【課題】複数のチャック領域を備え、その外側領域に設けられた凹面部にウェハを搬送するためのトレイが配置される静電チャックにおいて、信頼性を向上させること。
【解決手段】ウェハ２が載置される複数のチャック領域Ｒと、チャック領域Ｒの外側領域に設けられた凹面部Ｃとを備えたチャック機能部１０と、チャック領域Ｒに対応するチャック機能部１０の内部と、凹面部Ｃに対応するチャック機能部１０の内部とにそれぞれ配置された電極４０，４０ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと半導体製造装置において、ウェハの温度を均一にすること。
【解決手段】表面に、ガス孔２０と、該ガス孔２０に連通する溝３０とが形成され、溝３０の開口端の幅Ｗ１が、前記開口端よりも下の前記溝３０の幅ＷＸよりも狭いことを特徴とする静電チャックによる。 （もっと読む）

【課題】液体窒素のような冷却媒体によって冷却される静電チャック装置に用いられる接着剤層からのガス放出を防止できる接着剤層の乾燥方法を提供することである。
【解決手段】冷却媒体によって冷却される静電チャック装置に用いられる接着剤層を乾燥する方法であって、１２０℃〜１４０℃の間の温度で、不活性雰囲気中で、前記接着剤層からの所定の質量数（１５、９０、１２１、及び１６３）のガスの放出がなくなるまでベークする乾燥方法が得られる。即ち、２時間〜８．５時間の間、ベーク乾燥することによって、所定質量数のガス放出を無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】基板と静電チャックとの間に供給される伝熱ガスによって基板全体の温度を均一する。
【解決手段】ドライエッチング処理される基板２を静電吸着する静電チャック１１は、基板２と相似形状の静電吸着面１３ａを備える基板保持部１３を有する。基板保持部１３は、静電吸着面１３ａの縁１３ｂ，１３ｃに沿って形成された環状溝１３ｅと、環状溝１３ｅに囲まれた静電吸着面１３ａの部分に且つ環状溝１３ｅに沿って形成された凹部１３ｄと、凹部１３ｄの底面１３ｆの中央に形成されて凹部１３ｄ内に伝熱ガスを導入する第１の導入孔１３ｊと、凹部１３ｄの底面１３ｆの縁１３ｈに沿って形成されて該凹部内に伝熱ガスを導入する複数の第２の導入孔１３ｋとを備える。 （もっと読む）

【課題】吸着対象物を安定して吸着保持でき、かつ、放電が発生し難い基板温調固定装置を提供すること。
【解決手段】本基板温調固定装置は、基体に内蔵された電極に電圧を印加して吸着対象物を前記基体上に吸着保持する静電チャックと、接着層を介して前記静電チャックを固定するベースプレートと、前記電極と電気的に接続された給電部と、前記給電部を保持する保持部と、を有する基板温調固定装置であって、前記保持部は、保持部本体と、封止部と、を有し、前記保持部本体は、前記ベースプレートに固定され、前記接着層の反対側に開口する凹部と、前記凹部内から前記接着層側に貫通する貫通孔と、を備え、前記給電部は、電極ピンと、電線と、を有し、前記電極ピンは、前記凹部内に固定され、前記電線は、前記接着層内、前記貫通孔内、及び前記凹部内に配線されて、前記電極と前記電極ピンとを電気的に接続し、前記封止部は、少なくとも前記凹部に充填されている。 （もっと読む）

【課題】セラミック誘電体基板の内部の電極への導通を確実に確保するとともに、穿孔によるセラミック誘電体基板の強度的強度の低下、電気的絶縁の信頼性低下を最小限にすることができる静電チャックを提供することを目的とする。
【解決手段】被吸着物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面とのあいだに介設された電極と、前記セラミック誘電体基板の前記第２主面に形成された凹部の中に設けられた導電性部材と、を備え、前記凹部の先端は、曲面を有し、前記電極は、前記曲面において露出する露出部分を有し、前記導電性部材は、前記露出部分において前記電極と接触していることを特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、時間のロス無しに基板のアライメントを可能とした基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板２を出し入れする仕込／取出室３と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込／取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記仕込／取出室は、真空排気可能なチャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、前記基板が載置される支持部１２と、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正するアライメント部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ステージ温度変化など運用条件の変更に対応し、突入電流の発生や過剰なＥＳＣ電流が流れることを防ぎ、なおかつ伝熱用ガスを導入する時点で裏面圧力以上の静電吸着力を発生させる。
