
【００１４】
さらにまた、前記試料台の左右の側の各々に異なる径を有する正負の電極が隣り合って配置されたことにより達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の一実施例に係るプラズマ処理装置の断面図である。
【００１７】
図１に示すプラズマ処理装置は、真空容器１０の内部に処理室１００を有し、その上部に処理室１００内に電磁波を放射して電界を供給するアンテナ１０１及びアンテナプレート１０１ａ、下部にウエハ１２０などの被処理対象である試料を載置する試料台１５０を備えている。真空容器１１０は、アンテナ１０１を保持して真空容器１０を開閉可能なハウジング１０５と、このハウジング１０５が閉じられている際にその下方から指示して真空容器１０を構成する側壁１１１、及びこの側壁１１１の下方に配置された下部容器112を有している。この下部容器１１２と試料台１５０の間の空間は、処理室１００内のガスやプラズマ、反応生成物が移動して排気手段である排気ポンプ１０４により排気される空間となっている。アンテナ１０１は、真空容器の一部としてのハウジング１０５に保持され、アンテナプレート１０１ａと保持ステージ１５０は平行して対向する形で設置される。処理室１００の周囲には、たとえば電磁コイルとヨークよりなる磁場形成手段１０２が設置されている。
【００１８】
保持ステージ１５０は、その上に載置されるウエハ１２０を誘電体膜を介して静電気により吸着して保持する機能を有した、一般に静電吸着電極と呼ばれているものである。図１に示すように、静電吸着電極である保持ステージ１５０は、アルミニウム製の電極ブロック１５１，誘電体膜１５２、それにアルミナ製の電極カバー１５３で構成される。電極ブロック１５０内には、真空容器１１０外に配置された温調ユニット１０９において所定の温度に調節されて供給された熱交換媒体が循環する流路１５４が形成されている。アルミナ製の電極カバー１５３は、導体で構成された電極ブロック１５１を保護するためのカバーである。静電吸着電極である保持ステージ１５０の大きさは、１２インチ（直径300
mm）のウエハ１２０を対象とした場合には、直径が３４０mmで、全体の厚さが４０mmである。電極ブロック１５１は、真空容器１１０外に配置された高電圧電源１０６とバイアス電源１０７とに、図示していない接続器により、それぞれ接続されている。
【００１９】
本実施例の誘電体膜１５２は、厚さは０.１mm の溶射法で形成したアルミナセラミックスからなる略円板形状を有しており、この円板の上面にウエハ１２０が載置される。この誘電体膜２の材質や厚さは、この例に限られたものではなく、例えば合成樹脂の場合は、それに応じて０.１mm から数mmの厚さが選択できる。
【００２０】
誘電体膜１５２は、図２（ａ）に示すように、そのウエハ１２０に対向してこれに接する表面には、放射状に伸びる直線状のスリットの複数と、これらに連通した複数条の同心円状のスリットとからなる伝達溝２０１が設けられている。
【００２１】
さらに、これらに連通して誘電体膜１５２表面に開口されたガス導入孔２０２から伝熱用のＨｅガスが誘電体膜１５２または伝達溝２０１に導入され、上記スリット（及びこの誘電体膜１５２）とこの上に載置される被処理体であるウエハ１２０との間に形成される空間へ両者の熱伝達を行うためのＨｅガスが導入される。この空間では、ウエハ１２０の裏面に均一な圧力のＨｅガス（通常１０００Ｐａ程度）が充填される。
【００２２】
本実施例では、前記ガス導入孔２０２は、試料台１５０あるいは誘電体膜１５２の中央部及び最外周の同心円状のスリット内の複数の位置に設けられている。外周側に多数のガス導入孔２０２を配置することで、熱伝達ガスが外周から逃げやすくガスの圧力が低下してしまうことを補償し、また、温度が高くなりやすいウエハ１２０の外周側をより低い温度に調節可能にしている。
【００２３】
また、この誘電体膜１５２の内部には、前記した被処理対象であるウエハＷを誘電体膜１５２（保持ステージ１５０）上に吸着して保持するための電圧が印加される薄膜状の電極が設けられている。
【００２４】
処理室１００は真空排気弁１０３により、１００００分の１Ｐａの圧力の真空を達成できる真空容器１１０の内側に配置され密封された容器である。被処理対象であるウエハ
１２０のエッチング，成膜等の処理を行う処理ガスは、図示しないガス供給手段から所定の流量と混合比をもって処理室１００内に供給され、複数の回転可能で連通を開閉可能なフラップを有する真空排気弁１０３と排気ポンプ１０４とにより処理室１００内の圧力が制御される。本発明のようなプラズマ処理装置では、一般に、エッチング中の処理圧力を０.１Ｐａから１０Ｐａ以下の範囲に調整して使用することが典型的である。
【００２５】
アンテナ１０１には、マッチング回路１２２を介してアンテナ電源１２１が接続される。アンテナ電源１２１は、３００ＭＨｚから１ＧＨｚのＵＨＦ帯周波数の電力を供給するもので、本実施例ではアンテナ電源１２１の周波数を４５０ＭＨｚとしている。静電吸着電極Ｓには、静電吸着用の高電圧電源１０６と、たとえば２００ｋＨｚから１３.５６
ＭＨｚの範囲のバイアス電力を供給するバイアス電源１０７がマッチング回路１０８を介して、それぞれ接続される。また、静電吸着電極Ｓには、温度制御用の温調ユニット109が接続される。なお、本実施例では、バイアス電源１０７の周波数を２ＭＨｚとしている。
【００２６】
また、試料台１５０上の誘電体膜１５２表面に供給される熱伝達用のガスは真空容器
１１０外部の試料台１５０下方に配置されたガス源１１３からガス供給量速度を調節するガス導入調節弁１１４を介して、誘電体膜１５２表面に導入される。
