【課題】１つの層でガス流路が形成された静電チャック及びその製造方法、並びに前記静電チャックを有する基板温調固定装置。
【解決手段】基板載置する基体の内部に電極と環状のガス流路を有する静電チャックの製造方法であって、第１のグリーンシート１０２に隣接する複数の貫通孔１８０と連結部１９０を形成する貫通孔形成工程と、第２のグリーンシート１０１上に第１のグリーンシート１０２を仮接着し、複数の貫通孔１８０の一方の側を塞ぐ仮接着工程と、前記仮接着工程の後に、連結部１９０を除去し複数の貫通孔１８０を一体化して環状の貫通孔１８１を形成する連結部除去工程と、第１のグリーンシート１０２上に第３のグリーンシートを仮接着し、環状の貫通孔１８１の他方の側を塞ぎ、第１のグリーンシート１０２のみに環状のガス流路を形成するガス流路形成工程と、仮接着された各グリーンシートを焼成して前記基体を形成する基体形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板等の体積固有抵抗値が大きい基板であっても、十分な冷却効果を有し、且つ、コストに見合った基板の冷却効果を得ることができる基板載置システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置１０の基板冷却システムにおいて、サセプタ１２は基板Ｇを載置し、静電チャック１４はサセプタ１２の上部に設けられて基板Ｇを静電吸着し、ガス流路１８及び温度調整ガス供給装置１９は静電吸着された基板Ｇ及び静電チャック１４の間の伝熱空間Ｔに温度調整ガスを供給し、伝熱空間Ｔの厚さが５０μｍ以下に設定され、ガス流路１８及び温度調整ガス供給装置１９は、温度調整ガスとして窒素ガス又は酸素ガスを３Ｔｏｒｒ（４００Ｐａ）以下で伝熱空間Ｔに供給する。 （もっと読む）

【課題】少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体製造装置は、ステージＳＴ、複数のピン７０、及び駆動部を備えている。ステージは載置面ＰＦを含む。載置面は、被処理基体Ｗを載置するための第１の領域Ｒ１、及び、フォーカスリング１８を載置するための第２の領域Ｒ２を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔１４ｈが形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。 （もっと読む）