【解決手段】被処理基板をプラズマ処理するための処理室と、該処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理室内に設けられ被処理基板を保持する静電吸着膜を備えたステージを具備したプラズマ処理装置において、静電吸着膜と被処理基板間に流れるＥＳＣ電流の電流値を検知し、ＥＳＣ電流の値で吸着条件を設定し、ＥＳＣ電流が設定した制御範囲内に収まるようにＥＳＣ電流を検知しながら吸着電圧を段階的にステージに印加し、ＥＳＣ電流が制御範囲内に収まったことを検知した後に伝熱用ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置において、シリコンウエハに比べて厚いサファイア基板を下部電極などのウエハステージ上に、下部電極のウエハ載置面との間隙をサファイア基板の処理中の温度が均一になるようにして保持することを可能とする。
【解決手段】ウエハに対する処理を行うためのチャンバーのステージ上にウエハーを載置してウエハの処理を行うプラズマエッチング装置において、該ウエハーＷａを、該ウエハが該ステージとしての下部電極１２０ａ上に固定されるよう保持するウエハ保持部としてのクランプ部１１０と、該下部電極上に固定されたウエハーＷａの温度が均一に保持されるよう、該ウエハとの間で熱交換を行う熱交換部とを備え、該下部電極は、そのウエハ載置面の形状をサファイアウエハの反り特性に合わせた形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体４０であって、金属熱伝達部材４８と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック５０と、を備え、前記熱伝達部材４８は、当該熱伝達部材４８に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 基板載置面に付着した塵を効率良く除去する。
【解決手段】 清掃用カバー１００を、基板載置面（基板ホルダ５０の上面）の一部に対向配置する。そして、清掃用カバー１００及び基板ホルダ５０から清掃用カバー１００の下面と基板載置面との間（対向面間）に圧縮気体を噴出して対向面間の気体を激しく撹拌するとともに基板ホルダ５０により対向面間から気体を吸引する。これにより、基板載置面における清掃用カバー１００の下面に対向する領域に付着した塵Ｄは、対向面間で撹拌された気体中に取り込まれ、この気体と共に吸引されて除去される。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、パーティクルの発生を抑制することができる静電チャック及び静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が１％未満とされたこと、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の急速な加熱冷却が可能で、高い絶縁性を維持する静電チャックを提供する。
【解決手段】セラミック基板と、前記セラミック基板の上側に設けられ、被処理基板が載置される第１主面を有するセラミック誘電体と、前記セラミック基板と前記セラミック誘電体との間に設けられた電極と、を備え、前記セラミック誘電体の材質は、セラミック焼結体であり、前記セラミック誘電体の前記第１主面には、複数の突起部と、ガスを供給する溝と、が設けられ、前記溝の底面には、前記第１主面とは反対側の前記セラミック基板の第２主面まで貫通する貫通孔が設けられ、前記電極と前記溝との間の距離は、前記電極と前記第１主面との間の距離と同じか、もしくは大きいことを特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス圧が高圧であっても、基板温度の面内分布を均一化できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の静電チャック２１は基板２が載置される基板載置部２７Ａ〜２７Ｆを備える。基板載置部２７Ａ〜２７Ｆの上端部２７ａは、外周縁に沿って設けられた上向きに突出する環状突出部４１を備える。環状突出部４１に囲まれた凹部４３には多数の柱状突起４７，４８が設けられている。