【００２７】
このようなエッチング処理装置では、真空排気弁１０３及び真空ポンプ１０４との作動により処理室１００内部が減圧され所定の圧力に達すると、真空容器１１０の下部容器
１１２内部を処理対象のウエハ１２０が、図示していない搬送用ロボットアームにより搬送される。
【００２８】
搬送されたウエハ１２０は、試料台１５０上に載置された後、試料台１５０が処理室
１００内を上方に移動して所定の位置に配置され、誘電体膜１５２内の静電吸着用の電極に電圧が印加されてウエハ１２０が試料台１５０上に吸着，保持される。
【００２９】
その後、処理ガスが処理室１００内に供給され、アンテナ１０１及びアンテナプレート１０１ａから供給される高周波の電界と磁場形成手段１０２から供給される磁界との相互作用によって、処理室１００内に導入された供給された処理ガスが効率良くプラズマ化される。
【００３０】
また、ウエハ１２０の処理においては、ウエハに入射するプラズマ中のイオンの入射エネルギーを高周波バイアスによって制御し、所望の表面の形状が得られる。
【００３１】
前記処理が終了すると、ウエハ１２０の静電吸着が解除され、ウエハ１２０が試料台
１５０から取外されて下部容器１１２内から搬出される。
【００３２】
図２は、図１に示すプラズマ処理装置の試料台１５０の構成の概略を拡大して示す図面である。図２（ａ）は、上記の通り、試料台１５０を上方から見た上面図であり、誘電体膜１５２と試料台リング１５３とが示されている。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面を示す縦断面図である。
【００３３】
試料台１５０の上部は、図２（ｂ）に示すように、内部に熱交換媒体が通流する流路
１５４が設けられ高周波電力とバイアス電力が印加される電極ブロック１５１と、この上部に配置され静電吸着用の電極を内部に含む誘電体膜１５２，電極ブロック１５１及び誘電体膜１５２，ウエハ１２０の外周に配置され、これらをプラズマから保護する試料台リング１５３とを有している。
【００３４】
電極ブロック１５１内には、前記流路１５４及び誘電体膜１５２表面に伝熱ガスを供給する熱伝達ガス供給路２０３，静電吸着用の電極へ電圧を印加するためのコネクタプラグ２０４とが配置されている。
【００３５】
伝熱ガス供給路２０３は、誘電体膜１５２表面のガス導入孔２０２の各々と連通されており、電極ブロック１５１及び誘電体膜１５２の試料台１５０中央部と外周側とにそれぞれ設けれられている。また、ガス源１１３からの熱伝達ガスは、試料台中央部下方の熱伝達ガス供給プラグ２０５を介して熱伝達ガス供給路２０３に導入される。
【００３６】
コネクタプラグ２０４及び熱伝達ガス供給プラグ２０５は、電極ブロック１５１下方に配置されて繋げられたベース２０６に取り付けられている。熱伝達ガスプラグ２０５ガスの一部は、試料台１５０の中央部の熱伝達ガス供給路２０３に、一部は、電極ブロック
１５１とベース２０６との間に設けられた導入路を介して試料台１５０外周側の熱伝達ガス供給路２０３に供給される。コネクタプラグ２０４は、図１に示すように、試料台150下方の電位調節手段と接続されて、所定の電位が静電吸着用電極に印加される。
【００３７】
上記の通り、誘電体膜１５２の表面には、熱伝達ガスが導入され充填される、ウエハ
１２０または円筒形上の試料台１５０の半径方向及び周方向に複数設けられたスリットが設けられている。誘電体膜１５２上にウエハ１２０が載置され、これらスリット以外の誘電体膜１５２の表面とウエハ１２０とが吸着されて保持されて出来る、スリットによる空間に、供給された熱伝達ガスが充填される。
【００３８】
また、試料台リング１５３の上部には、試料台リング１５３の外周に沿った端部に、突起部１５３ａが設けられている。本実施例では、突起部１５３ａは断面が台形状を有している。この突起部１５３ａの設けられる位置は、試料台の中央部からみて、真空排気弁
１０３または真空ポンプ１０４が配置された方向に設けられている。
【００３９】
このような位置に設けることにより、ウエハ１２０の上方に生成される反応生成物の移動や流れを調節し、反応生成物が真空排気弁の側に偏って移動してしまい、ウエハ１２０の面上の位置による処理の結果が異なってしまい、処理の分布が大きくなってしまうことを抑制している。
【００４０】
試料台１５０の直下方に真空排気弁１０３が配置されている場合には、試料台リング
１５３の外周のほぼ全周に沿って突起部１５３ａを配置してもよい。
【００４１】
また、本実施例では、試料台リング１５３の内周側、及び誘電体膜１５２の外周側に沿って、４本のプッシャピン２０７を配置している。このプッシャピン２０７は、ウエハ
１２０を処理の開始前、或いは処理後に試料台１５０上で隙間を介して支持し、ロボットアームとの間でウエハを授受するものである。このために、プッシャピン２０７は、ウエハ１２０の処理後に誘電体膜１５２の上からウエハ１２０を持ち上げる、あるいは、受け取ったウエハ１２０を支持しつつ相対的に下降させて、下方の試料台１５０上に載せる動きをする。
【００４２】
この動きのために、プッシャピン２０７は、誘電体膜１５２の外周端部の直ぐ外側に位置し、ウエハ１２０の外周端部の裏面と接してこれを支持するように配置され、その支持部は、プッシャピン２０７の本体の先端に位置し、その本体よりも径が大きく構成されている。プッシャピン２０７の上下方向の移動は、図示していない、試料台１５０下方のアクチュエータにより行われる。
【００４３】
