国際特許分類[H01L21/8242]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造 (40,275) | 1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理 (31,691) | 複数の別個の装置に基板を分割することによるもの (31,691) | それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造 (31,684) | 基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの (27,844) | 電界効果技術 (17,660) | MIS技術 (17,448) | メモリ構造 (10,964) | ダイナミックランダムアクセスメモリ構造 (2,471)
国際特許分類[H01L21/8242]に分類される特許
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半導体装置の製造装置および製造方法
【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。
【解決手段】 このCVD装置50は、処理室51にペンタエトキシタンタル(PET)を供給するための容器53に予備容器73を接続し、容器53内のペンタエトキシタンタル(PET)の残量が少なくなったときは、配管54と容器53とを切り離して新しい容器53と交換するのではなく、予備容器73からペンタエトキシタンタル(PET)を補充する。これにより、配管54と容器53とを切り離すためのジョイント61jを通じて配管54内に大気が侵入し、配管54内の残留ペンタエトキシタンタル(PET)が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】 強誘電体キャパシタに保護膜を設け、強誘電体膜の還元を抑制する。
【解決手段】 前記保護膜としてAl2 O3 膜を、3.0〜3.1g/cm3 、あるいはそれ以上の密度に形成する。
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半導体集積回路装置
【課題】 入力回路の簡素化と製品管理の取り扱いを簡便にしつつ、実質的な低消費電力化及び素子の微細化に適合して安定した入出力伝達特性を実現できる入力回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 外部端子から供給される入力信号を受ける差動増幅回路に第1と第2の動作電圧を第1と第2のスイッチMOSFETを介して供給するようにし、バイアス電圧発生回路により上記入力信号が上記第1と第2の動作電圧の中心電圧付近にあるときに上記第1と第2スイッチMOSFETをオン状態にし、その入力信号が継続的に一定期間上記第1電圧又は第2電圧にあるときには、それに対応した出力信号を形成すべく上記第1又は第2スイッチMOSFETのいずれか一方をオン状態に他方をオフ状態にする制御電圧を形成し、上記第1動作電圧と第2動作電圧に対応した第1振幅の入力信号と、上記第1動作電圧と第2動作電圧の間の所定の中間電圧に対応した第2振幅の入力信号の双方の供給を可能とする。
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有機タンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用原料並びにこれから作られるタンタル含有薄膜
【課題】 MOCVD法に適した有機タンタル化合物及びこれを用いて形成される高誘電体薄膜又は強誘電体薄膜として優れたタンタル含有薄膜を得る。均一で安定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望のSBT薄膜が得られる。
【解決手段】 次の一般式(2)で示される有機金属化学蒸着用の有機タンタル化合物単体からなるか、又は前記有機タンタル化合物を有機溶媒に溶解してなる有機金属化学蒸着用原料である。
【化9】
有機溶媒としては炭素数4〜10の直鎖状、分岐状又は環状の有機化合物が挙げられる。
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有機タンタル化合物を含む有機金属化学蒸着用原料及びこれから作られるタンタル含有薄膜
半導体記憶装置、その装置製造方法
半導体記憶装置
【課題】チップサイズを増大させることなく特性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、メモリセル領域50と周辺回路領域との間に配置されたセル形状の書込動作補助回路2を有し、書込動作補助回路2は、書込開始時にデジット線のディスチャージ動作を行い、書込終了時にデジット線のプリチャージ動作を行う第1の回路4と、デジット線のディスチャージ動作及びデジット線のプリチャージ動作の切替を行う第2の回路5とを有する。
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層間膜形成方法
半導体記憶装置
【課題】 多ビットのデータを入出力可能であって、動作速度の遅延や消費電力の増大を抑えたDRAMを提供する。
【解決手段】 このDRAMでは、多数のグローバル入出力線対GIOがサブワードドライバ領域24間のメモリセルアレイ上を走る。ローカル入出力線対LIOはメモリサブブロック26ごとに複数に分割される。グローバル入出力線対GIOとローカル入出力線対LIOを接続するスイッチング素子30はセンスアンプ領域22上に分散して配置される。1つのローカル入出力線対LIOには複数のビット線対が共通に接続される。
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半導体装置、その製造方法、及びそれを用いた応用システム
【課題】被覆性が良く、界面が安定な強誘電体薄膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体薄膜を誘電体として用いたコンデンサと能動素子を電気回路的に組み合わせて構成される半導体装置の製造方法において、その強誘電体がゾル−ゲル法で作成される半導体装置の製造方法。
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