基板２の下面２ａは環状突出部４１と柱状突起４７，４８の上端面に直接接触して支持される。凹部４３内には供給孔２９から伝熱ガスが充填される。凹部４３は、伝熱ガスのガス圧分布の均一性のために深さを深く設定した内側領域４５と、基板２の最外周縁付近の下面と環状突出部４１の上端面（基板載置面）４１ａを通る凹部４３からの伝熱ガスの漏洩の均一化のために内側領域４５よりも深さを浅く設定した外側領域４６とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中にウエハだけでなくトレイの冷却も可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】まず、トレイ１１に空けられた開口１１ａにウエハ１０を入れ、トレイ１１の下面に設けられた保持部材１３によりウエハ１０の下面周縁を保持する。次に、そのトレイ１１と静電チャックである下部電極１２を近づけ、下部電極１２に形成された凹部１４に保持部材１３を挿入し、下部電極１２のトレイ載置部にトレイ１１を載置し、ウエハ載置部にウエハ１０を載置する。次に、静電チャックによりウエハ１０及びトレイ１１を保持しつつ、ウエハ１０及びトレイ１１を冷却機構により冷却する。この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】気相成長の際に、エピタキシャル層へのオートドープによる抵抗のバラツキが少ないエピタキシャルウェーハを製造し得るエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】サセプタの複数のザグリのそれぞれは、半導体ウェーハ２１を底面部に載置して収容可能な直径を有する第１ザグリ１３と、第１ザグリ１３より大径の直径を有し第１ザグリ１３と同心円をなし第１ザグリ１３の底面部１３ａより高い位置に底面部１４ａが形成された第２ザグリ１４を有する２段状ザグリであって、隣合うザグリ同士の近接部が第１ザグリの側面部１３ｂと第２ザグリの底面部１４ａのみで形成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の温度調節をしつつ、絶縁基板を有する配線基板の静電気破壊の発生を低減することを目的とする。
【解決手段】第１方向Ｄ１に延びた配線Ｚが配置された絶縁基板１０を有する配線基板３０を配置可能なテーブル面４０Ｓと、テーブル面４０Ｓに形成されるとともに第１方向Ｄ１と交差する方向に延びた直線状の溝部４１と、溝部４１に形成されるとともにガスが注入される注入口４２Ａと、溝部４１に形成されるとともに注入口４２Ａから注入されたガスを排出する排出口４３Ａと、を有するテーブル４０を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガス穴部での異常放電を抑制することにより、異常放電によって起こる試料台の損傷を防止し、装置の信頼性及び安定性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、被処理体が載置され内部に被処理体の温度を制御するための冷媒通路を有した試料台と、被処理体を試料台に静電吸着する静電吸着電源と、試料台内に被処理体と試料台との間に被処理体の温度を制御するための伝熱ガスを供給する複数のガス穴部とを有するプラズマ処理装置において、ガス穴部は、誘電体からなるボス，スリーブ及び複数の細管を有し、複数の細管は、ガス穴部の中心から外側に向かって半径の１０％以上５０％以下の範囲に配置させた。 （もっと読む）

【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０から形成される半導体装置の製造装置であって、基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１にガスを送るガス導入手段２９、３０、３１、３４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面に熱を伝えるヒータ２４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面の温度を測定するセンサー２６と、センサー２６からの温度に基づいてヒータ２４に加える電力を調整するヒータ加熱制御手段２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１の内側を通り、基板載置面の中央に設けられた第１のガス放出口３３ａと、基板載置台２１の内側を通り、基板載置面のうち第１のガス放出口３３ａよりも外側に設けられた第２のガス放出口３３ｂとを備え、基板５０を加熱する不活性ガスが、第１のガス放出口３３ａ及び第２のガス放出口３３ｂから供給される。 （もっと読む）