図３は、図２（ｂ）Ｂ−Ｂ断面の構成を示す横断面図である。この図において、電極ブロック１５１部分を中心とした試料台１５０の断面を示している。この図においては、図１，図２において説明した部分については、同一符号を引用したが、説明を省いた。
【００４４】
本実施例では、熱媒体が通流する流路１５４は、電極ブロック１５１あるいは試料台
１５０の外周側に配置された二重の通路となっている。特に本実施例では、温調ユニット１０９により温度調節された熱交換媒体は、熱交換媒体導入孔３０１から流路１５４に流入し、外周側の流路１５４を略一周した後、流路１５４の内周側の流路を略一周して熱交換媒体導出路３０２から流出する。
【００４５】
また、電極ブロック１５１内には、静電吸着用電極のためのコネクタプラグ２０４は、この静電吸着用電極の正負のそれぞれの電極用に、２本のプラグが設けられている。また、上記の通り、試料台の中央側と外周側の複数箇所に、熱伝達ガス供給路２０３が配置されている。
【００４６】
上記のように、本実施例では、熱交換媒体が通流する流路１５４は、試料台１５０の内側で内外複数の略円形となる経路を構成している。このような構成において、熱交換媒体は、外側の流路１５４から内側の流路１５４へ流れるように構成される。外側を流れる熱交換媒体は、内側を流れる熱交換媒体よりも相対的に潜熱が大きく、熱交換の効率が試料台１５０外周側で大きくなる。このため、外周側の熱交換効率がより大きくなり、試料台１５０を冷却する場合には、温度を内周側より低くすることが容易となる。これは、処理中においてウエハの外周側をより低く調節することで処理の不均一を抑制しようとする場合に有利となる。
【００４７】
また、本実施例では、２本の静電吸着用電極のためのコネクタプラグ２０４を配置しているが、静電吸着用電極が正負２以上有る場合には、必要に応じてプラグを配置する必要が有る。
【００４８】
図４は、図２Ｃ−Ｃ断面の試料台の構成を示す横断面図である。特に、この図面では、誘電体膜１５２内部に配置された静電吸着電極の構成の概略を示している。
【００４９】
この図において、静電吸着用電極４０１は、所定の厚さの膜として誘電体膜１５２内に配置されている。この静電吸着用電極４０１は、誘電体膜１５２を途中の所定の膜厚さまで溶射等の方法で形成した後、適切なマスクを用いて、この誘電体膜の上面に塗付、或いは溶射やＣＶＤ等の方法で形成される。この後、この静電吸着用電極４０１の上から、再度、誘電体膜１５２を形成して、上記伝達溝２０１を形成して、誘電体膜１５２を仕上げる。
【００５０】
本実施例では、静電吸着用電極４０１は、互いに絶縁されて異なる極性にされる電極
４０１ａと電極４０１ｂとが、所定の大きさの幅を有する略円弧状の部分を備えている。例えば、本実施例では、ウエハ１２０の処理中には、電極４０１ａが正電極として、401bが負電極として電位を調節されるものとする。
【００５１】
本実施例では、これらの略円弧状の部分は、周方向におよそ１８０度の角度を有して、この周方向の角度の範囲で内周端と外周端とが異なる半径でほぼ同心の円弧となっている。さらに、静電吸着用電極４０１は、試料台１５０の上方から見て、試料台１５０の中心を通る仮想の線について、その左右の側で円弧が対象な位置と形状となるように配置されている。つまり、一方の側のいずれかの電極の任意の径の円弧状部分について、他方の側において対象に位置する同じ径の円弧状部分が存在して、これら対象に位置する電極の極性は異なっているものである。
【００５２】
さらに、左右側に対象に配置された円弧状の電極４０１は、試料台１５０の径方向に異なる径の円弧であり、各々が多重の同心円状に配置されている。一方の側で多重の円弧状部分は、３重以上となっていることが望ましい。さらに、正負それぞれの電極４０１ａ，４０１ｂの各々の円弧状部分の複数が試料台の径方向について交互に位置するように配置されている。これらの隣り合った正負の異なる極の電極４０１ａ，４０１ｂの間には、絶縁部材が配置されている。この絶縁部材は、誘電体膜１５２と同部材でもよい。また、本実施例では、電極４０１ａ，４０１ｂは、それらの円弧状の部分の端部において、その外周側に位置して異なる径の円弧状部分に繋がる部分を有し、厳密にはこの接続部分においては円弧形状となっていない。このように、本実施例は、電極４０１ａ，４０１ｂのそれぞれが試料台１５０の中央部側から外周側に繋がる１つの部材となるように構成されており、静電吸着用電極４０１は、２つの膜部材で構成されている。このため、図３に示すように、静電吸着用電極４０１に電位を与えるためのコネクタプラグ２０４は２本となっている。
【００５３】
これらの電極４０１の円弧の角度は、本実施例では、それぞれ略１８０度となっているが、これに限ったものではなく、略９０度，６０度でも良い。
【００５４】
このようにすることで、試料台１５０の中央部を中心とした任意の半径の円において、この円内での正負の２つの電極４０１ａ，４０１ｂの各々の面積が略同一になるように構成される。さらに、この任意の半径の円の円周に沿った領域や円周上の長さにおいても、正負の電極の面積や、円周が位置する長さも略等しくなるように構成されている。特に、本実施例では、試料台１５０の上方から見て、試料台の中心部分を通る仮想の線の両側において、静電吸着用電極４０１の正負の電極４０１ａ，４０１ｂの略円弧状となる部分が対象となる位置に配置されている。
【００５５】