【課題】高温状態のトレイによる基板の加熱を抑制する。
【解決手段】基板２の下面縁と当接可能なテーパー面２１ｅ，２１ｆを含む内周面を備える基板収容孔２１ｄが形成されたトレイ２１を用いる基板のドライエッチング方法において、基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃと静電チャック１１の基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが重なるようにトレイ２１を位置決めして所定の位置に降下させることにより、下面縁の少なくとも一部がテーパー面２１ｅ，２１ｆから離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置し、基板２が基板載置面１３ａから離れるまでトレイ２１を上昇させることにより、テーパー面２１ｅ，２１ｆと接触する基板２の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板２の中心Ｃ１を基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置合わせし、トレイ２１を所定の位置に降下させることにより、トレイ２１から離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置する。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の非接合面の酸化を抑制する。
【解決手段】剥離装置３０は、加熱機構１２８を備え、且つ被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、加熱機構１５１を備え、且つ支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、少なくとも第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１７０と、第１の保持部１１０の外周部に沿って環状に設けられ、且つ複数の孔が形成され、被処理ウェハＷを保持した第１の保持部１１０の外周部に対して不活性ガスを水平に供給するポーラスリング１３０と、を有している。第１の保持部１１０において被処理ウェハＷを保持するポーラス１２１の保持面１２１ａの径は、被処理ウェハＷの径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ、温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることのできる基板温度制御方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、基板の裏面と載置台の基板載置面との間に伝熱ガスを供給し、かつ、伝熱ガスの圧力を検出し、検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して、圧力検出値が圧力設定値となるように伝熱ガスの供給を制御する基板温度制御方法であって、伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値以下の低圧力値とし、基板と載置台との熱交換を抑制して基板の温度制御を行う際に、圧力設定値を、低圧力値より高くかつ下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と、低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板を押圧する際の荷重を適切に制御し、基板同士の接合を適切に行う。
【解決手段】接合装置は、下面に上ウェハＷ_Ｕを吸着保持する上部チャック２３０と、上部チャック２３０の下方に設けられ、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して吸着保持する下部チャック２３１と、を有している。上部チャック２３０には、上ウェハＷ_Ｕの中心部を押圧する押動部材２５０が設けられている。押動部材２５０は、上ウェハＷ_Ｕの中心部と当接して当該上ウェハＷ_Ｕの中心部にかかる荷重を制御するアクチュエータ部２５１と、アクチュエータ部２５１を鉛直方向に移動させるシリンダ部２５２とを有している。アクチュエータ部２５１には、当該アクチュエータ部２５１に対して所定の圧力の空気を供給する電空レギュレータが設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。基板Ｓに対するエッチング処理を実施しているときに、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との切り替えを周期的に行うことによって静電チャック１７のチャック電極１７ｂに印加する直流電圧の極性を周期的に変える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された回路の素子の破壊及び基板への汚染物質の付着を防止し、且つ基板裏面の損傷を防止することができると共に、既設の装置に対して容易に適用することができる静電チャックを提案する。
【解決手段】上層４２と、下層４３と、上層４２及び下層４３に挟持された静電電極板４４とを有する静電チャック４０ａの上層４２の基板載置面４１に基板Ｇの裏面の構成材料と同じ材料であるガラスからなり、基板Ｇの裏面に当接する最上層４５ａが形成されており、上層４２及び下層４３はフッ素含有ガスに対する耐性を有する誘電体であるアルミナで形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置において、シリコンウエハに比べて厚いサファイア基板を下部電極などのウエハステージ上に、下部電極のウエハ載置面との間隙をサファイア基板の処理中の温度が均一になるようにして保持することを可能とする。
【解決手段】ウエハに対する処理を行うためのチャンバーのステージ上にウエハーを載置してウエハの処理を行うプラズマエッチング装置において、該ウエハーＷａを、該ウエハが該ステージとしての下部電極１２０ａ上に固定されるよう保持するウエハ保持部としてのクランプ部１１０と、該下部電極上に固定されたウエハーＷａの温度が均一に保持されるよう、該ウエハとの間で熱交換を行う熱交換部とを備え、該下部電極は、そのウエハ載置面の形状をサファイアウエハの反り特性に合わせた形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】例えば、リソグラフィ装置において物体を熱的に調整するための装置を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するよう構成されている。リソグラフィ装置は、第１の物体と、第２の物体への又は第２の物体からの熱移動を改善するために第１の物体に搭載されている平面部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
被処理基板の温度制御性がよく、基板全体において局所的に抜熱量が急変するような特異点の無い基板載置台を提供する。
【解決手段】
基板載置台表面に、熱伝達用ガスの流入口と流出口を設け、基板載置台表面と基板との間の閉空間を流路とする定常的なガス流を形成させ、この流路に各種の障害物を置くことによってガスの流れやすさ（コンダクタンス）を調整し、ガスの流入口と流出口との間に１０Ｔｏｒｒから４０Ｔｏｒｒの差圧を発生させる。ガスの熱伝達率が圧力に比例することから、この差圧により被処理基板の温度分布を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマにおいて、ガラス基板などの絶縁性基板を短時間で加熱して静電吸着させることが可能な静電吸着方法を提供することである。
【解決手段】静電吸着機構を備えたプラズマ処理装置において、静電吸着機構に絶縁性基板を載置して、高周波電力を印加して絶縁性基板に面した空間にプラズマを形成する。該プラズマによって静電吸着機構を不必要に加熱することなく、被処理基板のみを急速に加熱することが出来る。これにより絶縁性基板の静電吸着を短時間で行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】放電開始直後に基板に位置ずれが発生しても，それを早期に検出して直ぐに処理を中止することで，異常放電による載置台の損傷を極力防止する。
【解決手段】伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると，処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し，基板保持面上の被処理基板上に処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップとを有し，上記放電ステップにおいて，流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け，各判定ポイントごとに閾値を設定することによって，伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行う。 （もっと読む）

【課題】基板が収容されるチャンバに対して基板位置検出装置を高い位置決め精度で取り付けなくても、基板の位置を高い精度で検出できる基板位置検出装置を提供する。
【解決手段】サセプタを動かして基板載置部を撮像装置の撮像領域に位置させる工程と、処理容器内において撮像装置の撮像領域内に位置するように設けられる２つの第１位置検出マークであって、２つの第１位置検出マークの第１垂直二等分線がサセプタの回転中心を通る２つの第１位置検出マークを検出する工程と、サセプタにおいて基板載置部に対して設けられる２つの第２位置検出マークであって、２つの第２位置検出マークの第２垂直二等分線がサセプタの回転中心と基板載置部の中心とを通る２つの第２位置検出マークを検出する工程と、検出した２つの第１位置検出マーク及び２つの第２位置検出マークに基づいて基板載置部が所定の範囲に位置するかを判定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板に対するドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を効率的に除去あるいは減少させることができるドライエッチング装置および基板の除電方法を提供する。
【解決手段】処理室内のステージ上に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実施した後、Ｈｅガスを除電用ガスとして処理室内に供給するとともに、Ｈｅガスをプラズマ化することで、ドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を減少させる除電処理を行う。 （もっと読む）