【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造において、強誘電体膜の自発分極を最大化する。
【解決手段】 下側電極を形成後、強誘電体膜を堆積する前に、前記下側電極を不活性雰囲気中において急速熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 データに応じた電荷が、ランダムアクセス等に起因する干渉によってリークしないようする。
【解決手段】 書込ワード線ＷＷｒｄの指示によって書込ビット線ＷＢｉｔのレベルに対応して電荷を蓄積する一方、読出ワード線ＲＷｒｄの指示によって蓄積した電荷に応じて読出ビット線ＲＢｉｔのレベルを遷移させる半導体メモリーセルにおいて、書込ワード線ＷＷｒｄを、接地線ＧＮＤと読出ワード線ＲＷｒｄとの間に配列させる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を損なうことなく、デバイスの微細化と高速化及び高集積化及び低消費電力化を図ったダイナミック型ＲＡＭを含む半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 外部端子から供給された電源電圧を受けて動作する内部電圧発生回路より、降圧電圧及び必要に応じて昇圧電圧を形成して内部回路を動作させる半導体集積回路装置において、上記外部端子から供給された電源電圧又は上記内部電圧発生回路で形成された昇圧電圧を受けて動作する第１の内部回路を上記電源電圧又は昇圧電圧に対応した厚い膜厚のゲート絶縁膜を持つ第１のＭＯＳＦＥＴで構成し、上記降圧電圧を受けて動作する第２の内部回路を上記降圧電圧に対応した薄い膜厚のゲート絶縁膜を持つ第２のＭＯＳＦＥＴで構成する。 （もっと読む）

【課題】 側壁部の細りをなくすことで機械的強度及び十分な蓄電電荷量Ｃｓを確保し、ＨＳＧ化にも支障をきたさないような円筒型スタック電極の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上にシリコン膜１０９を、その上に絶縁膜１１０を形成し、該絶縁膜をエッチングして前記シリコン膜下の半導体基板に達する第１のホール１１１を開孔し、第１ホールよりも広い幅で前記絶縁膜に第２のホール１１３を開孔すると共に、前記シリコン膜をマスクとしてコンタクトホール１１４を開孔し、コンタクトホールを埋め、且つ円筒型スタック電極形状にアモルファスシリコン膜１１５を形成し、絶縁膜１１０、１１６を除去した後、前記円筒型スタック電極下を除く部分の半導体基板上に形成されたシリコン膜１０９を除去する。 （もっと読む）

【課題】 メモリセルへのデータの再書込をより高速化した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 センスアンプに接続されたアレイ用電源電圧ノードＮＶｃｃｓと、アレイ用電源電圧ノードＮＶｃｃｓに接続されたデカップル容量５１と、アレイ用電源電圧ノードＮＶｃｃｓに接続されメモリセルに蓄電される最大電圧Ｖｄを生成する降圧回路ＶＤＣ２と、アレイ用電源電圧ノードＮＶｃｃｓに接続され電圧Ｖｄより高い電圧Ｖｈを生成する降圧回路ＶＤＣ１，ＶＤＣ３とを備え、待機時にアレイ用電源電圧ノードＮＶｃｃｓの電圧を電圧Ｖｈに昇圧し、動作時に降圧回路ＶＤＣ２を活性化させる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの蓄積情報読み出しウィンドウ（電流差）が大きく、情報の書き込み／読み出しを確実に行うことができ、しかも寸法を微小化することができる半導体メモリセルを提供する。
【解決手段】半導体メモリセルは、■領域ＳＣ₁の表面領域及び領域ＳＣ₄から成るソース／ドレイン領域と、領域ＳＣ₃の表面領域から成るチャネル形成領域ＣＨ₁とを有する第１導電形の第１のトランジスタＴＲ₁と、■領域ＳＣ₂及び領域ＳＣ₃から成るソース／ドレイン領域と、領域ＳＣ₁の表面領域から成るチャネル形成領域ＣＨ₂とを有する第２導電形の第２のトランジスタＴＲ₂と、■領域ＳＣ₅及びそれと対向する領域ＳＣ₃の部分から成るゲート領域と、領域ＳＣ₅と領域ＳＣ₃とで挟まれた領域ＳＣ₄から成るチャネル領域ＣＨ₃と、領域ＳＣ₄から構成されたソース／ドレイン領域とを有する第１導電形の電流制御用の接合型トランジスタＴＲ₃から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ２スペーサで微細なコンタクトホールとキャパシタをセルフアライメントに形成し、プロセスの重複制限を緩和して、製造が容易で低コストなものとする。
【解決手段】 ２組のスペーサを介してソース／ビット線のコンタクトとキャパシタの保存電極とをセルフアライメントに形成するものであって、第１スペーサを層間誘電膜の側壁に形成してソース／ビット線のコンタクトホールを区画するステップと、第２スペーサをビット線の側壁に形成してキャパシタの保存電極を区画するステップとを具備して、大きなアスペクト比を有する微細なコンタクトホールを形成し、コンタクトホールにコンタクトを形成するエッチング工程における重複制限を緩和するとともに、同一フォトマスク工程によりソースおよびドレインのコンタクトを形成することにより、フォトマスク工程の回数を減らすことができる。 （もっと読む）