このような構成においては、反りを有するウエハが載置された際でも、試料台１５０中央部で誘電体膜１５２と接するか或いは、距離が接近して静電吸着用電極４０１との相互作用で、正負の電荷が集中するそれぞれの極の面積を等しくすることで、吸着力が安定する。さらに、反りが大きくなり、静電吸着力が小さくなり吸着力を発揮できなくなる境界の部分において、正負の電極の面積、あるいは長さがそれぞれ略等しくなり、ウエハ120内に生じる各々の極の電荷の量を等しくして、吸着を解除して除電する際の時間を短縮することが出来る。
【００５６】
また、静電吸着用電極４０１は、４０１ａ，４０１ｂ２つの部材で構成されているが、上記境界となる部分の近傍で正負の極性となる電極の面積がおよそ等しくなれば良く、使用に応じて電極の部材の個数は決定される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の試料台１５０の構成の概略を拡大して示す図面である。
【図３】図２（ｂ）Ｂ−Ｂ断面の構成を示す横断面図である。
【図４】図２Ｃ−Ｃ断面の試料台の構成を示す横断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００…処理室、１０１…アンテナ、１０２…磁場形成手段、１０３…真空排気弁、
１０４…真空ポンプ、１０５…ハウジング、１０６…高電圧電源、１０７…バイアス電源、１０８，１２２…マッチング回路、１０９…温調ユニット、１２０…ウエハ、１２１…アンテナ電源、Ｓ…静電吸着電極。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の試料をプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置に係り、特に、試料の処理中に試料を試料台上に静電気により保持する手段を有する試料台を備えたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような試料台を備えたプラズマ処理装置では、まず、プラズマを静電容量を備えた誘電体と考え、試料台上に設けられた誘電体膜内に、半導体ウエハ等の試料の大きさを考慮して形成された電極を配置して、これに所定の電位を与えて、プラズマに面した側と試料台に面した側とに異なる電荷を形成して、この試料台に面した側の電荷と誘電体膜内に形成した電荷との間で静電吸着力を形成するものが知られていた。
【０００３】
しかし、このような技術では、プラズマに対して試料内部の一方の側に電荷を形成するもので、静電吸着力を形成するにはプラズマを形成することが必要であった。このため、吸着力の解除のために試料の処理を終了してもプラズマを形成する必要が有り、処理の効率を損なってしまっていた。
【０００４】
そこで、試料台の誘電体膜内に、正負の電極を配置して各々に電位を印加して、半導体ウエハ等の試料の面内において、誘電体膜内の各電極に対応した位置に正負の電荷を形成し、これらの電荷と誘電体膜内に形成される電荷との間で静電吸着力を形成することが行われてきた。このような構成において、処理が終了した後、各々の電極で極が逆となるような電位を印加することで、試料内の電荷の極性を中和して静電吸着力を解除することが可能となり、プラズマを形成する必要が無くなり、処理の効率を向上させることが出来る。このような技術を開示する従来の技術文献としては、特開平６−１２０３２９号公報が知られていた。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１２０３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来技術では、次のような問題点が有った。
【０００７】
すなわち、上記従来技術では、一方の極の電極は試料台の中央側に配置された円形状であり、他方の電極は、これの周囲を囲んで配置されたリング状の形状を備えている。処理する試料が平板で、ほぼ誘電体膜状に均一に接する場合には、このような形状においては、静電吸着力が安定して供給できる。
【０００８】
しかし、処理をしようとする試料がその前段階の処理において熱を受けて変形している場合、例えば、大きな熱を受けた側とその逆側の面では材料の違い等による膨張率の相違といった要因から反りが生じている場合では、試料が試料台に載置された際に、その全面にわたり均一に誘電体膜あるいは試料台の表面に接触することが困難となる。
【０００９】
この場合に、静電吸着により試料を保持したとしても、静電吸着用の各電極の上側を覆って誘電体膜に接する面積が、各電極により異なってしまい、試料内に生じる正負の電荷の量が、大きく異なってしまう虞が有る。この場合、静電吸着力を解除しようとして、異なる極性を静電吸着電極に印加しても、必ずしも試料側の電荷に対応したものにすることが出来ず、電荷が十分な拡散が得られて吸着力が解除できるまで、多くの時間を必要となって、処理の効率を損なってしまうという問題が生じていた。
【００１０】
また、このような試料の反りは外周側で大きくなるが、この大きな反りが生じる領域は、その前段階の処理や試料の製法等に依って異なり、試料台に載置された際にその表面との十分な接触面積を得られて静電吸着力を発揮できる領域は分布を有している。このような反りの生じる領域の変動に対して、安定して静電吸着力を形成し、短時間に吸着力の解除を行えて、処理の効率を向上させる点については、上記従来技術では、考慮されていなかった。
【００１１】
