【目的】半導体素子の製造プロセスが複雑化せずにかつ微細化を可能にしつつキャパシタの面積を増加させる。
【構成】半導体基板１１と、この半導体基板１１のキャパシタが形成される部分への多結晶シリコンの堆積及び所定のパターニングにより形成された蓄積電極１４と、この蓄積電極１４の表面に不連続あるいは不均一に形成された酸化膜１８と、この酸化膜１８上に選択的に気相成長されたグレイン状の選択成長シリコン層１５とを具備する。 （もっと読む）

【目的】 階層構造の効果を充分に発揮しうる構成のダイナミック型ＲＡＭ等を実現し、ダイナミック型ＲＡＭ等の高速化，高集積化を図る。
【構成】 メモリマットＭＡＴＬ，ＭＡＴＲを、格子状配置したダイナミック型メモリセルを含むメモリアレイと、単位サブワード線駆動回路を含むサブワード線駆動部ＷＤＲ０４〜ＷＤＲ７５と、単位増幅回路及び列選択スイッチを含むセンスアンプＳＭＲ３０〜４７と、指定されるサブビット線が列選択スイッチを介して選択的に接続されるサブコモンＩＯ線ＳＩＯ０＊〜ＳＩＯ３＊とを備える所定数のサブメモリマットＳＭＲ００〜ＳＭＲ７７に分割、ユニット化し、これらサブメモリマットを格子状配置し、その上層に配置されるメインワード線ＭＷ３０＊及び列選択信号線ＹＳ４０等と、指定されたサブコモンＩＯ線が選択的に接続されるメインコモンＩＯ線ＭＩＯ４０＊〜ＭＩＯ４３＊等とを形成する。 （もっと読む）

【目的】ドライエッチングにより形成された白金や導電性酸化物の微細パターンの表面の炭素及びハロゲン元素等による汚染除去することにある。
【構成】白金や導電性酸化物の電極を選択的にハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマを応用したドライエッチングによりエッチングして微細パターン形成後、引き続き酸素ガス、オゾンガス、水蒸気ガス、窒素酸化物ガスのうち少なくとも一種類以上のガスを選択し、プラズマにより前記材料の表面を処理する。 （もっと読む）

【目的】 高誘電率材料を有する記憶キャパシタおよびそれを形成する方法を提供する。
【構成】 この方法は、ペロブスカイト構造を有する無機酸化物から構成された、ＤＲＡＭチップ用の平面キャパシタの製造に関連する問題を解決する。これらの材料は、従来のイオン・エッチング技法では容易にエッチングされない。また、この材料はシリコンおよび二酸化シリコンと反応するが、ここに開示する方法はこの相互作用を回避する。 （もっと読む）

【目的】 容易に高帯域幅が得られるチップアーキテクチャで構成した半導体メモリ装置を提供する。
【構成】 長方形状のメモリセルアレイのアレイ長手方向へワード線を配線すると共にその直交方向へビット線を配線し、そして、前記直交方向へ、データ入出力線（ＩＯ／バーＩＯ）及びこのデータ入出力線とビット線との接続選択のための列選択線（ＣＳＬ）を配線する。更に、データ入出力線を所定数ずつマルチプレクサ２０を介してメインデータ入出力線（ＭＩＯ／バーＭＩＯ）へ接続する。アレイ上ではデータ入出力線と列選択線の基本構成を繰り返し配線できるので集積性に優れ、高帯域幅を容易に実現できる。アクセスでは、長手方向へ配線したワード線方向へ単位アレイ１２の活性化が行われ、各サブアレイ２２の単位アレイ１２に対しメインデータ入出力線数分のデータをアクセスできる。 （もっと読む）

【目的】スループットの低下や装置コストの増大なくＳｉ自然酸化膜の成長を抑制し、低温で高品質のＳｉ膜や薄いキャパシタ絶縁膜が形成可能なＬＰＣＶＤ装置及び薄膜形成方法を提供する。
【構成】ロードロック型枚葉ＬＰＣＶＤ装置の成膜室１０３にウェハのクリーニング用紫外線ランプ１０７と加熱用赤外線ランプ１０６を装着する。試料基板を成膜室に搬送した後、まず、紫外線ランプを照射しながらＯ₃ ガスを導入してウエーハ表面の有機物を除去する。続いて紫外線ランプを照射しながらＨ₂とＦ₂を含む混合ガスを導入し、Ｓｉ自然酸化膜を除去する。その後、紫外線の照射を停止し、赤外線ランプの出力を増大して基板温度を上昇し、Ｓｉ膜や酸化タンタル膜等の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【目的】 周辺領域の性能とセル領域の信頼性を向上させる事が出来るＭＯＳトランジスタの製造方法を提供すること。
【構成】 セル領域にのみ酸化促進剤イオン注入するが、逆に周辺領域に酸化抑制剤をイオン注入して、セル領域と周辺領域とのゲート酸化膜の厚さを変える。 （もっと読む）

【目的】強誘電体キャパシタの絶縁膜に対してスクリーニングを行う場合に、スクリーニング時間の短縮、スクリーニングコストの低減を図り得る強誘電体メモリを提供する。
【構成】通常動作モードおよびスクリーニングモードを有する強誘電体メモリにおいて、スクリーニングモード時に通常動作モード時に選択されるメモリセルＭＣより多数のメモリセルを同時に選択し、その強誘電体キャパシタＣの絶縁膜の両端間に極性が交互に反転するパルス電圧を任意の回数印加するスクリーニング回路（２１、２２、２３）を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 強誘電性薄膜の配向性を制御できる薄膜形成方法を提供する。
【構成】 白金薄膜１４上にＢａＴｉＯ₃ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣｅＯ₂ 及びＭｇＯの化合物の群の中から選ばれた１種類の化合物又は２つ以上の化合物で配向性制御層１６を形成する。その後、該配向性制御層１６上にＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ 層（ＰＺＴ層）１８又はＰｂ_1-y Ｌａ_y （Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 層（ＰＬＺＴ層）を形成する。 （もっと読む）