本発明の目的は、静電吸着力の解除に必要な時間を短縮して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的は、真空容器の内側に配置された処理室と、この処理室内の下方に配置されその上に略円形の試料が載置される試料台とを有し、この試料台上方の前記処理室内の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の前記試料が載置される面上を覆う誘電体膜と、この膜の内側に配置され前記試料をこの試料を処理する際に前記誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される正負の電極の対とを備え、この正負の電極が前記試料台の上方から見てその中心に対し左右について略対象に配置されることにより達成される。
【００１３】
さらには、前記正負の電極の各々が前記試料台の中央部を中心とした円弧状の形状を備えたプラズマ処理装置により達成される。さらには、前記試料台の左右の側の各々に異なる径を有する前記円弧状の電極の複数が配置されたことにより達成される。
【００１４】
さらにまた、前記試料台の左右の側の各々に異なる径を有する正負の電極が隣り合って配置されたことにより達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の一実施例に係るプラズマ処理装置の断面図である。
【００１７】
図１に示すプラズマ処理装置は、真空容器１０の内部に処理室１００を有し、その上部に処理室１００内に電磁波を放射して電界を供給するアンテナ１０１及びアンテナプレート１０１ａ、下部にウエハ１２０などの被処理対象である試料を載置する試料台１５０を備えている。真空容器１１０は、アンテナ１０１を保持して真空容器１０を開閉可能なハウジング１０５と、このハウジング１０５が閉じられている際にその下方から指示して真空容器１０を構成する側壁１１１、及びこの側壁１１１の下方に配置された下部容器112を有している。この下部容器１１２と試料台１５０の間の空間は、処理室１００内のガスやプラズマ、反応生成物が移動して排気手段である排気ポンプ１０４により排気される空間となっている。アンテナ１０１は、真空容器の一部としてのハウジング１０５に保持され、アンテナプレート１０１ａと保持ステージ１５０は平行して対向する形で設置される。処理室１００の周囲には、たとえば電磁コイルとヨークよりなる磁場形成手段１０２が設置されている。
【００１８】
保持ステージ１５０は、その上に載置されるウエハ１２０を誘電体膜を介して静電気により吸着して保持する機能を有した、一般に静電吸着電極と呼ばれているものである。図１に示すように、静電吸着電極である保持ステージ１５０は、アルミニウム製の電極ブロック１５１，誘電体膜１５２、それにアルミナ製の電極カバー１５３で構成される。電極ブロック１５０内には、真空容器１１０外に配置された温調ユニット１０９において所定の温度に調節されて供給された熱交換媒体が循環する流路１５４が形成されている。アルミナ製の電極カバー１５３は、導体で構成された電極ブロック１５１を保護するためのカバーである。静電吸着電極である保持ステージ１５０の大きさは、１２インチ（直径300
mm）のウエハ１２０を対象とした場合には、直径が３４０mmで、全体の厚さが４０mmである。電極ブロック１５１は、真空容器１１０外に配置された高電圧電源１０６とバイアス電源１０７とに、図示していない接続器により、それぞれ接続されている。
【００１９】
本実施例の誘電体膜１５２は、厚さは０.１mm の溶射法で形成したアルミナセラミックスからなる略円板形状を有しており、この円板の上面にウエハ１２０が載置される。この誘電体膜２の材質や厚さは、この例に限られたものではなく、例えば合成樹脂の場合は、それに応じて０.１mm から数mmの厚さが選択できる。
【００２０】
誘電体膜１５２は、図２（ａ）に示すように、そのウエハ１２０に対向してこれに接する表面には、放射状に伸びる直線状のスリットの複数と、これらに連通した複数条の同心円状のスリットとからなる伝達溝２０１が設けられている。
【００２１】
さらに、これらに連通して誘電体膜１５２表面に開口されたガス導入孔２０２から伝熱用のＨｅガスが誘電体膜１５２または伝達溝２０１に導入され、上記スリット（及びこの誘電体膜１５２）とこの上に載置される被処理体であるウエハ１２０との間に形成される空間へ両者の熱伝達を行うためのＨｅガスが導入される。この空間では、ウエハ１２０の裏面に均一な圧力のＨｅガス（通常１０００Ｐａ程度）が充填される。
【００２２】
本実施例では、前記ガス導入孔２０２は、試料台１５０あるいは誘電体膜１５２の中央部及び最外周の同心円状のスリット内の複数の位置に設けられている。外周側に多数のガス導入孔２０２を配置することで、熱伝達ガスが外周から逃げやすくガスの圧力が低下してしまうことを補償し、また、温度が高くなりやすいウエハ１２０の外周側をより低い温度に調節可能にしている。
【００２３】
また、この誘電体膜１５２の内部には、前記した被処理対象であるウエハＷを誘電体膜１５２（保持ステージ１５０）上に吸着して保持するための電圧が印加される薄膜状の電極が設けられている。
【００２４】
処理室１００は真空排気弁１０３により、１００００分の１Ｐａの圧力の真空を達成できる真空容器１１０の内側に配置され密封された容器である。被処理対象であるウエハ
１２０のエッチング，成膜等の処理を行う処理ガスは、図示しないガス供給手段から所定の流量と混合比をもって処理室１００内に供給され、複数の回転可能で連通を開閉可能なフラップを有する真空排気弁１０３と排気ポンプ１０４とにより処理室１００内の圧力が制御される。本発明のようなプラズマ処理装置では、一般に、エッチング中の処理圧力を０.１Ｐａから１０Ｐａ以下の範囲に調整して使用することが典型的である。
【００２５】
アンテナ１０１には、マッチング回路１２２を介してアンテナ電源１２１が接続される。アンテナ電源１２１は、３００ＭＨｚから１ＧＨｚのＵＨＦ帯周波数の電力を供給するもので、本実施例ではアンテナ電源１２１の周波数を４５０ＭＨｚとしている。静電吸着電極Ｓには、静電吸着用の高電圧電源１０６と、たとえば２００ｋＨｚから１３.５６
ＭＨｚの範囲のバイアス電力を供給するバイアス電源１０７がマッチング回路１０８を介して、それぞれ接続される。また、静電吸着電極Ｓには、温度制御用の温調ユニット109が接続される。なお、本実施例では、バイアス電源１０７の周波数を２ＭＨｚとしている。
【００２６】
また、試料台１５０上の誘電体膜１５２表面に供給される熱伝達用のガスは真空容器
１１０外部の試料台１５０下方に配置されたガス源１１３からガス供給量速度を調節するガス導入調節弁１１４を介して、誘電体膜１５２表面に導入される。
【００２７】
このようなエッチング処理装置では、真空排気弁１０３及び真空ポンプ１０４との作動により処理室１００内部が減圧され所定の圧力に達すると、真空容器１１０の下部容器
１１２内部を処理対象のウエハ１２０が、図示していない搬送用ロボットアームにより搬送される。
【００２８】
搬送されたウエハ１２０は、試料台１５０上に載置された後、試料台１５０が処理室
１００内を上方に移動して所定の位置に配置され、誘電体膜１５２内の静電吸着用の電極に電圧が印加されてウエハ１２０が試料台１５０上に吸着，保持される。
【００２９】
その後、処理ガスが処理室１００内に供給され、アンテナ１０１及びアンテナプレート１０１ａから供給される高周波の電界と磁場形成手段１０２から供給される磁界との相互作用によって、処理室１００内に導入された供給された処理ガスが効率良くプラズマ化される。
【００３０】
また、ウエハ１２０の処理においては、ウエハに入射するプラズマ中のイオンの入射エネルギーを高周波バイアスによって制御し、所望の表面の形状が得られる。
【００３１】
前記処理が終了すると、ウエハ１２０の静電吸着が解除され、ウエハ１２０が試料台
１５０から取外されて下部容器１１２内から搬出される。
【００３２】
図２は、図１に示すプラズマ処理装置の試料台１５０の構成の概略を拡大して示す図面である。図２（ａ）は、上記の通り、試料台１５０を上方から見た上面図であり、誘電体膜１５２と試料台リング１５３とが示されている。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面を示す縦断面図である。
【００３３】
試料台１５０の上部は、図２（ｂ）に示すように、内部に熱交換媒体が通流する流路
１５４が設けられ高周波電力とバイアス電力が印加される電極ブロック１５１と、この上部に配置され静電吸着用の電極を内部に含む誘電体膜１５２，電極ブロック１５１及び誘電体膜１５２，ウエハ１２０の外周に配置され、これらをプラズマから保護する試料台リング１５３とを有している。
【００３４】
電極ブロック１５１内には、前記流路１５４及び誘電体膜１５２表面に伝熱ガスを供給する熱伝達ガス供給路２０３，静電吸着用の電極へ電圧を印加するためのコネクタプラグ２０４とが配置されている。
【００３５】
伝熱ガス供給路２０３は、誘電体膜１５２表面のガス導入孔２０２の各々と連通されており、電極ブロック１５１及び誘電体膜１５２の試料台１５０中央部と外周側とにそれぞれ設けれられている。また、ガス源１１３からの熱伝達ガスは、試料台中央部下方の熱伝達ガス供給プラグ２０５を介して熱伝達ガス供給路２０３に導入される。
【００３６】
コネクタプラグ２０４及び熱伝達ガス供給プラグ２０５は、電極ブロック１５１下方に配置されて繋げられたベース２０６に取り付けられている。熱伝達ガスプラグ２０５ガスの一部は、試料台１５０の中央部の熱伝達ガス供給路２０３に、一部は、電極ブロック
１５１とベース２０６との間に設けられた導入路を介して試料台１５０外周側の熱伝達ガス供給路２０３に供給される。コネクタプラグ２０４は、図１に示すように、試料台150下方の電位調節手段と接続されて、所定の電位が静電吸着用電極に印加される。
【００３７】
上記の通り、誘電体膜１５２の表面には、熱伝達ガスが導入され充填される、ウエハ
１２０または円筒形上の試料台１５０の半径方向及び周方向に複数設けられたスリットが設けられている。誘電体膜１５２上にウエハ１２０が載置され、これらスリット以外の誘電体膜１５２の表面とウエハ１２０とが吸着されて保持されて出来る、スリットによる空間に、供給された熱伝達ガスが充填される。
【００３８】
また、試料台リング１５３の上部には、試料台リング１５３の外周に沿った端部に、突起部１５３ａが設けられている。本実施例では、突起部１５３ａは断面が台形状を有している。この突起部１５３ａの設けられる位置は、試料台の中央部からみて、真空排気弁
１０３または真空ポンプ１０４が配置された方向に設けられている。
【００３９】
このような位置に設けることにより、ウエハ１２０の上方に生成される反応生成物の移動や流れを調節し、反応生成物が真空排気弁の側に偏って移動してしまい、ウエハ１２０の面上の位置による処理の結果が異なってしまい、処理の分布が大きくなってしまうことを抑制している。
【００４０】
試料台１５０の直下方に真空排気弁１０３が配置されている場合には、試料台リング
１５３の外周のほぼ全周に沿って突起部１５３ａを配置してもよい。
【００４１】
また、本実施例では、試料台リング１５３の内周側、及び誘電体膜１５２の外周側に沿って、４本のプッシャピン２０７を配置している。このプッシャピン２０７は、ウエハ
１２０を処理の開始前、或いは処理後に試料台１５０上で隙間を介して支持し、ロボットアームとの間でウエハを授受するものである。このために、プッシャピン２０７は、ウエハ１２０の処理後に誘電体膜１５２の上からウエハ１２０を持ち上げる、あるいは、受け取ったウエハ１２０を支持しつつ相対的に下降させて、下方の試料台１５０上に載せる動きをする。
【００４２】
この動きのために、プッシャピン２０７は、誘電体膜１５２の外周端部の直ぐ外側に位置し、ウエハ１２０の外周端部の裏面と接してこれを支持するように配置され、その支持部は、プッシャピン２０７の本体の先端に位置し、その本体よりも径が大きく構成されている。プッシャピン２０７の上下方向の移動は、図示していない、試料台１５０下方のアクチュエータにより行われる。
【００４３】
図３は、図２（ｂ）Ｂ−Ｂ断面の構成を示す横断面図である。この図において、電極ブロック１５１部分を中心とした試料台１５０の断面を示している。この図においては、図１，図２において説明した部分については、同一符号を引用したが、説明を省いた。
【００４４】
本実施例では、熱媒体が通流する流路１５４は、電極ブロック１５１あるいは試料台
１５０の外周側に配置された二重の通路となっている。特に本実施例では、温調ユニット１０９により温度調節された熱交換媒体は、熱交換媒体導入孔３０１から流路１５４に流入し、外周側の流路１５４を略一周した後、流路１５４の内周側の流路を略一周して熱交換媒体導出路３０２から流出する。
【００４５】
また、電極ブロック１５１内には、静電吸着用電極のためのコネクタプラグ２０４は、この静電吸着用電極の正負のそれぞれの電極用に、２本のプラグが設けられている。また、上記の通り、試料台の中央側と外周側の複数箇所に、熱伝達ガス供給路２０３が配置されている。
【００４６】
上記のように、本実施例では、熱交換媒体が通流する流路１５４は、試料台１５０の内側で内外複数の略円形となる経路を構成している。このような構成において、熱交換媒体は、外側の流路１５４から内側の流路１５４へ流れるように構成される。外側を流れる熱交換媒体は、内側を流れる熱交換媒体よりも相対的に潜熱が大きく、熱交換の効率が試料台１５０外周側で大きくなる。このため、外周側の熱交換効率がより大きくなり、試料台１５０を冷却する場合には、温度を内周側より低くすることが容易となる。これは、処理中においてウエハの外周側をより低く調節することで処理の不均一を抑制しようとする場合に有利となる。
【００４７】
また、本実施例では、２本の静電吸着用電極のためのコネクタプラグ２０４を配置しているが、静電吸着用電極が正負２以上有る場合には、必要に応じてプラグを配置する必要が有る。
【００４８】
図４は、図２Ｃ−Ｃ断面の試料台の構成を示す横断面図である。特に、この図面では、誘電体膜１５２内部に配置された静電吸着電極の構成の概略を示している。
【００４９】
この図において、静電吸着用電極４０１は、所定の厚さの膜として誘電体膜１５２内に配置されている。この静電吸着用電極４０１は、誘電体膜１５２を途中の所定の膜厚さまで溶射等の方法で形成した後、適切なマスクを用いて、この誘電体膜の上面に塗付、或いは溶射やＣＶＤ等の方法で形成される。この後、この静電吸着用電極４０１の上から、再度、誘電体膜１５２を形成して、上記伝達溝２０１を形成して、誘電体膜１５２を仕上げる。
【００５０】
本実施例では、静電吸着用電極４０１は、互いに絶縁されて異なる極性にされる電極
４０１ａと電極４０１ｂとが、所定の大きさの幅を有する略円弧状の部分を備えている。例えば、本実施例では、ウエハ１２０の処理中には、電極４０１ａが正電極として、401bが負電極として電位を調節されるものとする。
【００５１】
本実施例では、これらの略円弧状の部分は、周方向におよそ１８０度の角度を有して、この周方向の角度の範囲で内周端と外周端とが異なる半径でほぼ同心の円弧となっている。さらに、静電吸着用電極４０１は、試料台１５０の上方から見て、試料台１５０の中心を通る仮想の線について、その左右の側で円弧が対象な位置と形状となるように配置されている。つまり、一方の側のいずれかの電極の任意の径の円弧状部分について、他方の側において対象に位置する同じ径の円弧状部分が存在して、これら対象に位置する電極の極性は異なっているものである。
【００５２】
さらに、左右側に対象に配置された円弧状の電極４０１は、試料台１５０の径方向に異なる径の円弧であり、各々が多重の同心円状に配置されている。一方の側で多重の円弧状部分は、３重以上となっていることが望ましい。さらに、正負それぞれの電極４０１ａ，４０１ｂの各々の円弧状部分の複数が試料台の径方向について交互に位置するように配置されている。これらの隣り合った正負の異なる極の電極４０１ａ，４０１ｂの間には、絶縁部材が配置されている。この絶縁部材は、誘電体膜１５２と同部材でもよい。また、本実施例では、電極４０１ａ，４０１ｂは、それらの円弧状の部分の端部において、その外周側に位置して異なる径の円弧状部分に繋がる部分を有し、厳密にはこの接続部分においては円弧形状となっていない。このように、本実施例は、電極４０１ａ，４０１ｂのそれぞれが試料台１５０の中央部側から外周側に繋がる１つの部材となるように構成されており、静電吸着用電極４０１は、２つの膜部材で構成されている。このため、図３に示すように、静電吸着用電極４０１に電位を与えるためのコネクタプラグ２０４は２本となっている。
【００５３】
これらの電極４０１の円弧の角度は、本実施例では、それぞれ略１８０度となっているが、これに限ったものではなく、略９０度，６０度でも良い。
【００５４】
このようにすることで、試料台１５０の中央部を中心とした任意の半径の円において、この円内での正負の２つの電極４０１ａ，４０１ｂの各々の面積が略同一になるように構成される。さらに、この任意の半径の円の円周に沿った領域や円周上の長さにおいても、正負の電極の面積や、円周が位置する長さも略等しくなるように構成されている。特に、本実施例では、試料台１５０の上方から見て、試料台の中心部分を通る仮想の線の両側において、静電吸着用電極４０１の正負の電極４０１ａ，４０１ｂの略円弧状となる部分が対象となる位置に配置されている。
【００５５】
このような構成においては、反りを有するウエハが載置された際でも、試料台１５０中央部で誘電体膜１５２と接するか或いは、距離が接近して静電吸着用電極４０１との相互作用で、正負の電荷が集中するそれぞれの極の面積を等しくすることで、吸着力が安定する。さらに、反りが大きくなり、静電吸着力が小さくなり吸着力を発揮できなくなる境界の部分において、正負の電極の面積、あるいは長さがそれぞれ略等しくなり、ウエハ120内に生じる各々の極の電荷の量を等しくして、吸着を解除して除電する際の時間を短縮することが出来る。
【００５６】
また、静電吸着用電極４０１は、４０１ａ，４０１ｂ２つの部材で構成されているが、上記境界となる部分の近傍で正負の極性となる電極の面積がおよそ等しくなれば良く、使用に応じて電極の部材の個数は決定される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の試料台１５０の構成の概略を拡大して示す図面である。
【図３】図２（ｂ）Ｂ−Ｂ断面の構成を示す横断面図である。
【図４】図２Ｃ−Ｃ断面の試料台の構成を示す横断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００…処理室、１０１…アンテナ、１０２…磁場形成手段、１０３…真空排気弁、
１０４…真空ポンプ、１０５…ハウジング、１０６…高電圧電源、１０７…バイアス電源、１０８，１２２…マッチング回路、１０９…温調ユニット、１２０…ウエハ、１２１…アンテナ電源、Ｓ…静電吸着電極。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器の内側に配置された処理室と、この処理室内の下方に配置されその上に略円形の試料が載置される試料台とを有し、この試料台上方の前記処理室内の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台の前記試料が載置される面上を覆う誘電体膜と、この膜の内側に配置され前記試料をこの試料を処理する際に前記誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される正負の電極の対とを備え、
これらの電極が前記試料台の上方から見てその中心に対し左右について略対象に配置されたプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、前記正負の電極の各々が前記試料台の中央部を中心とした円弧状の形状を備えたプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料台の左右の側の各々に異なる径を有する前記円弧状の電極の複数が配置されたプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料台の左右の側の各々に異なる径を有する正負の電極が隣り合って配置されたプラズマ処理装置。
【請求項１】
真空容器の内側に配置された処理室と、この処理室内の下方に配置されその上に略円形の試料が載置される試料台とを有し、この試料台上方の前記処理室内の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台の前記試料が載置される面上を覆う誘電体膜と、この膜の内側に配置され前記試料をこの試料を処理する際に前記誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される正負の電極の対とを備え、
これらの電極が前記試料台の上方から見てその中心に対し左右について略対象に配置されたプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、前記正負の電極の各々が前記試料台の中央部を中心とした円弧状の形状を備えたプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料台の左右の側の各々に異なる径を有する前記円弧状の電極の複数が配置されたプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置であって、前記試料台の左右の側の各々に異なる径を有する正負の電極が隣り合って配置されたプラズマ処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００６−１９５３４（Ｐ２００６−１９５３４Ａ）
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１９６１９９（Ｐ２００４−１９６１９９）
【出願日】平成１６年７月２日（２００４．７．２）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月２日（２００４．７．２）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
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